Физика. Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 1
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
01.03.2012
-
Размер:
307 KB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
Teuserer
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
CA44DBF0-4C60-43D0-BD96-02CB9CC8D7C3.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.
Дополнительная информация
Оценка:Зачет
Дата оценки: 24.02.2012
Рецензия:
Лабораторная работа 6.8 зачтена с замечаниями к выводу из работы.
Грищенко Ирина Валентиновна
Дата оценки: 24.02.2012
Рецензия:
Лабораторная работа 6.8 зачтена с замечаниями к выводу из работы.
Грищенко Ирина Валентиновна
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Другие работы
Гидромеханика: Сборник задач и контрольных заданий УГГУ Задача 2.20 Вариант б
Z24
: 4 октября 2025
Закрытый резервуар, заполненный водой, находится под давлением. В резервуаре донное круглое отверстие диаметром d закрывается крышкой D, закрепленной шарниром в точке A (рис. 2.20).
Определить вертикальную силу F, удерживающую крышку в закрытом положении, если масса крышки М. Показание манометра на расстоянии h от дна рман.
Z24
: 4 октября 2025
200 руб.
Термодинамика и теплопередача. Основы теплопередачи ОмГУПС Задача 5 Вариант 0
Z24
: 19 февраля 2026
Определить потерю теплоты путем конвекции при продольном обдувании гладкой плиты воздухом со скоростью ω. Плита имеет ширину 1 м и длину 1,5 м. Температура поверхности трубы tст и температура воздуха tж = 20ºС.
Z24
: 19 февраля 2026
150 руб.
Экзамен по дисциплине: Математический анализ. Билет №4
Елена22
: 29 октября 2013
Экзамен по дисциплине: Математический анализ. Билет №4
1. Определенный интеграл: определения и свойства.
2. Производная сложной функции. Производная обратной функции.
3. Найти асимптоты кривой
4. Найти экстремумы функции
5. Найти интеграл
6. Вычислить интеграл
7. Исследовать сходимость интеграла
8. Найти площадь фигуры, ограниченной линиями
см. скриншот
Елена22
: 29 октября 2013
650 руб.
ИГ.03.04.01 - Призма с вырезом
Чертежи СибГАУ им. Решетнева
: 28 июля 2023
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16
Вариант 4
ИГ.03.04.01 - Призма с вырезом
Построить три проекции геометрического тела. Показать линии невидимого контура.
В состав работы входят пять файлов:
- 3D модель геометрического тела, расширение файла *.m3d (для открытия требуется программа компас не ниже 16 версии);
- чертеж формата А3 в трёх видах с сохранением всех линий построения, все проекции вершин призмы обозначены буквами, вершин выреза - цифрами, расширение файла *.cdw (для открытия тре
Чертежи СибГАУ им. Решетнева
: 28 июля 2023
100 руб.
