Физика. Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 1
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
01.03.2012
-
Размер:
307 KB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
Teuserer
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
CA44DBF0-4C60-43D0-BD96-02CB9CC8D7C3.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.
Дополнительная информация
Оценка:Зачет
Дата оценки: 24.02.2012
Рецензия:
Лабораторная работа 6.8 зачтена с замечаниями к выводу из работы.
Грищенко Ирина Валентиновна
Дата оценки: 24.02.2012
Рецензия:
Лабораторная работа 6.8 зачтена с замечаниями к выводу из работы.
Грищенко Ирина Валентиновна
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Другие работы
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача К2 Рисунок 3 Вариант 1
Z24
: 9 ноября 2025
Сложное движение точки
По заданному уравнению вращения φ = f1(t) тела А и уравнению движения s = ОМ = f1(t) точки М относительно тела А определить абсолютную скорость и абсолютное ускорение точки М в момент времени t = t1. Схема к задаче и исходные данные к ней определяются в соответствии с шифром по рис. К2.0–К2.9 и таблице К2. Точка М показана в направлении положительного отсчета координаты s. Положительное направление отсчета угла φ указано стрелкой.
Z24
: 9 ноября 2025
250 руб.
Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 6.10 Вариант З
Z24
: 21 декабря 2025
Жидкость от насоса 1 по трубопроводу поступает к точке К, в которой поток разделяется на два. Один из них направляется к гидромотору 3 и затем сливается в бак, а второй сливается в бак через гидродроссель 2. Определить подачу насоса, создаваемое им давление и потребляемую гидроприводом мощность, если известны преодолеваемый крутящий момент М на валу гидромотора, его рабочий объем Wм и частота nм вращения его вала. При решении учесть потери в трубопроводе от насоса до точки К (длина lт, диаметр d
Z24
: 21 декабря 2025
180 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Спутниковые и радиорелейные системы передачи, Вариант № 01 (все графики и расчеты выполнены без замечаний, на отлично)
Александр495
: 27 апреля 2017
Задание
Задание выполняется в следующем порядке:
1. Определить число пролетов ЦРРЛ, рассчитать их длины, составить структурную схему радиорелейной линии.
2. Привести краткую характеристику используемой аппаратуры.
3. Разработать структурную схему оконечной станции ЦРРЛ.
4. Определить оптимальные высоты подвеса антенн на пролетах ЦРРЛ.
5. Определить нормируемое значение устойчивости связи на ЦРРЛ и сравнить его с расчетной величиной .
6. Рассчитать устойчивость связи с учетом конфигурации системы
Александр495
: 27 апреля 2017
300 руб.
Расчеты по теплообмену УрФУ Задача 6 Вариант 28
Z24
: 3 января 2026
Определить коэффициент конвективного теплообмена при поперечном обтекании потоком воздуха шахматного и коридорного пучка труб. Средняя действительная скорость потока составляет W, температура потока tв, диаметр трубы d.
Z24
: 3 января 2026
150 руб.
