Лабораторная 6.8 (Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников)
-
Категории:
СибГУТИ, Физика и энергетика, Работа Лабораторная
-
Добавлен:
29.09.2012
-
Размер:
46 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
Roman112
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная 6.8.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа по физике.
Изучение зависимости электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определение ширины запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln у от 1/T ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Работу делал сам, замечаний нет.
Изучение зависимости электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определение ширины запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln у от 1/T ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Работу делал сам, замечаний нет.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Основы информационной безопасности
Gila
: 4 ноября 2021
1. Дайте характеристику международного стандарта ISO 17799-2000(2005). Назначение, содержимое, Проанализируйте его на предмет комплексности при обеспечении информационной безопасности в организации.
2.Приведите и прокомментируйте классификацию удаленных атак на информационные системы.
3. Поясните, почему национальная безопасность РФ в информационной сфере так важна. Приведите примеры возможных угроз такого рода. Какие события, произошедшие за последние полгода, можно привести в пример попыток на
Gila
: 4 ноября 2021
280 руб.
Опора самоустанавливающаяся. Вариант 33
coolns
: 15 мая 2019
Опора самоустанавливающаяся. Вариант 33
Задание
1. Выполнить 3д модели деталей
2. Выполнить 3д модель сборочной единицы
3. Выполнить ассоциативные чертежи всех деталей.
4. Выполнить сборочный чертеж Опора самоустанавливающаяся
5. Выполнить спецификацию к сборочной единице.
Вариант 33 Опора самоустанавливающаяся
Опора самоустанавливающаяся – устройство, применяемое в некоторых сборочных операциях.
На свободно выдвинутый вверх штырь опорный опирается конец установленной балансирующей детали.
coolns
: 15 мая 2019
140 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача А-6 Вариант 00
Z24
: 16 февраля 2026
Для сушки используют воздух с температурой t1 и с заданной относительной влажностью φ1. В калорифере его подогревают до температуры t2 и направляют в сушилку, откуда он выходит с температурой t3. Определить:
1) основные параметры влажного воздуха (tм, φ, d, h, pп) для основных точек процессов;
2) расход воздуха M и теплоты q на 1 кг испаренной влаги.
Изобразить процесс в h,d — диаграмме. Данные для решения приведены в таблице 17. Результаты расчетов свести в таблицу 18.
Z24
: 16 февраля 2026
200 руб.
Гидравлика АКАДЕМИЯ ГРАЖДАНСКОЙ ЗАЩИТЫ Задача 7 Вариант 62
Z24
: 11 марта 2026
Определить предельно возможную длину магистральной линии LМ, если из второго ствола (dH2) необходимо получить струю производительностью g2.
Рукавная система состоит из магистральной линии диаметром dM и трех рабочих линий длинами l1; l2; l3 диаметрами d1; d2; d3 и стволами с диаметрами насадков dН1; dН2; dН3. Стволы подняты относительно разветвления на высоту Z1; Z2; Z3, а разветвление установлено относительно оси насоса пожарного автомобиля АНР-40(130) на высоте Zразв. Рукава системы прорез
Z24
: 11 марта 2026
200 руб.
