Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
В качестве конденсаторов, т. е. пассивных элементов полупроводниковых ИМС, предназначенных для использования их .емкости, чаще всего находят применение обратно-смещенные р — п-gtреходы Кроме того, применяются структуры типа металл —диэлектрик .— полупроводник (МДП) (в том числе в биполярных микросхемах). Реже используются структуры типа металл — диэлектрик — металл (МДМ).
На рисунке 1.1 изображены структуры конденсаторов полупроводниковых микросхем, а В таблице 1.1 представлены ориентировочныезначения их параметров
На рисунке 1.1 изображены структуры конденсаторов полупроводниковых микросхем, а В таблице 1.1 представлены ориентировочныезначения их параметров
Похожие материалы
Лабораторная работа № 5 Исследование электрической цепи переменного однофазного тока с последовательным соединением резистора и конденсатора
anderwerty
: 26 февраля 2015
Цель работы:
1. Развивать навыки работы с цифровым мультиметром при измерении силы тока и напряжения в цепях переменного тока.
2. Рассчитать параметры элементов электрической цепи по экспериментальным данным.
3. Ознакомится с методами анализа электрической цепи с применением векторных диаграмм.
1 Оборудование и приборы
1. Лабораторные стенды «ТЭЦОЭ1-С-К», «ТЭЦОЭ1-Н-Р», «ТЭЦОЭ2-Н-Р».
2. Резистор R=100Ом; конденсатор C=1мкФ.
3. Соединительные провода.
100 руб.
Полупроводниковые диоды
elementpio
: 30 сентября 2013
На основе использования свойств р-n-перехода в настоящее время создано множество различных типов полупроводниковых диодов.
Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный. Их основные параметры: Iпр max -максимальный прямой ток; Vпр - падение напряжения на диоде при прямом смещении и заданном токе; Iобр -ток через диод при обратном смещении и заданном напряжении; Vобр max - максимальное обратное напряжение; f-диапазон частот, в котором выпрямленный ток не сни
5 руб.
Силовые полупроводниковые преобразователи
VikkiROY
: 29 января 2015
Содержание:
-Расчет силовых схем вентильных преобразователей постоянного тока
-Выбор токоограничивающего реактора
-Выбор тиристоров и элементов токовой защиты
-Выбор сглаживающего дросселя
-Расчет и выбор элементов защиты ТП от перенапряжений
-Расчет и выбор элементов защиты ТП от повторяющихся перенапряжений
-Расчет и выбор элементов защиты ТП от непериодических перенапряжений
-Расчет параметров и характеристик тиристорного преобразователя
-Построение регулировочных характеристик преобразовател
45 руб.
Тензоэлектрические полупроводниковые приборы
Lokard
: 10 августа 2013
Тензорезисторы основаны на тензорезистивном эффекте, который состоит в том, что сопротивление полупроводника зависит от давления на полупроводник. Материалом для тензорезисторов чаще всего служит кремний, но могут быть и использованы другие полупроводники. К основным параметрам тензорезисторов относятся номинальное сопротивление (от десятков ом до десятков килоом), т.е. сопротивление при отсутствии давления, и коэффициент тензочувствительности, равный отношению относительного изменения сопротивл
10 руб.
Исследование полупроводникового диода
Qiwir
: 9 августа 2013
Цель работы
Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики.
Ход работы:
1. Подключить шнур питания к сети.
2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации.
3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1.
Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1.
4. Тумблер В - 1 поставить в поло
5 руб.
Исследование полупроводникового стабилитрона
elementpio
: 13 ноября 2012
Лабораторная работа
Тема. Исследование полупроводникового стабилитрона.
Цель. Экспериментальное исследование характеристик полупроводникового стабилитрона.
Порядок выполнения работы:
Приступая к выполнения лабораторной работы необходимо запустить программу Electronics Workbench.
Для работы необходимо нарисовать схемы.
15 руб.
Исследование полупроводниковых приборов
elementpio
: 13 ноября 2012
Введение
Учебное пособие содержит лабораторные работы, выполняемые студентами при изучении курсов "Физические основы электроники", "Промышленная электроника", "Преобразовательная техника" и других курсов с близкими названиями. Оно предназначено для студентов всех электротехнических специальностей энергетического факультета.
Основная задача данного цикла лабораторных работ – научить студентов работать с электронными приборами и интегральными схемами и закрепить изученный материал. Все работы разб
5 руб.
Полупроводниковые материалы в металлургии
VikkiROY
: 1 ноября 2012
Содержание:
1.Общие сведения 3
2.Металлургия германия и кремния 7
3.Применение полупроводников
3.1.Тепловые сопротивления (термисторы) 9
3.2.Фотосопротивления 11
3.3.Термоэлементы 12
3.4.Холодильники и нагреватели 12
10 руб.
Другие работы
Политические системы
Mega1
: 13 августа 2020
Содержание
Введение
1. Понятие политической системы, её место и развитие в обществе
2. Структура политических систем
3. Типы политических систем
4. Функции политической системы
5. Типология современных политических систем
Заключение
Список литературы
200 руб.
Информатика (часть 2). Лабораторные работы 1-5. Вариант общий.
seka
: 13 сентября 2018
Лабораторная работа 1. Оформление документов
Лабораторная работа 2.Подготовка комплексных текстовых документов в среде редактора Microsoft Word
Лабораторная работа 3.Создание электронных таблиц с помощью процессора Microsoft Excel
Лабораторная работа 4.Построение диаграмм с помощью процессора Microsoft Excel
Лабораторная работа 5.Использование электронных таблиц для расчетов
100 руб.
Методы разделения азеотропных смесей
wizardikoff
: 6 января 2012
ВВЕДЕНИЕ
1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Методы разделения азеотропных смесей.
1.1.1. Разделение азеотропных смесей в комплексе колонн,
работающих под разными давлением.
1.1.2. Азеотропная и гетероазеотропная ректификация.
1.1.3. Экстрактивная ректификация.
1.2. Применение комплексов со связанными тепловыми и материальными потоками для разделения зеотропных и азеотропных смесей.
1.3. Методы синтеза технологических схем разделения.
1.4. Некоторые свойства, токсическое действие, получение и прим
Лабораторная работа №7.3 по дисциплине: Физика (часть 2-я). Тема: Определение длины электромагнитной волны методом дифракции Фраунгофера. Все варианты
IT-STUDHELP
: 2 февраля 2019
Тема: Определение длины электромагнитной волны методом дифракции Фраунгофера.
1. Цель работы.
Исследовать явление дифракции электромагнитных волн. С помощью дифракционной решетки проходящего света измерить длины электромагнитных волн видимого диапазона.
2. Основные теоретические сведения.
3. Описание лабораторной установки.
4. Задание.
5. Экспериментальные результаты.
Вывод
5. Контрольные вопросы.
1. Максимум, какого наибольшего порядка может наблюдаться на данной дифракционной решетке?
2. Дай
195 руб.