Лабораторная работа № 1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант № 5

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 808E5581-03FD-4017-A8FD-F50C79FEF897.zip [445 KB]
material.view.file_icon ФОС1.doc [5 MB]

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа №1
по дисциплине: Физические основы электроники
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Выводы по работе

В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученным графикам рассчитаны дифференциальные сопротивления диодов при прямом и обратном включениях.
При исследовании стабилитрона Д814А на полученной обратной ветви характеристики видим, что при достаточно большом диапазоне изменения тока стабилитрона напряжение на нем остается почти постоянным.
При исследовании однополупериодного выпрямителя по осциллограммам видим, что полуволна отрицательного напряжения практически полностью гасится диодом, и на выходе мы получаем только положительное напряжение.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.04.2011
Рецензия:Уважаемый работа выполнена полностью

Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические Основы Электроники
Лабораторная работа №1 По дисциплине: Физические Основы Электроники
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ZhmurovaUlia : 20 ноября 2016
130 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические Основы Электроники
Лабораторная работа №1 по дисциплине: "Физические основы электроники"
Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User wowan1190 : 3 декабря 2013
70 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Лабораторная работа 1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом. 1 Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2 Подготовка к работе 3 Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Alexbur1971 : 9 декабря 2021
100 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Лабораторная работа №1. По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИСТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. 1. Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Обратное включение. Рис. 3. Схема обратного включения Таблица 2 Uобр, В Iобр, мкА Для определения дифференциального сопротивления диода при обратном включении на рисунке 3. Исследование стабилитрона Д814А На Рис. * приведена схема
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Колька : 1 марта 2017
50 руб.
Лабораторные работы № № 1-2 по дисциплине: Физические основы электроники
Лаб. работа №1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включен
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User JuliaRass : 23 января 2013
150 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 5
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI ,
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Ershic : 30 июня 2018
100 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 5
Контрольная работа. Физические основы электроники. Вариант №5
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллекто
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User student-sibguti : 27 октября 2015
200 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники. Вариант № 5
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистор, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: 1) построить линию нагрузки; 2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; 3) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI ,
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User albanec174 : 13 декабря 2012
80 руб.

Другие работы

Теоретическая механика ДВГУПС 2014 Задача С2 Рисунок 0 Номер условия 7
Жесткая рама, расположенная в вертикальной плоскости (рис. С2.0–С2.9, табл. С2), закреплена в точке А шарнирно, а в точке В прикреплена к невесомому стержню с шарнирами на концах или к шарнирной опоре на катках. В точке С к раме привязан трос, перекинутый через блок и несущий на конце груз весом Р = 25 кН. На раму действуют пара сил с моментом М = 100 кН⸱м и две силы, значения, направления и точки приложения которых указаны в табл. С2. При окончательных расчетах принять а = 0,5 м. Определи
Задачи Теоретическая механика
User Z24 : 14 августа 2026
275 руб.
Теоретическая механика ДВГУПС 2014 Задача С2 Рисунок 0 Номер условия 7
Инженерная графика. Задание №1. Вариант №27. Задача №3. Пластина
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16. Боголюбов С.К. (1978г.) Задания по курсу черчения Задание №1. Вариант №27. Задача №3. Пластина Заменить вид спереди разрезом А-А. В состав работы входят 3 файла: - 3D модель детали - ассоциативный чертеж с необходимыми разрезами, выполненный по этой модели - аналогичный обычный чертеж Все работы выполнены в программе Компас 3D 16 версии, для открытия этих файлов нужен компас не ниже этой версии. Либо если вам достаточен просмотр файлов, без заполнен
Чертежи Инженерная графика
User Чертежи : 28 декабря 2022
80 руб.
Инженерная графика. Задание №1. Вариант №27. Задача №3. Пластина
Гидравлика и гидропневмопривод СамГУПС Задача 4 Вариант 2
Вертикальный цилиндрический резервуар высотой Н и диаметром D закрывается полусферической крышкой, сообщающейся с атмосферой через трубу внутренним диаметром d (рис. 4). Резервуар заполнен мазутом, плотность которого ρ = 900 кг/м³. Исходные данные см. табл. 4. Требуется определить: 1 Высоту поднятия мазута h в трубе при повышении температуры на t, ºC. 2 Усилие, отрывающее крышку резервуара при подъеме мазута на высоту h за счет его разогрева. Коэффициент температурного расширени
Задачи Гидравлика
User Z24 : 22 октября 2025
180 руб.
Гидравлика и гидропневмопривод СамГУПС Задача 4 Вариант 2
Клапан - БГТУ.019.000.000 СБ
БГТУ.019.000.000 СБ. Клапан. Сборочный чертеж. Спецификация. Деталировка. Чертежи Клапан применяется для недопущения изменения направления потока среды в технологической системе. Он пропускают среду в одном направлении и предотвращают её движение в противоположном, действуя при этом автоматически. Клапан 4 установлен в корпусе 5, соединенным на вход и выход жидкости. Механизм возвращения клапана в первоначальное положение, состоящий из пружин 7 и 8, толкателя клапана 16 расположены под кры
Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User .Инженер. : 14 июля 2026
650 руб.
Клапан - БГТУ.019.000.000 СБ promo
up Наверх