Адаптивный микроэлектронный сенсор поглощаемой мощности излучений

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1.  Проблемы и задачи разработки сенсоров поглощаемой мощности излучения
1.1.  Современное состояние и основные направления развития сенсоров поглощаемой мощности излучений
1.1.1.  Анализ методов, на которых основывается работа современных СПМИ
1.1.2.  Тепловые методы измерения поглощаемой мощности излучений
1.1.3.  Современные требования к сенсорам и перспективы их раелизации
1.2.  Особенности измерения поглощаемой мощности в инфракрасном диапазоне длин волн
1.3.  Обоснование и постановка задачи исследования
2.  Модельные исследования комбинированной транзисторной структуры
2.1.  Особенности моделирования КТС
2.2.  Идентификация входных данных для моделирования КТС
2.3.  Моделирование электрических характеристик КТС
2.4.  Анализ результатов моделирования
3.  Построение, свойства и основы функционирования СПМИ
3.1.  Особенности электро-физических процессов в СПМИ
3.2.  Конструкторско-технологические варианты решения СПМИ
3.3.  Способы измерения поглощаемой мощности с использование СПМИ на основе КТС
4.  Физические исследования СПМИ
4.1.  Макетирование КТС.
4.2.  Анализ физических процессов в СПМИ
4.3.  Моделирование СПМИ
4.4.  Макетирование СПМИ
4.5.  Построение эмпирической модели электрических характеристик СПМИ
5.  Сравнение результатов модельных и физических исследований СПМИ
6.  Адаптивный интегральный сенсор поглощаемой мощности ИК-излучения
Выводы
Приложение 1
Приложение 2

1. Молекулярная физика. Виды распределений. Начала термодинамики. Межмолекулярное взаимодействие в газах и жидкостях. Процессы переноса в жидкостях и газах. Квантово-механическое описание атомных систем. Атом водорода. Многоэлектронные атомы. Строение и свойства молекул. Квантовые свойства твердых тел. Элементарные процессы в газах и плазме. Лазерная спектроскопия и ее применение в атомной физике.
2. Поверхность полупроводников. Характеристика поверхностных состояний. Поверхностные явления. Адсорбция. Теория адсорбционных процессов Ленгмюра. Вероятностный подход к кинетике адсорбции. Плотность поверхностных состояний. Искривление энергитических зон в приповерхностной области. Поверхностная проводимость.
3. Процессы реального кристаллообразования. Термодинамика зародышеобразования. Слоисто-ступеньчатый рост. Движение эшелона ступеней. Линейный и параболический законы роста. Рост на дислокациях. Срыв механизма слоисто- ступеньчатого роста. Эпитаксиальный рост.
4. Стеклообразные, некристаллические и аморфные твердые тела. Классифика-ция. Структура и состав. Влияние разупорядочивания. Плотность состояний. Явления переноса. Области применения : солнечные элементы, оптоэлектронные устройства, тонкопленочные транзисторы, электрические переключатели, устройства оптической памяти.
5. Поликристаллические полупроводниковые материалы. Границы между зер-нами. Процессы переноса в поликристаллических структурах. Электропроводность. Оптические явления в поликристаллических пленках. Применение поликристаллических пленок полупроводников.
6. Высокотемпературная сверхпроводимость. Новые классы высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Модели сверхпроводимости высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Структура и свойства высокотемпературных керамических сверхпроводников. Применение высокотемпературной сверхпроводимости.