Лабораторная работа № 1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант № 5
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №1
по дисциплине: Физические основы электроники
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученным графикам рассчитаны дифференциальные сопротивления диодов при прямом и обратном включениях.
При исследовании стабилитрона Д814А на полученной обратной ветви характеристики видим, что при достаточно большом диапазоне изменения тока стабилитрона напряжение на нем остается почти постоянным.
При исследовании однополупериодного выпрямителя по осциллограммам видим, что полуволна отрицательного напряжения практически полностью гасится диодом, и на выходе мы получаем только положительное напряжение.
по дисциплине: Физические основы электроники
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученным графикам рассчитаны дифференциальные сопротивления диодов при прямом и обратном включениях.
При исследовании стабилитрона Д814А на полученной обратной ветви характеристики видим, что при достаточно большом диапазоне изменения тока стабилитрона напряжение на нем остается почти постоянным.
При исследовании однополупериодного выпрямителя по осциллограммам видим, что полуволна отрицательного напряжения практически полностью гасится диодом, и на выходе мы получаем только положительное напряжение.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.04.2011
Рецензия:Уважаемый работа выполнена полностью
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.04.2011
Рецензия:Уважаемый работа выполнена полностью
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические Основы Электроники
ZhmurovaUlia
: 20 ноября 2016
Лабораторная работа №1
По дисциплине: Физические Основы Электроники
130 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: "Физические основы электроники"
wowan1190
: 3 декабря 2013
Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
70 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Лабораторная работа 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок
100 руб.
Лабораторная работа №1. По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
Колька
: 1 марта 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИСТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ.
1. Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Обратное включение.
Рис. 3. Схема обратного включения
Таблица 2
Uобр, В
Iобр, мкА
Для определения дифференциального сопротивления диода при обратном включении на рисунке
3. Исследование стабилитрона Д814А
На Рис. * приведена схема
50 руб.
Лабораторные работы № № 1-2 по дисциплине: Физические основы электроники
JuliaRass
: 23 января 2013
Лаб. работа №1.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включен
150 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 5
Ershic
: 30 июня 2018
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI ,
100 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники. Вариант №5
student-sibguti
: 27 октября 2015
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллекто
200 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники. Вариант № 5
albanec174
: 13 декабря 2012
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистор, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
1) построить линию нагрузки;
2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
3) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI ,
80 руб.
Другие работы
Электроника. Вариант №06
Alexbur1971
: 8 декабря 2021
Курсовая работа:
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО АНАЛОГОВОГО УСТРОЙСТВА
Цель работы
1. Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов
2. Осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов.
3. Производить электрический расчет схем простейших аналоговых устройств.
4. Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем.
Номер варианта определяется двумя последними цифрами пароля. Варианты зада
300 руб.
Проблема наркомании
evelin
: 9 сентября 2013
аркомания – это социально опасное психическое заболевание, в основе которого неудержимое стремление индивида к искусственной стимуляции особых «зон комфорта» в ЦНС.
Наркоманы считают своим богом Аристиппа – ученика Сократа, создавшего учение под названием «гедонизм». Философия современных поклонников Аристиппа такова: «Человек руководствуется в своих действиях только личными интересами…» И еще: «Если медицина придумала лекарства для того, чтобы избавить человека от физической боли, то почему не
Теоретическая механика ДВГУПС 2014 Задача С2 Рисунок 8 Номер условия 5
Z24
: 25 августа 2026
Жесткая рама, расположенная в вертикальной плоскости (рис. С2.0–С2.9, табл. С2), закреплена в точке А шарнирно, а в точке В прикреплена к невесомому стержню с шарнирами на концах или к шарнирной опоре на катках.
В точке С к раме привязан трос, перекинутый через блок и несущий на конце груз весом Р = 25 кН. На раму действуют пара сил с моментом М = 100 кН⸱м и две силы, значения, направления и точки приложения которых указаны в табл. С2. При окончательных расчетах принять а = 0,5 м.
Определи
200 руб.
Элементы планиметрии
alfFRED
: 12 августа 2013
Цель предлагаемого задания – повторить материал по планиметрии для дальнейшего его использования при решении задач по стереометрии, а также применения при решении олимпиадных задач.
Предлагаемая разработка состоит из двух блоков. В первом изложены основные геометрические конструкции и связанные с ними факты; основные вычислительные формулы и замечательные теоремы, связанные с геометрией треугольника.
Во втором блоке собраны задачи. Начинается этот блок с опорных задач, которые нужно обязательно
10 руб.