ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ. Отчет по лабораторной работе по дисциплине: Физические основы электроники
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
31.01.2013
-
Размер:
1 MB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
ДО Сибгути
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
A291040D-1601-4862-81B8-69FDC152ADC0.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Цель лабораторной работы:
1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении р-п перехода.
2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) для полупроводникового диода.
3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении по вольтамперной характеристике.
4. Анализ сопротивления диода (прямое и обратное смещение) на переменном и постоянном токе.
5. Измерение напряжения изгиба вольтамперной характеристики.
1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении р-п перехода.
2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) для полупроводникового диода.
3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении по вольтамперной характеристике.
4. Анализ сопротивления диода (прямое и обратное смещение) на переменном и постоянном токе.
5. Измерение напряжения изгиба вольтамперной характеристики.
Дополнительная информация
Оценка "Отлично"
Похожие материалы
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Антон28
: 8 августа 2025
1500 руб.
Зачет по физическим основам электроники. Вольт-амперная характеристика полупроводниковых диодов
qawsedrftgyhujik
: 16 декабря 2010
2семестр 2вариант.
Билет № 5
1.Отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов и чем они обусловлены.
2.Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника.Формулы для определения H - параметров в схемах с ОБ и ОЭ.
qawsedrftgyhujik
: 16 декабря 2010
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
aleks797
: 17 декабря 2011
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
aleks797
: 17 декабря 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
mirsan
: 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
lev12345678
: 17 марта 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
lev12345678
: 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследовани
ДО Сибгути
: 26 января 2013
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
SibGUTI2
: 3 июня 2019
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты.
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный перехо
SibGUTI2
: 3 июня 2019
50 руб.
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Art55555
: 6 августа 2009
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Art55555
: 6 августа 2009
100 руб.
Другие работы
Теория вероятностей и математическая статистика. Экзамен. Билет №18.
student90s
: 23 июля 2015
Билет №18
1. Дисперсия и среднее квадратическое отклонение случайной величины и их свойства.
2. Случайная величина X имеет распределение:
Найти распределение случайной величины Y и ее математическое ожидание.
3. Интегральная функция распределения случайного вектора (X,Y):
Найти центр рассеивания случайного вектора.
4. Из колоды в 36 карт выбирают 4. Какова вероятность того, что среди них будет три туза?
5. Производится стрельба по некоторой цели, вероятность попадания в которую при
student90s
: 23 июля 2015
40 руб.
Роль ігротерапії в соціальній реабілітації дітей з вадами психофізичного розвитку
Qiwir
: 18 октября 2013
На кожному етапі свого розвитку, у різні історичні часи людство з підвищеною увагою ставилося до підростаючого покоління. Саме в дітях воно вбачало можливість вирішення багатьох проблем, з тривогою і надією вдивлялось у захоплені дитячі очі, сподіваючись побачити в них своє продовження, здійснення надій, почути відповіді на запитання, побачити нинішні покоління та власне майбутнє. Соціальні та економічні зміни, що відбуваються в Україні, призвели до різкого зниження життєвого рівня більшості нас
Qiwir
: 18 октября 2013
Схема динамометрирования-Плакат-Картинка-Фотография-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа-Формат Microsoft PowerPoint
leha.nakonechnyy.2016@mail.ru
: 11 ноября 2017
Схема динамометрирования-Плакат-Картинка-Фотография-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа-Формат Microsoft PowerPoint
leha.nakonechnyy.2016@mail.ru
: 11 ноября 2017
290 руб.
Элементы психотерапии в практике
Qiwir
: 14 октября 2013
Элементы психотерапии
Всё чаще и чаще мы слышим: "Мне нужен психолог...", "... мой психолог помог мне...", "Все эти психологи..." - и так до бесконечности. Как ни старайся не замечать, а психология прочно вошла в нашу жизнь. Так кто же такие эти психологи?
Психолог – это, прежде всего, специалист в области психологии, а психология, как нам известно, наука о душе. Отсюда мы можем сделать вывод, что психолог - это специалист в науке о душе. Однако в силу выделения в психологии множества отраслей
Qiwir
: 14 октября 2013
