Зачетная работа. Физические основы электроники. 3-й семестр. Билет № 17
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Зачетная, Электроника физическая
-
Добавлен:
22.09.2012
-
Размер:
353 KB
-
Покупок:
12
-
Добавил:
SybNet
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ФизОснЭлект_зачет_билет17.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Зачетная работа Физические основы электроники, 3 семестр, билет №17
Дистанционное обучение СибГУТИ
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
Дистанционное обучение СибГУТИ
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
Дополнительная информация
Сдано в 2012г. без замечаний.
Похожие материалы
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет № 17 (3-й семестр)
Jack
: 30 марта 2013
Билет № 17
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
Jack
: 30 марта 2013
150 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №17.
freelancer
: 23 апреля 2016
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
freelancer
: 23 апреля 2016
100 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №17
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 12 апреля 2014
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 12 апреля 2014
130 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. 3-й семестр. Билет №12
58197
: 22 сентября 2013
Билет № 12
1. Стабилитрон. ВАХ. Основные параметры. Применение. Схема включения.
Стабилитрон - это полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения.
Напряжение стабилизации - значение напряжения на стабилитроне при прохождении заданного тока стабилизации.
Температурный коэффициент напряжения стабилизации - величина, определяемая отношением относительного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации.
2. Зависимость Н-параметров БТ от частоты.
В си
58197
: 22 сентября 2013
60 руб.
Зачетная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
te86
: 9 сентября 2012
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ
и рабочую область
Полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем называются полевые транзисторы
Полевой транзистор содержит три полупроводниковые области ...
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
Расчет усилителей на транзисторах включает следующие основные этапы:
1. Выбор транзистора и элем
te86
: 9 сентября 2012
80 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №17
SibGOODy
: 28 августа 2018
Билет №17
1. Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
2. Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
SibGOODy
: 28 августа 2018
300 руб.
Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет № 6
ElenaA
: 6 марта 2016
1. Отличия ВАХ диодов из германия и кремния
2. Устройство и принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом. Схемы включения. Характеристики
ElenaA
: 6 марта 2016
100 руб.
Зачетная работа по физическим основам электроники. Билет № 9
rambox360
: 23 февраля 2016
1.
Выпрямительными обычно называют диоды, предназначенные для преобразования переменного напряжения промышленной частоты (50 или 400 Гц) в постоянное. Основой диода является обычный p-n переход. В практических случаях p-n переход диода имеет достаточную площадь для того, чтобы обеспечить большой прямой ток. Для получения больших обратных (пробивных) напряжений диод обычно выполняется из высокоомного материала.
2.
Для схемы включения с ОБ.
Выражение для идеализированной выходной характеристики
rambox360
: 23 февраля 2016
100 руб.
Другие работы
2 задачи. Информационная безопасность.
studypro3
: 28 ноября 2018
Вопрос 2. Решить задачу.
Входная последовательность для алгоритма дешифрования на основе метода гаммирования имеет вид 01001001, фрагмент соответствующей ей гаммы 11110001, вычислить полную последовательно алгоритма. Показать ход решения.
Вопрос 6.
Варианты реализации технической системы характеризуются двумя показателями качества, оба показателя необходимо максимизировать. Заданы значения показателей качества для нескольких вариантов реализации системы (в фигурных скобках представлены значения
studypro3
: 28 ноября 2018
300 руб.
Теория информации. Экзаменационная работа. Экзамен. Билеты. Вариант №6
mamontynok
: 3 февраля 2014
1)Вычислить энтропию последовательности букв ФИО. Для оценки вероятностей символов использовать частоты вхождения букв в ФИО
2) По заданной матрице совместных вероятностей появления сообщений зависимых источников информации и вычислить величины , , , , .
Y
X y1 y2 y3 y4
x1 0 0.11 0 0.07
x2 0.33 0 0.05 0.440
mamontynok
: 3 февраля 2014
45 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 2 Вариант 17
Z24
: 30 января 2026
Железобетонная дымовая труба внутренним диаметром 800 мм и наружным диаметром 1300 мм должна быть футерована внутри огнеупором.
Определить толщину футеровки и температуру наружной поверхности трубы из условий, чтобы тепловые потери с одного погонного метра трубы не превышали ql, а температура внутренней поверхности трубы не должна превышать t2. Температура внутренней поверхности футеровки t1. Коэффициент теплопроводности футеровки λ1=0,838+0,001t, Вт/(м·К), коэффициент теплопроводности бетона
Z24
: 30 января 2026
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Основы обработки данных. Вариант 6
Учеба "Под ключ"
: 23 июля 2026
Контрольная работа. Часть № 1.
Построение вариационных рядов. Расчет числовых характеристик.
Цель работы: овладение способами построения рядов распределения и методами расчета числовых характеристик.
Задача.
Вариант №6. Имеются данные о суточном потреблении воды при производстве микросхем в наблюдаемой заводе (м3/сут.):
30 19 21 28 27 29 31 24 25 28 28 32 34
26 24 19 23 27 30 29 25 18 18 24 28 31
33 18 21 26 30 32 34 29 26 23 25 27 32
23 20 21 26 22 20 27
Содержание работы: на о
Учеба "Под ключ"
: 23 июля 2026
1500 руб.
