Физика. Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 1
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
01.03.2012
-
Размер:
307 KB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
Teuserer
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
CA44DBF0-4C60-43D0-BD96-02CB9CC8D7C3.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.
Дополнительная информация
Оценка:Зачет
Дата оценки: 24.02.2012
Рецензия:
Лабораторная работа 6.8 зачтена с замечаниями к выводу из работы.
Грищенко Ирина Валентиновна
Дата оценки: 24.02.2012
Рецензия:
Лабораторная работа 6.8 зачтена с замечаниями к выводу из работы.
Грищенко Ирина Валентиновна
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Другие работы
Шпаргалки по КПЗС
ostah
: 10 сентября 2013
1. Понятие КПЗС.
2. Источники КПЗС.
3. Конституционно-правовые отношения, субъекты КПЗС.
4. Понятие, сущность, характерные черты конституций зарубежных государств.
5. Виды конституций. Порядок их принятия и изменения.
6. Характерные черты и особенности конституций стран запада, принятых после 1945
7. Понятие и механизм конституционного надзора и контроля.
8. Понятие политической партии, конституционно-правовой статус политической партии.
9. Партийные с
ostah
: 10 сентября 2013
45 руб.
Теплотехника ИрГАУ Задача 4 Вариант 3
Z24
: 22 февраля 2026
Определить площадь поверхности нагрева газоводяного рекуперативного теплообменника, работающего по противоточной схеме. Греющий теплоноситель — дымовые газы с начальной температурой t′г и конечной t″г. Расход воды через теплообменник Gв, начальная температура воды t′в, конечная — t″в. Коэффициент теплоотдачи от газов к стенке трубы αг и от стенки трубы к воде αв. Теплообменник выполнен из стальных труб с наружным диаметром d=70 мм и толщиной стенки δ=2 мм. Коэффициент теплопроводности стали λ=62
Z24
: 22 февраля 2026
250 руб.
СИНЕРГИЯ - Инженерно-техническая поддержка сопровождения информационных систем Тест 100 баллов 2023 год
Synergy2098
: 17 ноября 2023
СИНЕРГИЯ Инженерно-техническая поддержка сопровождения информационных систем
МТИ МосТех МосАП МФПУ Синергия Тест оценка ОТЛИЧНО 2023 год
Задания
1. Агрегация — это
*отношения, утверждает наличие связи между понятиями, не уточняя зависимости их содержания и объемов
*возможность для некоторого класса находиться одновременно в связи с одним элементом из определенного множества классов;
* объединение нескольких понятий в новое понятие, существенные признаки нового понятия при этом могут быть ли
Synergy2098
: 17 ноября 2023
228 руб.
Спутниковые и радиорелейные системы передачи
LenaSibsutis
: 4 февраля 2022
Вариант 59
Задание на контрольную работу:
1. Определить число пролетов
2. Построить профиль пролетов
3. Привести краткую характеристику используемой аппаратуры
4. Рассчитать качественные показатели ЦРРЛ:
LenaSibsutis
: 4 февраля 2022
300 руб.
