Физика. Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 1
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
01.03.2012
-
Размер:
307 KB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
Teuserer
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
CA44DBF0-4C60-43D0-BD96-02CB9CC8D7C3.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.
Дополнительная информация
Оценка:Зачет
Дата оценки: 24.02.2012
Рецензия:
Лабораторная работа 6.8 зачтена с замечаниями к выводу из работы.
Грищенко Ирина Валентиновна
Дата оценки: 24.02.2012
Рецензия:
Лабораторная работа 6.8 зачтена с замечаниями к выводу из работы.
Грищенко Ирина Валентиновна
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Другие работы
Структуры и алгоритмы. Контрольная работа
Efimenko250793
: 4 февраля 2014
Используя в качестве массива набор из 8 букв своих фамилии, имени, отчества, определить на каждом шаге в методе прямого выбора номера перемещаемых элементов.
Используя в качестве массива набор из 8 букв своих фамилии, имени, отчества, определить на каждом шаге в методе шейкерной сортировки левую и правую границы сортируемой части массива (L и R).
Используя в качестве массива набор из 8 букв своих фамилии, имени, отчества провести 3-сортировку (в методе Шелла).
Используя в качестве массива набор
Efimenko250793
: 4 февраля 2014
100 руб.
Гидравлика Контрольное задание №2 СамГТУ Задача 11 Вариант 4
Z24
: 25 ноября 2025
На входе в насос, перекачивающий жидкость в количестве Q, допустимый вакуум р1вак. Потери во всасывающей линии hп, диаметр D. Определить допустимую высоту всасывания h1.
Z24
: 25 ноября 2025
150 руб.
Программно-целевой метод на муниципальном уровне
Slolka
: 2 ноября 2013
Содержание
Введение
1. Теоретико-методологические основы управления развитием муниципального образования
2. Теоретические аспекты программно-целевого управления развитием муниципальных образований
2.1 Сущность и особенности программно-целевого управления
2.2 Управления развитием Ростовской области на основе программно-целевого метода
Заключение
Список литературы
Введение
С переходом России к рыночной экономике и развитием местного самоуправления российские муниципальные образования полу
Slolka
: 2 ноября 2013
20 руб.
Лабораторная работа №6-7-8 “ Построение сети с примитивной топологией и симуляция в OMNet++” Запись и обработка результатов моделирования в OMNet++
sasush
: 14 сентября 2019
Овладеть основными принципами моделирования беспроводных сетей в среде OMNet++. Научиться работать с NED-редактором в графическом и текстовом режиме для создания топологии телекоммуникационной сети. Освоить компиляцию и запуск симуляции. Научиться описывать поведение OMNet++ модели с помощью C++ кода. Разобраться с конфигураций модели и записью трассировки симуляции.
Освоить типы данных и методов для записи результатов симуляции, а также графический вывод результатов в окне OMNet++.
sasush
: 14 сентября 2019
300 руб.
