Лабораторная 4 Физика (спецглавы). Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
07.07.2012
-
Размер:
122 KB
-
Покупок:
8
-
Добавил:
verunchik
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Физика (спецглавы) Л4.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Устанавливаем силу тока через образец 8,6 мА.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Устанавливаем силу тока через образец 8,6 мА.
Дополнительная информация
Лабораторная работа 6.8 выполнена верно. Зачтена.
Грищенко Ирина Валентиновна
Расчеты проводились самостоятельно. Вариант 8.
весна 2012
Грищенко Ирина Валентиновна
Расчеты проводились самостоятельно. Вариант 8.
весна 2012
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Эйлеровы и гамильтоновы графы
alfFRED
: 30 сентября 2013
Содержание 2
Введение 4
Глава 1. Эйлеровы циклы 4
§1. Основные понятия и определения 5
§2. Критерий существования эйлерова цикла 5
§3. Алгоритмы построения эйлерова цикла 6
§4. Некоторые родственные задачи 8
§5. Задача китайского почтальона 9
Глава 2. Гамильтоновы циклы 11
§1. Основные понятия и определения 11
§2. Условия существования гамильтонова цикла 11
§3. Задачи связанные с поиском гамильтоновых циклов 13
§4. Методы построения гамильтоновых циклов в графе. 15
§5. Алгебраически
alfFRED
: 30 сентября 2013
10 руб.
Гибкие производственные системы (ГПС) термического и сварочного производств
Slolka
: 20 октября 2013
В состав названных ГПС входят: ГПС отжига, ГПС закалки и отпуска, ГПС сварки. Рассмотрим состав, структуру и принципы функционирования ГПС сварки и термической обработки на уровне их реализации в Виде ГПМ.
ГПМ сварочного производства элементов конструкции МЭА
Выбор вида и способа сварки, где применение ПР наиболее целесообразно и оправдано, должно проводиться с учетом предварительно сформулированных критериев и оценок. К ним следует отнести: степень распространенности данного вида и способа св
Slolka
: 20 октября 2013
10 руб.
Фирма как институциональное соглашение
meinessa
: 21 мая 2014
Раскрывается понятие фирмы в институциональной экономике, как одно из соглашений. Приведены теории и типологии фирм. Классификация соглашений и их взаимодействие. Фирма в рамках контрактной концепции.
meinessa
: 21 мая 2014
700 руб.
Оборудование узла очистки углекислого газа-Аппарат теплообменный Чертеж общего вида-Деталировка: Распределительная камера, Пучок трубный, Крышка корпуса-Спецификации-Чертеж-Машины и аппараты нефтехимических производств-Курсовая работа-Дипломная работа
as.nakonechnyy.92@mail.ru
: 27 сентября 2018
Оборудование узла очистки углекислого газа-Аппарат теплообменный Чертеж общего вида-Деталировка: Распределительная камера, Пучок трубный, Крышка корпуса-Спецификации-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Машины и аппараты нефтехимических производств-Курсовая работа-Дипломная работа
as.nakonechnyy.92@mail.ru
: 27 сентября 2018
774 руб.
