Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант № 9
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, Ширина запрещен-ной зоны W, эВ
9 GaHeAs 0.4 1.5
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3.1).
Таблица 3.1. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А В С Д Е F G
9 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Таблица 4.1. Исходные данные задачи No4
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
9 АЛ307Г 12 1000
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, Ширина запрещен-ной зоны W, эВ
9 GaHeAs 0.4 1.5
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3.1).
Таблица 3.1. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А В С Д Е F G
9 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Таблица 4.1. Исходные данные задачи No4
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
9 АЛ307Г 12 1000
Дополнительная информация
2012
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №9
Rufus
: 26 мая 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
+еще 3 задачи.
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Вариант №9
ilgam013
: 21 мая 2014
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. ............
180 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля.
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 0
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэ
600 руб.
Другие работы
Трехмерность бытия и теоремы Ферма и Пифагора
Lokard
: 10 августа 2013
Трехмерность бытия, Великая теорема Ферма и теорема Пифагора имеют логическую взаимосвязь. Эта взаимосвязь позволяет сформулировать еще один довод в пользу того, что существует только 3-мерный мир.
В литературе можно встретить многочисленные рассуждения о многомерных мирах, в том числе упоминания пространства-времени Минковского – Эйнштейна. При этом зачастую уточняют, что именно время является четвертым измерением. Но измерение ли оно? Является ли время одним из измерений четырехмерного мира: x
5 руб.
РГР Дискретная математика Вариант 8
Lezvix
: 20 апреля 2021
1.8 Задано универсальное множество U и множества A, B, C, D. Найти результаты действий (a)–(д) и каждое действие проиллюстрировать с помощью диаграммы Эйлера–Венна.
2.8 Ввести необходимые элементарные высказывания и записать формулой следующее предложение.
«Если студент и экзаменатор не понимают друг друга, то студент не готов или пришёл не на тот экзамен, или что-то не так с экзаменатором».
3.8 Для булевой функции f(x,y,z) найти методом преобразования минимальную ДНФ. По минимальной ДНФ постро
100 руб.
Контроль качества ребристой плиты перекрытия
ostah
: 26 января 2015
Конструктивно-технологические характеристики заданного изделия и возможные дефекты
Общая характеристика изделия
Особенности технологии изготовления изделия
Дефекты
Чертежи изделия с ведомостью расхода стали и спецификации арматуры
Схема изделия
Армирование
Закладные детали
Статистические характеристики партии изделий для оценки качества бетона, арматуры, величины преднапряжения арматуры, размеров, толщины защитного слоя бетона
Порядок отбора изделий для испытаний
Предельные отклонения защитного
УСТАНОВКА ШТАНГОВАЯ СКВАЖИННАЯ НАСОСНАЯ. Курсовая работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 11 марта 2016
3 ОБЗОР ТЕХНИЧЕСКОЙ И ПАТЕНТНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
В настоящее время для уплотнения полированного штока скважин, эксплуатируемых штанговыми насосами, предназначены сальники устьевые СУС. Отличительная особенность сальника наличие пространственного шарнира между головкой сальника (содержащей уплотнительную набивку) и тройником.
Сальник рассчитан на повышенные давления на устье скважины и
Рисунок 3.1 – Сальники устьевые (СУС)
обеспечивает надежное уплотнение штока при однотрубных системах сбора нефт
1392 руб.