Лабораторная работа № 4 (6.8) по дисциплине: Физика: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
-
Категории:
СибГУТИ, Физика и энергетика, Работа Лабораторная
-
Добавлен:
06.02.2012
-
Размер:
121 KB
-
Покупок:
40
-
Добавил:
odja
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
лабораторная работа 6.8.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Сибирский Государственный Университет Телекоммуникаций и Информатики
Проверил: Грищенко Ирина
Валентиновна
Новосибирск, 2011 г
РАБОТА ЗАЧТЕНА ПОСЛЕ ИСПРАВЛЕНИЙ
Проверил: Грищенко Ирина
Валентиновна
Новосибирск, 2011 г
РАБОТА ЗАЧТЕНА ПОСЛЕ ИСПРАВЛЕНИЙ
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Лабораторная работа № 4 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
den245
: 8 января 2012
Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носите
den245
: 8 января 2012
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Другие работы
ЭЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА БИЛЕТ 1 По дисциплине: Архитектура телекоммуникационных систем и сетей
Ирина36
: 21 августа 2024
1. КЛАССИФИКАЦИЯ ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫХ СИСТЕМ И СЕТЕЙ.
2. КОММУТАЦИЯ КАНАЛОВ.
3. ЗАДАЧА:
ОПРЕДЕЛИТЬ КРАТЧАЙШИЙ ПУТЬ МЕЖДУ А И В, ИСПОЛЬЗУЯ АЛГОРИТМ БЕЛЛМАНА-ФОРДА.
Ирина36
: 21 августа 2024
300 руб.
Информатика. 1 семестр. Лабораторная работа №2. Вариант №5. ФОРМИРОВАНИЕ И ОБРАБОТКА ОДНОМЕРНЫХ МАССИВОВ
Vodoley
: 24 февраля 2019
В соответствии с вариантом (таблица 4) разработайте алгоритм обработки элементов массива.
Напишите программу на алгоритмическом языке в соответствии со схемой алгоритма.
Проведите тестирование программы в среде программирования.
Содержание отчета
1. Номер и тема лабораторной работы.
2. Задание к лабораторной работе.
3. Схема алгоритма решения задачи.
4. Программа на языке Cи.
5. Скрины экранов с результатами выполнения программы.
Контрольные вопросы
1.Какие ограничения накладываются на инд
Vodoley
: 24 февраля 2019
117 руб.
Теневая экономика в странах СНГ как фактор макроэкономической нестабильности
Lokard
: 4 ноября 2013
Введение……………………………………………………….3
Основные понятия. Предпосылки развития теневой экономики в странах СНГ…………………………………….5
Тенденции развития теневого сектора экономики в странах СНГ.………………………………………………….15
Теневой сектор в РБ…………………………………….25
Заключение…………………………………………………...34
Список используемой литературы………………………….36
Коррупция в бывших социалистических странах
Рейтинг коррупции по странам мира
Взаимосвязь бедности, демократии, коррупции, теневой экономики в странах Центральной Азии и СНГ
Lokard
: 4 ноября 2013
15 руб.
Цифровые системы передачи (Кураш). Билет №95
IT-STUDHELP
: 15 февраля 2022
Билет No95
Ответы на вопросы выделены желтым цветом
1. Система передачи с временным разделением каналов и амплитудно-импульсной модуляцией относится к ...
А) аналоговым системам передачи
Б) цифровым системам передачи
В) к системам WDM
2. Система передачи с временным разделением каналов и импульсно-кодовой модуляцией относится к ...
А) аналоговым системам передачи
Б) цифровым системам передачи
В) системам с волновым разделением
6. Как изменяется затухание линии, вносящей линейные искажений, о
IT-STUDHELP
: 15 февраля 2022
700 руб.
