ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ. Отчет по лабораторной работе по дисциплине: Физические основы электроники
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Цель лабораторной работы:
1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении р-п перехода.
2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) для полупроводникового диода.
3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении по вольтамперной характеристике.
4. Анализ сопротивления диода (прямое и обратное смещение) на переменном и постоянном токе.
5. Измерение напряжения изгиба вольтамперной характеристики.
1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении р-п перехода.
2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) для полупроводникового диода.
3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении по вольтамперной характеристике.
4. Анализ сопротивления диода (прямое и обратное смещение) на переменном и постоянном токе.
5. Измерение напряжения изгиба вольтамперной характеристики.
Дополнительная информация
Оценка "Отлично"
Похожие материалы
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1500 руб.
Зачет по физическим основам электроники. Вольт-амперная характеристика полупроводниковых диодов
qawsedrftgyhujik
: 16 декабря 2010
2семестр 2вариант.
Билет № 5
1.Отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов и чем они обусловлены.
2.Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника.Формулы для определения H - параметров в схемах с ОБ и ОЭ.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
aleks797
: 17 декабря 2011
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
lev12345678
: 17 марта 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследовани
150 руб.
СТАБИЛИТРОНЫ. Отчет по лабораторной работе по дисциплине: Физические основы электроники
ДО Сибгути
: 31 января 2013
Цель лабораторной работы:
1. Построение обратной ветви вольтамперной характеристики стабилитрона и определение напряжения стабилизации.
2. Вычисление тока и мощности, рассеиваемой стабилитроном.
3. Определение дифференциального сопротивления стабилитрона по вольтамперной характеристике.
4. Исследование изменения напряжения стабилитрона при изменении входного напряжения в схеме параметрического стабилизатора.
5. Исследование изменения напряжения на стабилитроне при изменении сопротивления в схем
85 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
SibGUTI2
: 3 июня 2019
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты.
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный перехо
50 руб.
Другие работы
Экзамен по дисциплине Социальные и этические вопросы информационных технологий. Билет 26
Некто
: 16 сентября 2018
Билет 26.
Тема: «Виды проблемного поведения пользователей в Сети»
Рецензия:
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Социальные и этические вопросы информационных технологий
Вид работы: Экзамен
Оценка: Отлично
Дата оценки: 2017
Рецензия: Уважаемый Некто,Ваша работа проверена. Оценка отлично.
Сторожева Светлана Петровна
100 руб.
Вариант 11. Контрольная работа По дисциплине: " Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1)"
costafel
: 13 декабря 2015
Задача № 1. Начертить принципиальную схему однотактного резисторного каскада предварительного усиления на БТ, включенном по схеме с ОЭ с эмитерной стабилизацией точки покоя. Рассчитать параметры элементов схемы, режим работы каскада по постоянному току, коэффициент усиления в области средних частот, входные параметры каскада и амплитуду входного сигнала.
Исходные данные
Марка транзистора КТ315А
Амплитуда сигнала на нагрузке, UmН=1,2 В
Относительный коэффициент усиления на верхней рабочей частот
350 руб.
Техническое обслуживание и ремонт холодильного шкафа ШХ-08 м
OstVER
: 11 ноября 2012
Введение
Глава 1. Теоретическая часть
1.1. Техническое обслуживание и ремонт холодильного шкафа ШХ-0,8 м
1.2. Способы устранения неисправностей различного оборудования
1.3. Обнаружение и устранение неисправностей холодильного оборудования
Глава 2. Техника безопасности
2.1. Основные требования к хладонам
2.2. Требования к агрегатам и электрооборудованию
Список литературы
Введение
Одно из ведущих мест в холодильной технике занимают малые холодильные машины, получившие широчайшее распрост
5 руб.
Готовые ответы на тест Электрические цепи постоянного тока Электротехника
Sanni
: 4 декабря 2025
Готовые ответы по курсу Электротехника 2025
В Демо версии вопросы к тестам, нумерация может меняться.
ТЕСТ 1 - Цепи постоянного тока - 20 вопросов
Перед покупкой сверьте, есть ли нужные вопрос-ответы!!!!
150 руб.