Лабораторная 4 Физика (спецглавы). Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
07.07.2012
-
Размер:
122 KB
-
Покупок:
8
-
Добавил:
verunchik
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Физика (спецглавы) Л4.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Устанавливаем силу тока через образец 8,6 мА.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Устанавливаем силу тока через образец 8,6 мА.
Дополнительная информация
Лабораторная работа 6.8 выполнена верно. Зачтена.
Грищенко Ирина Валентиновна
Расчеты проводились самостоятельно. Вариант 8.
весна 2012
Грищенко Ирина Валентиновна
Расчеты проводились самостоятельно. Вариант 8.
весна 2012
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Термодинамика и теплопередача МИИТ 2013 Задача 5 Вариант 7
Z24
: 28 декабря 2025
В процессе политропного сжатия воздуха G, кг/c, в одноступенчатом поршневом компрессоре отводится теплота в количестве Q, кДж/c. При сжатии от начального абсолютного давления 0,1 МПа температура воздуха возрастает от 15ºС до t2. Определить показатель политропы процесса сжатия, конечное давление, затраченную работу, а также изменение в процессе удельной энтропии газа.
Z24
: 28 декабря 2025
150 руб.
Товароведение
SerFACE
: 28 января 2013
1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТОВАРОВЕДЕНИЯ
1.1. Сущность и задачи товароведения.
Товароведение как научная дисциплина. Связь товароведения с другими техническими научными дисциплинами. История товароведения. Задачи товароведения.
1.2. Основные понятия о технических материалах как основе непродовольственных товаров
Металлы, керамика и полимеры. Кристаллические и аморфные материалы. Химические, физические и механические свойства материалов. Обратимые и необратимые деформации. Процессы релаксации в м
SerFACE
: 28 января 2013
15 руб.
Криминалистика. Итоговый тест + промежуточные. Ответы Синергия.
Nogav
: 22 ноября 2022
1. … анализ основан на том, что атом любого химического элемента имеет определенную структуру, которая обладает индивидуальным набором излучений – спектром с определенной длиной волн; применяется при исследовании следов пыли, грязи, масел, красителей, ядохимикатов, материалов документов, металлических пломб, следов выстрела и др.
2. В зависимости от характера следообразования следы делят на …
• локальные и периферические
• объемные и динамичные
• объемные и поверхностные
• поверхностные и пери
Nogav
: 22 ноября 2022
260 руб.
Особенности учебных интересов младших школьников
Slolka
: 14 октября 2013
При современном уровне научного знания вся созидательная деятельность людей опирается на знание закономерностей тех явлений и процессов, которыми человек стремиться овладеть и управлять в соответствии с поставленными задачами. Чтобы систематически и целеустремленно формировать человека, необходимо знать законы этого формирования опираться на них в своей работе.
Детская психология - отрасль психологической науки, изучающая факты и закономерности психологического развития ребенка в разные возраст
Slolka
: 14 октября 2013
5 руб.
