Лабораторная работа 6.8 по физике. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
11.06.2008
-
Размер:
25 KB
-
Покупок:
19
-
Добавил:
madamm
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
LR4.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
4. Задание
1.Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2.Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3.Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4.Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5.Построить график зависимости ln от .
6.На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины ln от и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
Выполнение работы:
Для выполнения работы использовалась программа POLUPR, полученные результаты приведены ниже.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
4. Задание
1.Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2.Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3.Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4.Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5.Построить график зависимости ln от .
6.На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины ln от и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
Выполнение работы:
Для выполнения работы использовалась программа POLUPR, полученные результаты приведены ниже.
Дополнительная информация
Год сдачи 2007
СибГУТИ
оценка Зачет
СибГУТИ
оценка Зачет
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Проект газоснабжение поселка
Рики-Тики-Та
: 16 сентября 2010
Дипломный проект:
Содержание
ВВЕДЕНИЕ 3
АННОТАЦИЯ 5
ГАЗОСНАБЖЕНИЕ 7
Характеристика объекта 8
Определение физико-химических параметров газа 11
Расчет газопотребления с определением расчетных расходов 14
отдельными потребителями
Расход на жилье по районам ГРПШ 16
Расчетные показатели расхода газа по категориям 17
потребителей
Шкафной газорегуляторный пункт 18
Выбор принципиальной схемы газоснабжения населенного 25
пункта
Прокладка газопроводов установкой горизонтального 30
бурения «Навигато
Рики-Тики-Та
: 16 сентября 2010
825 руб.
Реферат по дисциплине: Психология и педагогика. «Понятие личности в психологии»
Jack
: 6 июня 2013
Содержание
Введение 3
1.1. Определение личности 5
1.2. Структура личности. 10
1.3. Направленность и устойчивость личности 12
Заключение 15
Литература 18
Jack
: 6 июня 2013
170 руб.
Контрольная работа по Истории России. Вариант VII. Эпоха Петра Великого
andreas88
: 29 января 2012
ЧТО ЗНАЧАЮТ ЭТИ ПОНЯТИЯ?
КОМУ ПРИНАДЛЕЖАТ ЭТИ ИМЕНА ?
ЧТО ОЗНАЧАЮТ ЭТИ НАЗВАНИЯ, С КАКИМИ СОБЫТИЯМИ СВЯЗАНЫ СООТВЕТСТВУЮЩИЕ ГЕОГРАФИЧЕСКИЕ ПУНКТЫ ?
ВСПОМНИТЕ СЛЕДУЮЩИХ ИСТОРИЧЕСКИХ ДЕЯТЕЛЕЙ:
ВСПОМНИТЕ НАЗВАНИЯ ИЛИ ГЕОГРАФИЧЕСКИЕ ПУНКТЫ:
НАЗОВИТЕ ТЕРМИНЫ, ОБОЗНАЧАЮЩИЕ СЛЕДУЮЩИЕ
ИСТОРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ:
ВСПОМНИТЕ СЛЕДУЮЩИХ ИСТОРИЧЕСКИХ ДЕЯТЕЛЕЙ:
ВСПОМНИТЕ НАЗВАНИЯ ИЛИ ГЕОГРАФИЧЕСКИЕ ПУНКТЫ:
andreas88
: 29 января 2012
50 руб.
CASE-технології розробки програмного забезпечення
Qiwir
: 9 октября 2013
Тенденції розвитку сучасних інформаційних технологій призводять до постійного зростання складності інформаційних систем (ІС), створюваних у різних галузях.
Для успішної реалізації проекту об'єкт проектування повинен бути насамперед адекватно описаний, повинні бути побудовані повні і несуперечливі функціональні й інформаційні моделі ІС. Крім того, у процесі створення і функціонування ІС інформаційні потреби користувачів можуть змінюватися чи уточнюватися, що ще більш ускладнює розробку і супрові
Qiwir
: 9 октября 2013
10 руб.
