Адаптивный микроэлектронный сенсор поглощаемой мощности излучений
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Проблемы и задачи разработки сенсоров поглощаемой мощности излучения
1.1. Современное состояние и основные направления развития сенсоров поглощаемой мощности излучений
1.1.1. Анализ методов, на которых основывается работа современных СПМИ
1.1.2. Тепловые методы измерения поглощаемой мощности излучений
1.1.3. Современные требования к сенсорам и перспективы их раелизации
1.2. Особенности измерения поглощаемой мощности в инфракрасном диапазоне длин волн
1.3. Обоснование и постановка задачи исследования
2. Модельные исследования комбинированной транзисторной структуры
2.1. Особенности моделирования КТС
2.2. Идентификация входных данных для моделирования КТС
2.3. Моделирование электрических характеристик КТС
2.4. Анализ результатов моделирования
3. Построение, свойства и основы функционирования СПМИ
3.1. Особенности электро-физических процессов в СПМИ
3.2. Конструкторско-технологические варианты решения СПМИ
3.3. Способы измерения поглощаемой мощности с использование СПМИ на основе КТС
4. Физические исследования СПМИ
4.1. Макетирование КТС.
4.2. Анализ физических процессов в СПМИ
4.3. Моделирование СПМИ
4.4. Макетирование СПМИ
4.5. Построение эмпирической модели электрических характеристик СПМИ
5. Сравнение результатов модельных и физических исследований СПМИ
6. Адаптивный интегральный сенсор поглощаемой мощности ИК-излучения
Выводы
Приложение 1
Приложение 2
1. Молекулярная физика. Виды распределений. Начала термодинамики. Межмолекулярное взаимодействие в газах и жидкостях. Процессы переноса в жидкостях и газах. Квантово-механическое описание атомных систем. Атом водорода. Многоэлектронные атомы. Строение и свойства молекул. Квантовые свойства твердых тел. Элементарные процессы в газах и плазме. Лазерная спектроскопия и ее применение в атомной физике.
2. Поверхность полупроводников. Характеристика поверхностных состояний. Поверхностные явления. Адсорбция. Теория адсорбционных процессов Ленгмюра. Вероятностный подход к кинетике адсорбции. Плотность поверхностных состояний. Искривление энергитических зон в приповерхностной области. Поверхностная проводимость.
3. Процессы реального кристаллообразования. Термодинамика зародышеобразования. Слоисто-ступеньчатый рост. Движение эшелона ступеней. Линейный и параболический законы роста. Рост на дислокациях. Срыв механизма слоисто- ступеньчатого роста. Эпитаксиальный рост.
4. Стеклообразные, некристаллические и аморфные твердые тела. Классифика-ция. Структура и состав. Влияние разупорядочивания. Плотность состояний. Явления переноса. Области применения : солнечные элементы, оптоэлектронные устройства, тонкопленочные транзисторы, электрические переключатели, устройства оптической памяти.
5. Поликристаллические полупроводниковые материалы. Границы между зер-нами. Процессы переноса в поликристаллических структурах. Электропроводность. Оптические явления в поликристаллических пленках. Применение поликристаллических пленок полупроводников.
6. Высокотемпературная сверхпроводимость. Новые классы высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Модели сверхпроводимости высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Структура и свойства высокотемпературных керамических сверхпроводников. Применение высокотемпературной сверхпроводимости.
Введение
1. Проблемы и задачи разработки сенсоров поглощаемой мощности излучения
1.1. Современное состояние и основные направления развития сенсоров поглощаемой мощности излучений
1.1.1. Анализ методов, на которых основывается работа современных СПМИ
1.1.2. Тепловые методы измерения поглощаемой мощности излучений
1.1.3. Современные требования к сенсорам и перспективы их раелизации
1.2. Особенности измерения поглощаемой мощности в инфракрасном диапазоне длин волн
1.3. Обоснование и постановка задачи исследования
2. Модельные исследования комбинированной транзисторной структуры
2.1. Особенности моделирования КТС
2.2. Идентификация входных данных для моделирования КТС
2.3. Моделирование электрических характеристик КТС
2.4. Анализ результатов моделирования
3. Построение, свойства и основы функционирования СПМИ
3.1. Особенности электро-физических процессов в СПМИ
3.2. Конструкторско-технологические варианты решения СПМИ
3.3. Способы измерения поглощаемой мощности с использование СПМИ на основе КТС
4. Физические исследования СПМИ
4.1. Макетирование КТС.
4.2. Анализ физических процессов в СПМИ
4.3. Моделирование СПМИ
4.4. Макетирование СПМИ
4.5. Построение эмпирической модели электрических характеристик СПМИ
5. Сравнение результатов модельных и физических исследований СПМИ
6. Адаптивный интегральный сенсор поглощаемой мощности ИК-излучения
Выводы
Приложение 1
Приложение 2
1. Молекулярная физика. Виды распределений. Начала термодинамики. Межмолекулярное взаимодействие в газах и жидкостях. Процессы переноса в жидкостях и газах. Квантово-механическое описание атомных систем. Атом водорода. Многоэлектронные атомы. Строение и свойства молекул. Квантовые свойства твердых тел. Элементарные процессы в газах и плазме. Лазерная спектроскопия и ее применение в атомной физике.
2. Поверхность полупроводников. Характеристика поверхностных состояний. Поверхностные явления. Адсорбция. Теория адсорбционных процессов Ленгмюра. Вероятностный подход к кинетике адсорбции. Плотность поверхностных состояний. Искривление энергитических зон в приповерхностной области. Поверхностная проводимость.
3. Процессы реального кристаллообразования. Термодинамика зародышеобразования. Слоисто-ступеньчатый рост. Движение эшелона ступеней. Линейный и параболический законы роста. Рост на дислокациях. Срыв механизма слоисто- ступеньчатого роста. Эпитаксиальный рост.
4. Стеклообразные, некристаллические и аморфные твердые тела. Классифика-ция. Структура и состав. Влияние разупорядочивания. Плотность состояний. Явления переноса. Области применения : солнечные элементы, оптоэлектронные устройства, тонкопленочные транзисторы, электрические переключатели, устройства оптической памяти.
5. Поликристаллические полупроводниковые материалы. Границы между зер-нами. Процессы переноса в поликристаллических структурах. Электропроводность. Оптические явления в поликристаллических пленках. Применение поликристаллических пленок полупроводников.
6. Высокотемпературная сверхпроводимость. Новые классы высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Модели сверхпроводимости высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Структура и свойства высокотемпературных керамических сверхпроводников. Применение высокотемпературной сверхпроводимости.
Другие работы
Ступенчатый разрез. Вариант 9 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 11 августа 2023
Ступенчатый разрез. Вариант 9
Вместо главного вида вычертить ступенчатый разрез детали, проставить размеры.
Чертеж + 3Д + PDF (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С. Отвечу и помогу.
100 руб.
Политэкономия в системе экономических наук
Slolka
: 2 ноября 2013
План. 2
Введение. 3
1. Главные направления современной экономической мысли. 4
2. Политэкономия: предмет и специфика, методология. 12
2.1. Предмет политэкономии. 13
3. Взаимосвязь экономической теории с другими науками. Экономическая политика 20
4. Методология и специфика экономической теории. Экономические категории и законы 23
5. Краткая характеристика российской экономической мысли. 31
Заключение. 39
Список литературы.. 40
Введение
Некоторые экономисты считают излишним обращаться
5 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика и теплопередача ТОГУ Задача 5 Вариант 72
Z24
: 14 января 2026
Определить потерю теплоты одним погонным метром стального паропровода с наружным диаметром 100 мм в результате лучистого теплообмена. Паропровод расположен в кирпичном канале, имеющем поперечное сечение 300×300 мм. Температуру наружной поверхности паропровода t1 и внутренней поверхности стенок канала t2 принять из табл. 3. Степень черноты окисленной стали и красного кирпича см. в. приложении 1.
В конце задачи следует ответить письменно на следующие вопросы:
1. Что называется степенью черно
180 руб.
Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 5.7 Вариант В
Z24
: 20 декабря 2025
Роторный насос с рабочим объемом Wо подает жидкость из гидробака в гидросистему. Пренебрегая потерями во всасывающем трубопроводе и высотой расположения насоса по отношению к уровню жидкости в баке (h = 0), определить подачу насоса, полезную и потребляемую мощности.
Дано: частота вращения вала насоса n, показание манометра pн, установленного на выходе насоса, объемный кпд ηо = 0,95 и полный кпд η = 0,9 насоса при этом давлении. (Величины Wо, n и pн взять из таблицы).
150 руб.