Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 1
-
Категории:
******* Не известно, Электроника физическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
10.08.2012
-
Размер:
34 KB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
avrmaster
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная устр_оптоэл_.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
При написании контрольной использовалась электронная версия пособия «Устройства оптоэлектроники» профессора Игнатова А.Н. и пособие Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы -М.: Энергоатомиздат., 1990.
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Дополнительная информация
Сдано в 2012
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
gerts
: 6 декабря 2015
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фото-приемника и указать на ней λгр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полу-проводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и со
gerts
: 6 декабря 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №1
Andrev111111
: 17 ноября 2013
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано: Тип фотоприемника (ФП) – Фотодиод со структурой p-i-n
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Дано:
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность, h – 0,2
Ширина запрещенной зоны D W, эВ – 0,6
Задача
Andrev111111
: 17 ноября 2013
80 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
ART1800
: 8 мая 2013
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине"Устройства оптоэлектроники" 1 вариант
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 28 сентября 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Табл
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 28 сентября 2013
300 руб.
Другие работы
Цифровые системы коммутации и их ПО Лабораторная работа №2 «Принципы пространственной коммутации в ЦСК», Вариант 14
lenny84
: 25 февраля 2012
1. Цель работы
1.1. Изучение принципов пространственной коммутации.
1.2. Изучение принципов построения коммутационных полей с использованием пространственную коммутацию.
1.3. Изучение коммутационных полей ЦСК EWSD, AXE.
1.4. Моделирование с помощью персональной ЭВМ пространственную коммутацию, а также построение коммутационных полей типа “В-П-В”.
2. Выполнение работы:
2.1. Ответы на вопросы допуска:
lenny84
: 25 февраля 2012
200 руб.
СИБИТ_Кейс: «Политические конфликты арабской весны»
gerasimov74
: 31 марта 2020
ЗАДАНИЕ
Кейс: «Политические конфликты арабской весны»
Война в Ливии была войной, которая показала, насколько быстро в современных условиях отдельные робкие выступления слабых и разрозненных групп, недовольных правящим режимом могут перерасти сначала в вооруженные столкновения, а затем и в гражданскую войну, быстро превратившуюся, благодаря прямому военному вмешательству западных государств, в крупный международный конфликт. Между тем сегодня ситуация в мире настолько накалена, что любой между
gerasimov74
: 31 марта 2020
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Русский язык и культура речи (Риторика)». Вариант №1
ДО Сибгути
: 19 февраля 2016
Задания к лекции “Современный русский язык”:
1. Каким словарем можно воспользоваться, чтобы узнать род существительных: “визави”, “протеже”. (см. глоссарий)
2.Каким словарем можно воспользоваться, чтобы узнать происхождение слов: карболка, караван. (см. глоссарий)
3. Выскажите свое мнение по одному из поставленных вопросов (2-3-предложения):
Какие фразы из фильмов, художественных произведений стали цитатами, афоризмами для вас?
Задания к лекции “Культура речи”:
1. Подберите по 3 синонима к след
ДО Сибгути
: 19 февраля 2016
150 руб.
Паяное соединение. Вариант 25 - Крышка
.Инженер.
: 4 апреля 2026
В.П. Большаков. Создание трехмерных моделей и конструкторской документации в системе КОМПАС-3D. Практикум. Задание 6. Завершить сборочный чертеж с паяными соединениями. Вариант 25 - Крышка.
Задание:
Завершить изображение паяного соединения. При оформлении конструкторского документа требуется:
а) нанести необходимые размеры;
б) проставить номера позиций составных частей изделия;
в) заполнить спецификацию и основную надпись.
В состав работы входит:
Чертеж;
3D модели.
Выполнено в про
.Инженер.
: 4 апреля 2026
250 руб.
