ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ. Отчет по лабораторной работе по дисциплине: Физические основы электроники

Категории: СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
Добавлен: 31.01.2013
Размер: 1 MB
Покупок: 1
Добавил:
ДО Сибгути

Написать сообщение

Все работы пользователя

Цена:

67 руб.

Скачать

A291040D-1601-4862-81B8-69FDC152ADC0.doc [Office 2010, 1 MB]

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

Цель лабораторной работы:
1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении р-п перехода.
2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) для полупроводникового диода.
3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении по вольтамперной характеристике.
4. Анализ сопротивления диода (прямое и обратное смещение) на переменном и постоянном токе.
5. Измерение напряжения изгиба вольтамперной характеристики.

Дополнительная информация

Оценка "Отлично"

Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники

Антон28 : 8 августа 2025

1500 руб.

Зачет по физическим основам электроники. Вольт-амперная характеристика полупроводниковых диодов

2семестр 2вариант. Билет № 5 1.Отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов и чем они обусловлены. 2.Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника.Формулы для определения H - параметров в схемах с ОБ и ОЭ.

СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая

qawsedrftgyhujik : 16 декабря 2010

100 руб.

Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы

СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая

aleks797 : 17 декабря 2011

50 руб.

Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани

Электроника Работа Лабораторная

mirsan : 24 января 2015

55 руб.

Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б

СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная

lev12345678 : 17 марта 2013

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследовани

СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая

ДО Сибгути : 26 января 2013

150 руб.

СТАБИЛИТРОНЫ. Отчет по лабораторной работе по дисциплине: Физические основы электроники

Цель лабораторной работы: 1. Построение обратной ветви вольтамперной характеристики стабилитрона и определение напряжения стабилизации. 2. Вычисление тока и мощности, рассеиваемой стабилитроном. 3. Определение дифференциального сопротивления стабилитрона по вольтамперной характеристике. 4. Исследование изменения напряжения стабилитрона при изменении входного напряжения в схеме параметрического стабилизатора. 5. Исследование изменения напряжения на стабилитроне при изменении сопротивления в схем

СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая

ДО Сибгути : 31 января 2013

85 руб.

Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты

Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты. 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный перехо

ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники

SibGUTI2 : 3 июня 2019

50 руб.

Основы информационной безопасности. Контрольная работа. Тема №48. Проблема угроз «нулевого дня» Аспект информационной безопасности при использовании концепции BYOD

Основы информационной безопасности. Контрольная работа. Тема №48. Проблема угроз «нулевого дня» Аспект информационной безопасности при использовании концепции BYOD Содержание Введение 3 1 Обзор проблемы нулевого дня 5 1.1 Понятие нулевого дня 5 1.2 Защита от атак нулевого дня 7 2 Анализ технологии Bring Your Own Device 9 2.1 Основные понятия технологии 9 2.2 Обзор задач 10 2.3 Подходы для обеспечения безопасности 13 Заключение 18 Список использованных источников 19

Основы информационной безопасности ДО СИБГУТИ Работа Контрольная

SibGUTI2 : 16 декабря 2019

150 руб.

ММА Государственная кадровая политика Тест 20 из 20 ответов 2024 год

ММА Государственная кадровая политика Тест 20 из 20 ответов 2024 год Московская Международная Академия (ММА) Тест оценка ОТЛИЧНО 2024 год Ответы на 20 вопросов Результат – 20 из 20 ответов С вопросами вы можете ознакомиться до покупки ВОПРОСЫ: 1. Кадровая политика – это 2. Для того чтобы управлять кадровой политикой необходимо пройти несколько этапов 3. Системность это 4. Эффективность это 5. Методичность это 6. При выборе кадровой политики учитываются следующие факторы 7. Формирование

Государственная кадровая политика Московская Международная академия (ММА) Тесты

mosintacd : 11 февраля 2024

150 руб.

Анализ трудовой деятельности рентгенлаборанта медицинского учреждения

Рентгеновское отделение – это структурное подразделение, которое обслуживает поликлинику на 1050 посещений и стационар на 510 коек. В состав поликлиники входит рентгеновское отделение, где проводят рентгенодиагностические исследования по направлениям от специалистов, а также профилактические осмотры населения на заболевания органов грудной клетки. В поликлинике работают 2 врача – рентгенолога, 4 рентген - лаборанта, 2 санитарки и 1 мед. регистратор. Рентгеновское отделение включает в себя: флюор

Медицина и медицинская техника Работа

evelin : 23 января 2013

Гидравлика БГИТУ Задача 1.1 Вариант 35

Какую силу Р нужно приложить к поршню левого сосуда, наполненного водой, чтобы уравновесить давление воды на поршень правого сосуда? (Рисунок 1)

Задачи Гидравлика

Z24 : 29 июля 2026

180 руб.