Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. 13-й вариант
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника промышленная, Работа
-
Добавлен:
21.01.2013
-
Размер:
211 KB
-
Закачек:
78
-
Добавил:
Dimark
Написать сообщение
Войти и скачать
Состав работы
|
Контрольная работа.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
3 Фотодиод с гетероструктурой
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, Ширина запрещен-ной зоны W, эВ
1 Si 0,7 1,12
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
3 Фотодиод с гетероструктурой
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, Ширина запрещен-ной зоны W, эВ
1 Si 0,7 1,12
Дополнительная информация
2012 Зачет
Похожие материалы
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. 2-й вариант
sd80
: 5 октября 2013
Задача 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные: тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки
Задача 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип материала – Ge;
Квантовая эффективность = 0,2;
Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.
Зад
sd80
: 5 октября 2013
250 руб.
Контрольная работа по Устройству оптоэлектроники. 4-й вариант
ustianna
: 15 апреля 2013
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Лавинный фотодиод – это фотоприемник, в котором повышение квантовой эффективности реализуется за счет внутреннего усиления благодаря лавинному умножению в обратно смещенном p-n переходе.
ustianna
: 15 апреля 2013
180 руб.
Контрольная работа по дисциплине: « Устройства оптоэлектроники». 5-й вариант
1309nikola
: 12 марта 2017
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
05 Фотодиод - транзистор
Фотоприемные приборы, использующие транзисторные структуры с возможностью усиления фототока, называются фототранзисторами.
В простейшем фототранзисторе (рисунок 1) оптическое излучение попадает в рабочую область структуры - базу. Здесь обеспечивается генерация фотоносителей,
1309nikola
: 12 марта 2017
60 руб.
ДО СибГУТИ 14-й вариант. Контрольная работа. Устройство оптоэлектроники
igoriceg
: 17 октября 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Тип ПП материала: InAs
Квантовая эффектив-ность, h: 0,3
Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ: 0,39
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включе
igoriceg
: 17 октября 2016
50 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа .12-й вариант. СБТ
sanco25
: 11 марта 2013
Задача 1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача 3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состоян
sanco25
: 11 марта 2013
49 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники” 4-й вариант.
Dark
: 16 августа 2011
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип ПП материала - Ge Квантовая эффективность - 0,2, Ширина запрещенной зоны W - 0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципи
Dark
: 16 августа 2011
200 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Другие работы
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 1.1 Вариант 80
Z24
: 6 января 2026
В баллоне емкостью V при температуре t и давлении p содержится газовая смесь, объемный состав которой следующий: RO2, RN2 и RCO2.
Определить массу газа.
Z24
: 6 января 2026
150 руб.
РД 153-34.0-02.313-98. Инструкция по инвентаризации выбросов в атмосферу загрязняющих веществ тепловых электростанций и котельных
evelin
: 27 июня 2013
Настоящая инструкция РД 153-34.0-02.313-98 разработана АО "Фирма ОРГРЭС" по поручению РАО "ЕЭС России" и согласована с Государственным комитетом РФ по охране окружающей среды. Срок действия Инструкции установлен с 01.09.1998 г. по 01.09.2003 г.
evelin
: 27 июня 2013
4 руб.
Проблемы компенсации морального вреда
Алёна51
: 17 июля 2015
ВВЕДЕНИЕ 3
ГЛАВА 1. ИНСТИТУТ ВОЗМЕЩЕНИЯ МОРАЛЬНОГО ВРЕДА В ГРАЖДАНСКОМ ПРАВЕ 6
1.1. Нематериальные блага и их защита 6
1.2. Понятие морального вреда и его формы 15
ГЛАВА 2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПРОБЛЕМЫ МОРАЛЬНОГО ВРЕДА И ЕГО КОМПЕНСАЦИИ 25
2.1. Основание, порядок и способы компенсации морального вреда 25
2.2. Определение размера компенсации морального вреда 36
2.3. Проблемы компенсации морального вреда юридическим лицам 53
ГЛАВА 3. КОМПЕНСАЦИЯ МОРАЛЬНОГО ВРЕДА В РОССИЙСКОЙ СУДЕБНОЙ ПРАКТИКЕ 64
Алёна51
: 17 июля 2015
500 руб.
Проектирование технологии изготовления детали типа «корпус отвода» с применением автоматизированного оборудования
Juba
: 17 января 2012
Введение ……………………………………………..………..................................................3
1 Технологическая часть…………………………………………………………….………...6
1.1 Служебное назначение и конструкция детали……………..……............................6
1.2 Анализ технологичности конструкции детали..………..……………..…….……....7
1.3 Определение типа производства…………….………………………………….……9
1.4 Анализ базового технологического процесса...........................................................10
1.5 Обоснования метода получения заготовки……
Juba
: 17 января 2012
