Лабораторная работа № 4 (6.8) по дисциплине: Физика: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
-
Категории:
СибГУТИ, Физика и энергетика, Работа Лабораторная
-
Добавлен:
06.02.2012
-
Размер:
121 KB
-
Покупок:
40
-
Добавил:
odja
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
лабораторная работа 6.8.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Сибирский Государственный Университет Телекоммуникаций и Информатики
Проверил: Грищенко Ирина
Валентиновна
Новосибирск, 2011 г
РАБОТА ЗАЧТЕНА ПОСЛЕ ИСПРАВЛЕНИЙ
Проверил: Грищенко Ирина
Валентиновна
Новосибирск, 2011 г
РАБОТА ЗАЧТЕНА ПОСЛЕ ИСПРАВЛЕНИЙ
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Лабораторная работа № 4 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
den245
: 8 января 2012
Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носите
den245
: 8 января 2012
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Другие работы
Теоретическая механика ДВГУПС 2014 Задача С4 Рисунок 2 Номер условия 3
Z24
: 1 августа 2026
Для однородной пластины, размеры которой даны в табл. С4, определить положение центра тяжести (рис. С4.0–С4.9).
Z24
: 1 августа 2026
200 руб.
Электротехника и электроника. Экзамен. Вариант 08
jozzyk
: 22 ноября 2015
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, к
jozzyk
: 22 ноября 2015
160 руб.
Реферат по теме: «Устройства ввода и вывода информации»
BroДяга
: 1 октября 2023
Страниц: 17 шт.
Содержание:
Введение
1. Устройства ввода информации
1.1. Клавиатура
Назначение клавиатуры
Технические характеристики
Интерфейс клавиатуры
1.2. Манипуляторов типа «мышь»
Назначение манипулятора
Технические характеристики
Интерфейс манипулятора
1.3. Сканеры
Назначение сканера
Технические характеристики
Интерфейс сканера
2. Устройства вывода информации
2.1. Монитор
Назначение монитора
Технические характеристики
Интерфейс монитора
2.2. Принтер
Назначение принтера
BroДяга
: 1 октября 2023
50 руб.
Особливості мотивів поведінки дошкільників
alfFRED
: 18 октября 2013
Вивчення мотивів поведінки людини, його мотивації заслужено займає центральне місце в психолого-педагогічній науці у зв'язку з його величезним значенням для вирішення науково-практичних і теоретичних питань. Мотивація, забезпечує активізацію і цілеспрямованість поведінки, виконує, таким чином, повною мірою і регуляторну функцію, обумовлюючи суть психології особи. Становлення і формування особи тісно пов'язане з формуванням усе більш стійкої поведінки в позитивно мотивованій, спочатку особисто з
alfFRED
: 18 октября 2013
10 руб.
