Зачет. Основы оптоэлектроники
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1. Определение числовой апертуры.
Раздел Излучатели.
1. Процессы в излучателе на основе моно p-n перехода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства».
1. Устройство и принцип действия фотодиодов с барьером Шоттки.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
1. Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового ключа.
1. Определение числовой апертуры.
Раздел Излучатели.
1. Процессы в излучателе на основе моно p-n перехода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства».
1. Устройство и принцип действия фотодиодов с барьером Шоттки.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
1. Устройство и принцип действия оптоэлектронного аналогового ключа.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Основы оптоэлектроники
Оценка: Зачет
Дата оценки: 11.11.2012
Рецензия: Уважаемый !,
Работа изготовлена в формате Microsoft Word 97 – 2003.
Формулы набраны при помощи редактора формул Microsoft Equation.
Рисунки изготовлены в программе Microsoft Visio 2007.
Оценена Ваша работа по предмету: Основы оптоэлектроники
Оценка: Зачет
Дата оценки: 11.11.2012
Рецензия: Уважаемый !,
Работа изготовлена в формате Microsoft Word 97 – 2003.
Формулы набраны при помощи редактора формул Microsoft Equation.
Рисунки изготовлены в программе Microsoft Visio 2007.
Похожие материалы
Физические основы оптоэлектроники. ЗАЧЕТ
rahatlukum1
: 13 августа 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Ламберта.
Раздел Излучатели.
2.Параметры светоизлучающего диода как компоненты электронных устройств.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Принцип работы полупроводниковых фотоприемных устройств.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Применение оптоэлектронных приборов для измерения высоких напряжений и управления устройствами большой мощности.
100 руб.
Физические основы оптоэлектроники
terminator
: 16 ноября 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные (вариант 05):
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Фотодиод-транзистор
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные (вариант 05):
Вариант Тип ПП материалы Квантовая эффективность,
Ширина з
90 руб.
Физические основы оптоэлектроники. Вариант №20.
Алиса8
: 29 июня 2019
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 0.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней. Номер варианта для 2 задачи соответствует предпоследней цифре шифра 2.
Задача №3
Изобразить принципиальную схем
400 руб.
Контрольная работа по Основам оптоэлектроники, вариант 07, 4 семестр.
SybNet
: 14 ноября 2012
Контрольная работа по Основам оптоэлектроники, вариант 07, 4 семестр.
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 - Фототранзистор
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать пр
120 руб.
Зачетная работа по Основам оптоэлектроники. Билет № 20, 4-й семестр.
SybNet
: 14 ноября 2012
Зачетная работа по Основам оптоэлектроники, билет 20, 4 семестр.
1. Закон Бугера - Ламберта.
2. Источники некогерентного включения.
3. Устройство и принцип действия лавинного фотодиода.
4. Устройство и принцип действия оптоэлектронного генератора с мостом Вина.
Дистанционное обучение СибГУТИ
110 руб.
Зачёт (Контрольный зачёт). Вариант №4
virtualman
: 22 октября 2017
1.Исследование систем линейных уравнений. Теорема Кронекера-Капелли.
Однородные системы.
2. Решить матричное уравнение , где
3. Даны векторы
Найти
4. Даны координаты вершин пирамиды
Найти координаты точки пересечения плоскости ABC с высотой пирамиды, опущенной из вершины D на эту плоскость.
5. Привести к каноническому виду уравнение кривой второго порядка, построить кривую, найти фокусное расстояние и эксцентриситет
147 руб.
300 руб.
Информатика. Зачет
Insane
: 24 сентября 2019
1) Обмен сообщениями в ОС. Почтовые ящики, конвейеры и очереди сообщений. Основные принципы организации, различия; охарактеризовать достоинства и недостатки.
2) Пусть имеются три процесса X, Y, Z и три ресурса: P1, P2, P3. Процесс X требует ресурсы P1 и P2, процесс Y – P2 и P3, процесс Z – P1 и P3. Скорости процессов различны. Процессы переходят из активного состояния в пассивный произвольный образ. Решить задачу синхронизации процессов с помощью семафоров. Рассмотреть возможность возникновения
120 руб.
Другие работы
Совершенствование технологического процесса механической обработки детали "Подушка верхняя рабочая 71728-01.00.01А" в условиях серийного производства
m@vRaBas
: 25 июня 2010
ВВЕДЕНИЕ
1. ОБЩАЯ ЧАСТЬ
1.1. Служебное назначение и техническая характеристика детали
1.2. Технологический анализ чертежа детали
1.3. Анализ технологичности конструкции детали
1.4. Определение типа производства
1.5. Расчет величины партии деталей
2. ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
2.1. Анализ существующего технологического процесса
2.2. Выбор заготовки
2.3. Выбор технологических баз
2.4. Разработка последовательности обработки поверхностей
2.5. Расчет припусков и межоперационных размеров
2.6. Проектирова
300 руб.
ДО СибГУТИ. Схема электрическая принципиальная. Система тактовой синхронизации (фрагмент). Вариант №9
djon237
: 26 июля 2024
Выполнена схема электрическая принципиальная.
Наименование изделия:
Система тактовой синхронизации (фрагмент). В КОМПАСЕ! версия 17! Также сохранено в PDF!
300 руб.
Особенности имиджа политика в многонациональном регионе (на примере Красноярского края)
Qiwir
: 12 января 2014
Содержание работы
Введение
Глава 1. Теория и методология формирования имиджа политического деятеля
1.1 Имидж как отражение проявлений современной реальности
1.2 Методологические основы процедуры формирования образа политического деятеля
1.3 Использования идеального типа как инструмент формирования имиджа политика
Глава 2. Особенности работы специалиста по политическому Public Relations в многонациональном регионе
2.1 Национальные архетипы и их значимость при формировании имиджа
2.2 Выделение уни
5 руб.
Гидравлика и нефтегазовая гидромеханика ТОГУ Задача 16 Вариант 4
Z24
: 26 ноября 2025
Какое давление р0 необходимо поддерживать в резервуаре А (Н1=2 м), чтобы через кран (рис 15) , расположенный на пятом этаже здания (Н=20 м), и имеющий коэффициент сопротивления ζ=3, проходил расход воды Q? На участке трубопровода длиной L1 труба имеет диаметр d1, на участке L2 — диаметр d2. Температура воды t=20 ºC, абсолютная шероховатость стенок трубопровода кэ=0,2 мм.
180 руб.