Лабораторная работа 6.8 по физике. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
11.06.2008
-
Размер:
25 KB
-
Покупок:
19
-
Добавил:
madamm
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
LR4.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
4. Задание
1.Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2.Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3.Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4.Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5.Построить график зависимости ln от .
6.На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины ln от и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
Выполнение работы:
Для выполнения работы использовалась программа POLUPR, полученные результаты приведены ниже.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
4. Задание
1.Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2.Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3.Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4.Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5.Построить график зависимости ln от .
6.На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины ln от и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
Выполнение работы:
Для выполнения работы использовалась программа POLUPR, полученные результаты приведены ниже.
Дополнительная информация
Год сдачи 2007
СибГУТИ
оценка Зачет
СибГУТИ
оценка Зачет
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Разработка автоматизированной информационной системы по начислению заработной платы по 18-разрядной тарифной сетке
Qiwir
: 21 июля 2015
Содержание
Введение
Аппаратные и программные средства реализации информационных систем
Характеристика функциональных подсистем информационной системы
Состав аппаратного обеспечения, характеристика основных и периферийных устройств
Разновидности программных средств
Системные программы
Пакеты прикладных программ
Текстовые процессоры
Табличные процессоры
Системы управления БД
Интегрированные системы
Системы программирования
Автоматизированное рабочее место (АРМ) специалиста
Проектирование информац
Qiwir
: 21 июля 2015
45 руб.
Гидравлика Задача 15.19 Вариант 27
Z24
: 24 декабря 2025
Насос работает на гидравлическую сеть. Напорная характеристика насоса задана в безмерных параметрах в таблице 1.
Параметры насоса (Q0 и H0) и гидравлической сети (Нг, d, l, λ, Σξ) заданы в таблице 2.
По заданным параметрам Q0 и H0 рассчитать и построить напорную характеристику насоса H=f(Q). Рассчитать и построить характеристику потребного напора гидравлической сети Нпотр=f(Q). Определить параметры рабочего режима насоса и гидравлической сети (рабочую точку A). (Определить напор, подачу и
Z24
: 24 декабря 2025
200 руб.
Условия обеспечения ценностно-ориентационного единства в воинском коллективе
Slolka
: 18 октября 2013
ВВЕДЕНИЕ
ценностное ориентационное единство воинский коллектив
Актуальность проблемы исследования. Проблема формирования ценностно-ориентационного единства воинских коллективов в условиях реформирования Вооруженных Сил теоретически актуальна и практически значима по ряду причин.
Во-первых, изменения в общественной жизни, сложность современного этапа в развитии страны и армии привели к переоценке ценностей, отразились на социальном самочувствии военнослужащих, ослабили сплоченность воинских ко
Slolka
: 18 октября 2013
Контрольная работа по дисциплине: Математическое моделирование телекоммуникационных устройств и систем. Вариант №11
IT-STUDHELP
: 7 декабря 2022
Контрольная работа
По дисциплине:
«Математическое моделирование телекоммуникационных устройств и систем»
Вариант 1 Математические методы эффективного (безызбыточного) кодирования источников дискретных сообщений
Задача 1
Имеется кабельная линия связи с известной импульсной реакцией, заданной следующей последовательностью временных отсчетов. Эти временные отсчеты представлены в следующей таблице:
Таблица 1 – Временные отчеты импульсной реакции g(t) кабельной линии
№ отсчета импульсной реакции
IT-STUDHELP
: 7 декабря 2022
700 руб.
