ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ. Отчет по лабораторной работе по дисциплине: Физические основы электроники
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Цель лабораторной работы:
1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении р-п перехода.
2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) для полупроводникового диода.
3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении по вольтамперной характеристике.
4. Анализ сопротивления диода (прямое и обратное смещение) на переменном и постоянном токе.
5. Измерение напряжения изгиба вольтамперной характеристики.
1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении р-п перехода.
2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) для полупроводникового диода.
3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении по вольтамперной характеристике.
4. Анализ сопротивления диода (прямое и обратное смещение) на переменном и постоянном токе.
5. Измерение напряжения изгиба вольтамперной характеристики.
Дополнительная информация
Оценка "Отлично"
Похожие материалы
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1500 руб.
Зачет по физическим основам электроники. Вольт-амперная характеристика полупроводниковых диодов
qawsedrftgyhujik
: 16 декабря 2010
2семестр 2вариант.
Билет № 5
1.Отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов и чем они обусловлены.
2.Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника.Формулы для определения H - параметров в схемах с ОБ и ОЭ.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
aleks797
: 17 декабря 2011
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
lev12345678
: 17 марта 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследовани
150 руб.
СТАБИЛИТРОНЫ. Отчет по лабораторной работе по дисциплине: Физические основы электроники
ДО Сибгути
: 31 января 2013
Цель лабораторной работы:
1. Построение обратной ветви вольтамперной характеристики стабилитрона и определение напряжения стабилизации.
2. Вычисление тока и мощности, рассеиваемой стабилитроном.
3. Определение дифференциального сопротивления стабилитрона по вольтамперной характеристике.
4. Исследование изменения напряжения стабилитрона при изменении входного напряжения в схеме параметрического стабилизатора.
5. Исследование изменения напряжения на стабилитроне при изменении сопротивления в схем
85 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
SibGUTI2
: 3 июня 2019
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты.
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный перехо
50 руб.
Другие работы
Техническая термодинамика и теплопередача ГАУСЗ (ТГСХА) Задача 1 Вариант 9
Z24
: 25 декабря 2025
Газ массой m имеет начальные параметры — давление р1 и температуру t1. После политропного изменения состояния газа объём его стал V2 давление р2. Определить начальный объем V1, конечную температуру Т2 газа, показатель политропы n, теплоёмкость процесса с, работу расширения газа L, изменение внутренней энергии ∆U и изменение энтропии ∆S. Определить эти же величины, если изменение состояния газа происходит по изотерме до того же значения конечного объёма V2. Сделать и записать выводы по полученным
200 руб.
Практическое задание №3. Закупки.
studypro3
: 1 июля 2019
Бланк выполнения практического задания 3
Условие
ГБУЗ проводит электронный аукцион на закупку офисной бумаги. В техническом задании описано наименование товара и его характеристики: бумага офисная «SvetoCopy» или эквивалент белая, плотность не менее 80 г/см2, поддержка двухсторонней печати. Поступило 5 заявок.
Поступившие заявки
Заявка № 1
Наименование и характеристики товара, наименование страны происхождения товара: бумага офисная, белая, плотность 80 г/см2, поддержка двухсторонней печати
200 руб.
Сечение тела. Вариант 3 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 16 января 2026
Сечение тела. Вариант 3 ЧЕРТЕЖ
Перечертить и закончить в трех проекциях чертеж усеченной полой модели. Найти натуральную величину фигуры сечения. Построить аксонометрическую проекцию.
Исходные данные для выполнения задания
d = 90 мм
d1 = 72 мм
h = 35 мм
h1 = 25 мм
h2 = 25 мм
е = 62 мм
е1 = 28 мм
k = 12 мм
m = 45 мм
Чертеж выполнен на формате А3 + 3d модель + ПДФ(все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печа
150 руб.
ФЦКН.01.25.00.000 СБ - Приспособление
.Инженер.
: 22 апреля 2026
Разъемные соединения. ФЦКН.01.25.00.000 СБ - Приспособление. Сборочный чертеж. Спецификация. Чертежи
В состав работы входит:
-3D модели всех деталей;
-3D сборка;
-3D сборка с разносом компонентов;
-Чертежи всех деталей;
-Чертежи стандартных изделий;
-Сборочный чертеж;
-Спецификация.
ФЦКН.01.25.00.000 СБ - Приспособление Сборочный чертеж
ФЦКН.01.25.01.000 СБ - Основание сварное Сборочный чертеж
ФЦКН.01.25.00.001 - Направляющая
ФЦКН.01.25.00.002 - Призма левая
ФЦКН.01.25.00.003 -
600 руб.