Адаптивный микроэлектронный сенсор поглощаемой мощности излучений
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Проблемы и задачи разработки сенсоров поглощаемой мощности излучения
1.1. Современное состояние и основные направления развития сенсоров поглощаемой мощности излучений
1.1.1. Анализ методов, на которых основывается работа современных СПМИ
1.1.2. Тепловые методы измерения поглощаемой мощности излучений
1.1.3. Современные требования к сенсорам и перспективы их раелизации
1.2. Особенности измерения поглощаемой мощности в инфракрасном диапазоне длин волн
1.3. Обоснование и постановка задачи исследования
2. Модельные исследования комбинированной транзисторной структуры
2.1. Особенности моделирования КТС
2.2. Идентификация входных данных для моделирования КТС
2.3. Моделирование электрических характеристик КТС
2.4. Анализ результатов моделирования
3. Построение, свойства и основы функционирования СПМИ
3.1. Особенности электро-физических процессов в СПМИ
3.2. Конструкторско-технологические варианты решения СПМИ
3.3. Способы измерения поглощаемой мощности с использование СПМИ на основе КТС
4. Физические исследования СПМИ
4.1. Макетирование КТС.
4.2. Анализ физических процессов в СПМИ
4.3. Моделирование СПМИ
4.4. Макетирование СПМИ
4.5. Построение эмпирической модели электрических характеристик СПМИ
5. Сравнение результатов модельных и физических исследований СПМИ
6. Адаптивный интегральный сенсор поглощаемой мощности ИК-излучения
Выводы
Приложение 1
Приложение 2
1. Молекулярная физика. Виды распределений. Начала термодинамики. Межмолекулярное взаимодействие в газах и жидкостях. Процессы переноса в жидкостях и газах. Квантово-механическое описание атомных систем. Атом водорода. Многоэлектронные атомы. Строение и свойства молекул. Квантовые свойства твердых тел. Элементарные процессы в газах и плазме. Лазерная спектроскопия и ее применение в атомной физике.
2. Поверхность полупроводников. Характеристика поверхностных состояний. Поверхностные явления. Адсорбция. Теория адсорбционных процессов Ленгмюра. Вероятностный подход к кинетике адсорбции. Плотность поверхностных состояний. Искривление энергитических зон в приповерхностной области. Поверхностная проводимость.
3. Процессы реального кристаллообразования. Термодинамика зародышеобразования. Слоисто-ступеньчатый рост. Движение эшелона ступеней. Линейный и параболический законы роста. Рост на дислокациях. Срыв механизма слоисто- ступеньчатого роста. Эпитаксиальный рост.
4. Стеклообразные, некристаллические и аморфные твердые тела. Классифика-ция. Структура и состав. Влияние разупорядочивания. Плотность состояний. Явления переноса. Области применения : солнечные элементы, оптоэлектронные устройства, тонкопленочные транзисторы, электрические переключатели, устройства оптической памяти.
5. Поликристаллические полупроводниковые материалы. Границы между зер-нами. Процессы переноса в поликристаллических структурах. Электропроводность. Оптические явления в поликристаллических пленках. Применение поликристаллических пленок полупроводников.
6. Высокотемпературная сверхпроводимость. Новые классы высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Модели сверхпроводимости высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Структура и свойства высокотемпературных керамических сверхпроводников. Применение высокотемпературной сверхпроводимости.
Введение
1. Проблемы и задачи разработки сенсоров поглощаемой мощности излучения
1.1. Современное состояние и основные направления развития сенсоров поглощаемой мощности излучений
1.1.1. Анализ методов, на которых основывается работа современных СПМИ
1.1.2. Тепловые методы измерения поглощаемой мощности излучений
1.1.3. Современные требования к сенсорам и перспективы их раелизации
1.2. Особенности измерения поглощаемой мощности в инфракрасном диапазоне длин волн
1.3. Обоснование и постановка задачи исследования
2. Модельные исследования комбинированной транзисторной структуры
2.1. Особенности моделирования КТС
2.2. Идентификация входных данных для моделирования КТС
2.3. Моделирование электрических характеристик КТС
2.4. Анализ результатов моделирования
3. Построение, свойства и основы функционирования СПМИ
3.1. Особенности электро-физических процессов в СПМИ
3.2. Конструкторско-технологические варианты решения СПМИ
3.3. Способы измерения поглощаемой мощности с использование СПМИ на основе КТС
4. Физические исследования СПМИ
4.1. Макетирование КТС.
4.2. Анализ физических процессов в СПМИ
4.3. Моделирование СПМИ
4.4. Макетирование СПМИ
4.5. Построение эмпирической модели электрических характеристик СПМИ
5. Сравнение результатов модельных и физических исследований СПМИ
6. Адаптивный интегральный сенсор поглощаемой мощности ИК-излучения
Выводы
Приложение 1
Приложение 2
1. Молекулярная физика. Виды распределений. Начала термодинамики. Межмолекулярное взаимодействие в газах и жидкостях. Процессы переноса в жидкостях и газах. Квантово-механическое описание атомных систем. Атом водорода. Многоэлектронные атомы. Строение и свойства молекул. Квантовые свойства твердых тел. Элементарные процессы в газах и плазме. Лазерная спектроскопия и ее применение в атомной физике.
2. Поверхность полупроводников. Характеристика поверхностных состояний. Поверхностные явления. Адсорбция. Теория адсорбционных процессов Ленгмюра. Вероятностный подход к кинетике адсорбции. Плотность поверхностных состояний. Искривление энергитических зон в приповерхностной области. Поверхностная проводимость.
3. Процессы реального кристаллообразования. Термодинамика зародышеобразования. Слоисто-ступеньчатый рост. Движение эшелона ступеней. Линейный и параболический законы роста. Рост на дислокациях. Срыв механизма слоисто- ступеньчатого роста. Эпитаксиальный рост.
4. Стеклообразные, некристаллические и аморфные твердые тела. Классифика-ция. Структура и состав. Влияние разупорядочивания. Плотность состояний. Явления переноса. Области применения : солнечные элементы, оптоэлектронные устройства, тонкопленочные транзисторы, электрические переключатели, устройства оптической памяти.
5. Поликристаллические полупроводниковые материалы. Границы между зер-нами. Процессы переноса в поликристаллических структурах. Электропроводность. Оптические явления в поликристаллических пленках. Применение поликристаллических пленок полупроводников.
6. Высокотемпературная сверхпроводимость. Новые классы высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Модели сверхпроводимости высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Структура и свойства высокотемпературных керамических сверхпроводников. Применение высокотемпературной сверхпроводимости.
Другие работы
Проблемы трудоустройства молодежи в России
OstVER
: 18 сентября 2012
Настоящая работа посвящена исследованию проблемы трудоустройства молодежи в России.
Цель работы – определить основные аспекты данной проблемы в современной России.
Работа состоит из введения, двух глав, заключения и библиографии.
Во введении анализируется актуальность исследуемой темы, дается обзор литературы, определяется предмет и объект исследования, формулируются цели и задачи исследования.
В первой главе рассматривается социально-экономический контекст проблемы трудоустройства молодежи. С
50 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 14 Вариант 89
Z24
: 24 февраля 2026
Выполнить тепловой расчет пароводяного кожухотрубного теплообменника, предназначенного для нагрева G1, т/ч воды от температуры t′в=10 ºС до t″в. Вода движется внутри латунных трубок диаметром dн/dвн=17/14; коэффициент теплопроводности латуни λ=85 Вт/(м·К). Греющий теплоноситель – сухой насыщенный пар давлением р движется в межтрубном пространстве. Скорость движения воды ω принять 1…2,5 м/c.
250 руб.
Свинец как источник загрязнения
ostah
: 17 марта 2013
Впервые широкое применение свинец получил при изготовлении водопроводных труб. Один из наиболее мягких металлов, хорошо прокатывающийся в листы, свинец уже в древности использовался для устройства водопроводных труб.
Трубы римского водопровода, выстроенного рабами, были свинцовыми. Очевидно, поэтому такой короткой и была средняя продолжительность жизни римлян. Все растворимые соединения свинца являются ядовитыми. На устойчивость свинца к воде оказывает большое влияние содержащийся в ней углекисл
10 руб.
Беспроводные технологии передачи данных (ДВ 1.2) Лабораторная работа 1. Вариант 3
Romashka23
: 21 октября 2022
АУТЕНТИФИКАЦИЯ И ШИФРОВАНИЕ В GSM
KI = 8749 8496 49DF A803 F278 1C87 D87B B503,
150 руб.