ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ. Отчет по лабораторной работе по дисциплине: Физические основы электроники

Цена:
67 руб.

Состав работы

material.view.file_icon A291040D-1601-4862-81B8-69FDC152ADC0.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Цель лабораторной работы:
1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении р-п перехода.
2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) для полупроводникового диода.
3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении по вольтамперной характеристике.
4. Анализ сопротивления диода (прямое и обратное смещение) на переменном и постоянном токе.
5. Измерение напряжения изгиба вольтамперной характеристики.

Дополнительная информация

Оценка "Отлично"
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Зачет по физическим основам электроники. Вольт-амперная характеристика полупроводниковых диодов
2семестр 2вариант. Билет № 5 1.Отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов и чем они обусловлены. 2.Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника.Формулы для определения H - параметров в схемах с ОБ и ОЭ.
User qawsedrftgyhujik : 16 декабря 2010
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
User aleks797 : 17 декабря 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
User lev12345678 : 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследовани
User ДО Сибгути : 26 января 2013
150 руб.
promo
СТАБИЛИТРОНЫ. Отчет по лабораторной работе по дисциплине: Физические основы электроники
Цель лабораторной работы: 1. Построение обратной ветви вольтамперной характеристики стабилитрона и определение напряжения стабилизации. 2. Вычисление тока и мощности, рассеиваемой стабилитроном. 3. Определение дифференциального сопротивления стабилитрона по вольтамперной характеристике. 4. Исследование изменения напряжения стабилитрона при изменении входного напряжения в схеме параметрического стабилизатора. 5. Исследование изменения напряжения на стабилитроне при изменении сопротивления в схем
User ДО Сибгути : 31 января 2013
85 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты. 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный перехо
User SibGUTI2 : 3 июня 2019
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
Техническая термодинамика и теплопередача ГАУСЗ (ТГСХА) Задача 1 Вариант 9
Газ массой m имеет начальные параметры — давление р1 и температуру t1. После политропного изменения состояния газа объём его стал V2 давление р2. Определить начальный объем V1, конечную температуру Т2 газа, показатель политропы n, теплоёмкость процесса с, работу расширения газа L, изменение внутренней энергии ∆U и изменение энтропии ∆S. Определить эти же величины, если изменение состояния газа происходит по изотерме до того же значения конечного объёма V2. Сделать и записать выводы по полученным
User Z24 : 25 декабря 2025
200 руб.
Техническая термодинамика и теплопередача ГАУСЗ (ТГСХА) Задача 1 Вариант 9
Практическое задание №3. Закупки.
Бланк выполнения практического задания 3 Условие ГБУЗ проводит электронный аукцион на закупку офисной бумаги. В техническом задании описано наименование товара и его характеристики: бумага офисная «SvetoCopy» или эквивалент белая, плотность не менее 80 г/см2, поддержка двухсторонней печати. Поступило 5 заявок. Поступившие заявки Заявка № 1 Наименование и характеристики товара, наименование страны происхождения товара: бумага офисная, белая, плотность 80 г/см2, поддержка двухсторонней печати
User studypro3 : 1 июля 2019
200 руб.
Сечение тела. Вариант 3 ЧЕРТЕЖ
Сечение тела. Вариант 3 ЧЕРТЕЖ Перечертить и закончить в трех проекциях чертеж усеченной полой модели. Найти натуральную величину фигуры сечения. Построить аксонометрическую проекцию. Исходные данные для выполнения задания d = 90 мм d1 = 72 мм h = 35 мм h1 = 25 мм h2 = 25 мм е = 62 мм е1 = 28 мм k = 12 мм m = 45 мм Чертеж выполнен на формате А3 + 3d модель + ПДФ(все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D. Также открывать и просматривать, печа
User coolns : 16 января 2026
150 руб.
Сечение тела. Вариант 3 ЧЕРТЕЖ
ФЦКН.01.25.00.000 СБ - Приспособление
Разъемные соединения. ФЦКН.01.25.00.000 СБ - Приспособление. Сборочный чертеж. Спецификация. Чертежи В состав работы входит: -3D модели всех деталей; -3D сборка; -3D сборка с разносом компонентов; -Чертежи всех деталей; -Чертежи стандартных изделий; -Сборочный чертеж; -Спецификация. ФЦКН.01.25.00.000 СБ - Приспособление Сборочный чертеж ФЦКН.01.25.01.000 СБ - Основание сварное Сборочный чертеж ФЦКН.01.25.00.001 - Направляющая ФЦКН.01.25.00.002 - Призма левая ФЦКН.01.25.00.003 -
User .Инженер. : 22 апреля 2026
600 руб.
ФЦКН.01.25.00.000 СБ - Приспособление promo
up Наверх