Лабораторная 6.8 (Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников)
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа по физике.
Изучение зависимости электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определение ширины запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln у от 1/T ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Работу делал сам, замечаний нет.
Изучение зависимости электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определение ширины запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln у от 1/T ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Работу делал сам, замечаний нет.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
49 руб.
Другие работы
Развитие взглядов на ведение оборонительных действий советских войск в 30-е – начале 40-х годов
Qiwir
: 9 марта 2014
Содержание
Введение
1. Советская оборонительная доктрина в 30-е гг.
2. Советская оборона накануне и в начальный период Великой Отечественной войны
Заключение
Литература
Введение
Оборона — вид боя, имеющий цель сорвать или отразить наступление (удар) превосходящих сил противника и нанести ему значительные потери, удержать важные районы (рубежи, объекты) и тем самым создать благоприятные условия для перехода в решительное наступление. Оборона может осуществляться вынужденно или преднамеренно. Она
19 руб.
Источники права Византии
evelin
: 6 июля 2013
Огромная империя, расположенная на границе между Европой и Азией, в течение по крайней мере семи столетий (с VI до начала XIII) играла важную, порой ведущую роль в экономической, политической и культурной жизни народов средневековой Европы и стран Ближнего Востока. От позиции империи, ее побед или поражений зависели судьбы многих народов, как ближних, так и дальних. Союза с императорами искали почти все христианские государи и мусульманские правители. Духовное влияние империи простиралось от Бал
5 руб.
Расчет ректификационной установки. ПАХТ. Циклопентан-бензол
janeairas
: 1 февраля 2018
Задание
Спроектировать ректификационную установку непрерывного действия для разделения смеси циклопентан - бензол
Исходные данные:
1. Производительность установки G(F)= 4,75 кг/с
2. Состав исходной смеси x(F) = 18 %мольн
3. Состав дистиллята по низкокипящему компоненту x(D) =95%мольн
4. Состав остатка по низкокипящему компоненту x(W) = 5%мольн
5. давление в колонне атмосферное
6. Тип колонны: с ситчатыми тарелками
Объем задания:
1. Схема установки
2. Расчёт ректификационной колонны
3. Расчет под
1500 руб.
2019 г. Контрольная работа. 3-й семестр. Элективные дисциплины по физической культуре и спорту (легкая атлетика) (часть 3)
Diawol
: 23 марта 2019
Составить и заполнить дневник самоконтроля.
Выполнить данное практическое задание на основе проведенных наблюдений над собой в ходе физической нагрузки.
Цель контрольной работы – проверка знаний, полученных студентами в процессе самостоятельного изучения дисциплины и усвоения материалов лекций.
50 руб.