Лабораторная работа № 4 (6.8) по дисциплине: Физика: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Сибирский Государственный Университет Телекоммуникаций и Информатики
Проверил: Грищенко Ирина
Валентиновна
Новосибирск, 2011 г
РАБОТА ЗАЧТЕНА ПОСЛЕ ИСПРАВЛЕНИЙ
Проверил: Грищенко Ирина
Валентиновна
Новосибирск, 2011 г
РАБОТА ЗАЧТЕНА ПОСЛЕ ИСПРАВЛЕНИЙ
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
Лабораторная работа № 4 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
den245
: 8 января 2012
Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носите
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Другие работы
Реферат на тему «Банковская система Японии» По дисциплине: «Банковское дело»
madeka
: 3 сентября 2017
Содержание
Введение.
1. Возникновение банковской системы в Японии.
2. Отличия формирования банковской системы Японии.
3. Структура банковской системы Японии.
3.1. Центральный банк Японии.
3.2. Функции Банка Японии.
3.2.1. Денежно – кредитное регулирование.
3.3. Второй уровень банковской системы Японии.
4. Система страхования депозитов в Японии.
Заключение.
Список использованных источников.
70 руб.
Проект внутризоновой оптической линии связи на участке г. Мирный- г. Плесецк- Каргаполь
ksemerius
: 27 января 2020
Проект внутризоновой оптической линии связи на участке
г. Мирный- г. Плесецк- Каргаполь
Курсовая 5 вариант
Преподаватель Елистратова
Год сдачи 2019
Отсутствует экономическая часть (5) т.к. преподаватель ее не требовал
1000 руб.
Насос шестеренный
vermux1
: 5 ноября 2017
Шестеренный насос предназначен для перекачивания жидкости. Основными рабочими органами насоса являются два входящих в зацепление зубчатых колеса.
Верхний вал-шестерня поз. 5 при помощи муфты (на чертеже не показана) соединен с валом электродвигателя. Крышки поз. 2 и поз. 3 соединяются с корпусом поз. 1 двенадцатью шпильками поз. 9 и гайками поз. 10. В месте выхода из корпуса вала-шестерни поз. 5 имеется уолотнительное устройство поз. 13, препятствующее просаливанию жидкости через зазор между вал
170 руб.
Узел уплотнения вала насоса НМ 360-460-Чертеж-Оборудование транспорта нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 13 мая 2016
Узел уплотнения вала насоса НМ 360-460-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование транспорта нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
400 руб.