Лабораторная 4 Физика (спецглавы). Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
07.07.2012
-
Размер:
122 KB
-
Покупок:
8
-
Добавил:
verunchik
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Физика (спецглавы) Л4.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Устанавливаем силу тока через образец 8,6 мА.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Устанавливаем силу тока через образец 8,6 мА.
Дополнительная информация
Лабораторная работа 6.8 выполнена верно. Зачтена.
Грищенко Ирина Валентиновна
Расчеты проводились самостоятельно. Вариант 8.
весна 2012
Грищенко Ирина Валентиновна
Расчеты проводились самостоятельно. Вариант 8.
весна 2012
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №2. Направляющие системы электросвязи. Исследование дисперсионных искажений импульсов в оптическом волокне. Вариант №11
Teuserer
: 25 мая 2016
Целью работы является проведение компьютерного эксперимента по исследованию влияния составляющих дисперсии на временные параметры передаваемых оптических импульсов:
- модовой дисперсии ступенчатых оптических волокон;
- модовой дисперсии градиентных оптических волокон;
- материальной составляющей хроматической дисперсии;
- волноводной составляющей хроматической дисперсии;
- профильной составляющей хроматической дисперсии;
- хроматической дисперсии оптического волокна;
- результирующей дисперсии о
Teuserer
: 25 мая 2016
50 руб.
Программно-аппаратные средства обеспечения информационной безопасности Контрольная работа 8 вариант СибГУТИ
ilya22ru
: 19 октября 2025
Таблица 1.1 – Примерный вид таблицы сравнительного анализа средств защиты информации.
Наименование средства защиты
Компания производитель
(адрес, сайт)
Характеристики
Наличие сертификатов ФСТЭК, ФСБ и др.
Стоимость, руб./шт.8
Использование систем обнаружения/предотвращения вторжений на предприятии.
Количество компьютеров: N = 157;
Количество серверов: M = 6.
ilya22ru
: 19 октября 2025
120 руб.
Гидравлика и нефтегазовая гидромеханика ТОГУ Задача 31 Вариант 3
Z24
: 28 ноября 2025
Из отверстия d в тонкой стенке резервуара (рис.27) вытекает вода, имеющая температуру t, ºC. Отверстие расположено на высоте h над поверхностью земли. Постоянный напор воды в резервуаре H. Определить расход и скорость истечения, а также расстояние x, на котором струя коснется поверхности земли.
Z24
: 28 ноября 2025
150 руб.
Эскизный проект автоматической линии механической обработки детали «Стакан»
superassa
: 14 мая 2010
Содержание
Введение
1. Технические требования к детали
2. Технологичность конструкции детали с точки зрения обработки на автоматической линии
2.1. Количественная оценка технологичности в механообрабатывающем производстве
2.2 Качественная оценка технологичности в механообрабатывающем производстве
3. Выбор вида заготовки
4. Определение потребного такта выпуска автоматической линии
5. Разработка технологического процесса обработки детали
6. Синхронизация операций технологического процесса. Оп
superassa
: 14 мая 2010
15 руб.
