Лабораторная 6.8 (Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников)

Цена:
80 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная 6.8.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа по физике.
Изучение зависимости электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определение ширины запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln у от 1/T ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Работу делал сам, замечаний нет.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.
Развитие взглядов на ведение оборонительных действий советских войск в 30-е – начале 40-х годов
Содержание Введение 1. Советская оборонительная доктрина в 30-е гг. 2. Советская оборона накануне и в начальный период Великой Отечественной войны Заключение Литература Введение Оборона — вид боя, имеющий цель сорвать или отразить наступление (удар) превосходящих сил противника и нанести ему значительные потери, удержать важные районы (рубежи, объекты) и тем самым создать благоприятные условия для перехода в решительное наступление. Оборона может осуществляться вынужденно или преднамеренно. Она
User Qiwir : 9 марта 2014
19 руб.
Источники права Византии
Огромная империя, расположенная на границе между Европой и Азией, в течение по крайней мере семи столетий (с VI до начала XIII) играла важную, порой ведущую роль в экономической, политической и культурной жизни народов средневековой Европы и стран Ближнего Востока. От позиции империи, ее побед или поражений зависели судьбы многих народов, как ближних, так и дальних. Союза с императорами искали почти все христианские государи и мусульманские правители. Духовное влияние империи простиралось от Бал
User evelin : 6 июля 2013
5 руб.
Расчет ректификационной установки. ПАХТ. Циклопентан-бензол
Задание Спроектировать ректификационную установку непрерывного действия для разделения смеси циклопентан - бензол Исходные данные: 1. Производительность установки G(F)= 4,75 кг/с 2. Состав исходной смеси x(F) = 18 %мольн 3. Состав дистиллята по низкокипящему компоненту x(D) =95%мольн 4. Состав остатка по низкокипящему компоненту x(W) = 5%мольн 5. давление в колонне атмосферное 6. Тип колонны: с ситчатыми тарелками Объем задания: 1. Схема установки 2. Расчёт ректификационной колонны 3. Расчет под
User janeairas : 1 февраля 2018
1500 руб.
Расчет ректификационной установки. ПАХТ. Циклопентан-бензол
2019 г. Контрольная работа. 3-й семестр. Элективные дисциплины по физической культуре и спорту (легкая атлетика) (часть 3)
Составить и заполнить дневник самоконтроля. Выполнить данное практическое задание на основе проведенных наблюдений над собой в ходе физической нагрузки. Цель контрольной работы – проверка знаний, полученных студентами в процессе самостоятельного изучения дисциплины и усвоения материалов лекций.
User Diawol : 23 марта 2019
50 руб.
2019 г. Контрольная работа. 3-й семестр. Элективные дисциплины по физической культуре и спорту (легкая атлетика) (часть 3)
up Наверх