ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ. Отчет по лабораторной работе по дисциплине: Физические основы электроники
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
31.01.2013
-
Размер:
1 MB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
ДО Сибгути
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
A291040D-1601-4862-81B8-69FDC152ADC0.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Цель лабораторной работы:
1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении р-п перехода.
2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) для полупроводникового диода.
3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении по вольтамперной характеристике.
4. Анализ сопротивления диода (прямое и обратное смещение) на переменном и постоянном токе.
5. Измерение напряжения изгиба вольтамперной характеристики.
1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении р-п перехода.
2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) для полупроводникового диода.
3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении по вольтамперной характеристике.
4. Анализ сопротивления диода (прямое и обратное смещение) на переменном и постоянном токе.
5. Измерение напряжения изгиба вольтамперной характеристики.
Дополнительная информация
Оценка "Отлично"
Похожие материалы
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Антон28
: 8 августа 2025
1500 руб.
Зачет по физическим основам электроники. Вольт-амперная характеристика полупроводниковых диодов
qawsedrftgyhujik
: 16 декабря 2010
2семестр 2вариант.
Билет № 5
1.Отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов и чем они обусловлены.
2.Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника.Формулы для определения H - параметров в схемах с ОБ и ОЭ.
qawsedrftgyhujik
: 16 декабря 2010
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
aleks797
: 17 декабря 2011
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
aleks797
: 17 декабря 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
mirsan
: 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
lev12345678
: 17 марта 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
lev12345678
: 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследовани
ДО Сибгути
: 26 января 2013
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
SibGUTI2
: 3 июня 2019
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты.
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный перехо
SibGUTI2
: 3 июня 2019
50 руб.
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Art55555
: 6 августа 2009
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Art55555
: 6 августа 2009
100 руб.
Другие работы
Лабораторная работа № 4 по дисциплине «Сетевые базы данных-1»
m9c1k
: 6 февраля 2012
Задание № 1
Создайте файл z4-1a.htm с HTML-формой, позволяющей выбрать
а) горизонтальное (align, варианты значений: left, center, right),
б) вертикальное (valign, варианты значений: top, middle, bottom)
расположение текста в таблице.
Для (а) использовать радиокнопки, для (б) - флажки.
Обработка формы выполняется в скрипте z4-1b.php по нажатии кнопки "Выполнить".
В скрипте z4-1b.php сформировать таблицу, состоящую из одной ячейки шириной и высотой 100 пикселов, атрибуты ячейки align и valign
m9c1k
: 6 февраля 2012
100 руб.
Физика. 2-й семестр. Экзамен
Druzhba1356
: 5 октября 2014
Билет 9
1. Волновое движение. Поперечные и продольные волны. Уравнение волны. Характеристики волнового движения: длина волны, скорость
2. Спектр излучения атома водорода
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 03.10.2014
Druzhba1356
: 5 октября 2014
100 руб.
(ПКЗ) по дисциплине «Основы права»
aikys
: 12 января 2020
Что включает в себя термин "форма государства "? Из каких элементов он состоит? Ответ проиллюстрируйте примерами следующих государств: Россия, Казахстан, Индия.
2 20 баллов Перечислите и охарактеризуйте основные полномочия Правительства Российской Федерации.
3 20 баллов Дайте характеристику уголовному праву, как отрасли права, уточнив его предмет, метод и источники.
4 40 баллов Практическое задание: Используя нормы Федерального закона "О государственной гражданской службе" от 27.07.2004 №79–Ф
aikys
: 12 января 2020
40 руб.
Теория электрических цепей. Лабораторная работа №6 задание №3 (6-й вариант)
Durg
: 11 сентября 2021
Построить схему амплитудного корректора и ожидаемую характеристику ослабления корректора, если
R_2=40Ом,L_2=L_4=L_6=4мГн,С_2=С_4=100нФ,
R=260(итоговое)Ом
Рассчитать значения параметров элементов в продольном плече корректора, если R= 200+ N×10 Ом, где N –номер варианта.
Durg
: 11 сентября 2021
500 руб.
