Зачетная работа по дисциплине:Физические основы электроники. Билет№1

1.  Отличия ВАХ диодов из германия и кремния.
2 . Устройство и принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом. Схемы включения. Характеристики.
Основным элементом большинства полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход (р-п переход), представляющий собой переходный слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электронную электропроводность, другая – дырочную.
Реально электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением пластин n и p-типа, так как при этом неизбежен промежуточный слой воздуха, окислов или поверхностных загрязнений, невозможно идеальное совпадение кристаллических решеток и т.д. Эти переходы получают вплавлением или диффузией соответствующих примесей в пластинки монокристалла полупроводника, или путем выращивания р-n перехода из расплава полупроводника с регулируемым количеством примесей и т.п. В зависимости от способа изготовления р-n переходы бывают сплавными, диффузионными и др. Однако, для упрощения анализа процесса формирования перехода будем считать, что изначально взяли и механически соединили два примесных полупроводниковых кристалла с проводимостью разного типа (n и р типа) с одинаковой концентрацией донорных и акцепторных примесей и с идеальной поверхностью и кристаллической решеткой. Рассмотрим явления, возникающие на их границе.

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Зачет Оценка:Зачет Дата оценки: 29.09.2012 Рецензия:,зачет по ФОЭ Вами получен.