Электроника. Курсовая работа. 3-й сем, Вариант №00

Цена:
40 руб.

Состав работы

material.view.file_icon AC129094-5CD7-401B-83FC-93958590C321.rar [ 251 KB ]
material.view.file_icon 5C2501D5-B452-45D4-9A8F-4E11888AC0A2.docx [ 268 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Техническое задание
1. Напряжение источника питания Uп = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 10.
3. Входное сопротивление Rвх = 10 Мом.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 2 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 15 Гц.
7. Верхняя рабочая частота fв = 20 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн = 1дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн = 1дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – симметричный

Дополнительная информация

Как писал: nsudnicyn
Коментарии: Оценка - "Отлично"
Лично я работу не проверял и не сдавал! Скачал не ту и поэтому перепродаю:)
Все комментарии к писателю! По моему мнению может чего-то не хватать.

Похожие материалы

Электроника. Курсовая работа. 3-й сем. Вариант №4
Цель работы 1. Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов 2. Осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов. 3. Производить электрический расчет схем простейших аналоговых устройств. 4. Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем. Выбор варианта Номер варианта определяется двумя последними цифрами пароля. В отдельных случаях номер варианта задает преподаватель. В
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Vasay2010 : 17 мая 2015
42 руб.
Электроника. Курсовая работа. 3-й сем. Вариант №6
Содержание Введение 3 Задание 4 Электрический расчет цифровой схемы 5 Разработка топологии ИМС 12 Выводы 17 Литература 18 Задание. Целью курсовой работы является закрепление теоретического материала по второму разделу курса «Электроника» и приобретению навыков анализа ЦИМС и составления топологии гибридных ИМС. Курсовая работа состоит из введения, двух основных разделов и вывода. Во введении необходимо кратко описать преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных ми
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Vasay2010 : 17 марта 2013
42 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й сем.
1.Структурные схемы и поколения ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User Vasay2010 : 11 мая 2015
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Экзамен
Вопрос 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передат
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User tpogih : 28 января 2015
100 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й сем, Билет №19
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-ти
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User Vasay2010 : 19 марта 2013
49 руб.
Электротехника и электроника (3-й сем). Контрольная работа. Вариант 08
тема: «Параметры полевого и биполярного транзисторов» Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исх.данные: тип ПТ: КП307В; UСИ0: 7 B; UЗИ0: -3.2 В. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора о
Электротехника СибГУТИ Работа Контрольная
User jozzyk : 22 ноября 2015
160 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (3-й сем.) Экзамен. Билет 11
1. Амплитудные корректоры. Назначение. Принцип построения схемы. 2. Определить переходную характеристику g(t). R=1000 Oм, C=1 мкФ
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User sun525 : 23 июля 2015
50 руб.
Информатика. Курсовая работа. (2-й сем, 07-Вариант)
Задание: Создать базу данных, для хранения данных о поставках товаров на склад. В таблицах базы данных должны быть следующие поля: Код товара,
Информатика Работа Контрольная
User Kozhin2010 : 11 ноября 2014
200 руб.

Другие работы

Экзамен По дисциплине: Основы физической оптики (ДВ 1.1). Билет №04.
Экзаменационный билет No 4 1. Уровень мощности на входе ОВ длиной 82 км равен 4дБм, а на его выходе – (-26)дБм. Определите километрические коэффициенты затухания и поглощения ОВ, а также мощность оптического сигнала на его входе и выходе. 2. Две длины волны – 0,4 мкм и 0,7 мкм падают на дифракционную решетку, с периодом 12 мкм, находящуюся на расстоянии 12 см от экрана. Определить, на каком расстоянии друг от друга будут расположены максимумы 1-го порядка. 3. Поясните, как изменится инте
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Основы физической оптики
User teacher-sib : 21 октября 2019
450 руб.
promo
ИГ.02.20.02 - Эпюр 2. Задача 2
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16 Вариант 20 ИГ.02.20.02 - Эпюр 2. Задача 2. Способ перемены плоскостей проекций Определить расстояние между параллельными параллельными прямыми m и n. Построить проекции расстояния. Решать способом перемены плоскостей проекций. А(80;70;90) В(20;30;30) С(120;60;80) В состав работы входят два файла: - чертеж формата А3 с сохранением всех линий построения, для большей понятности стрелками указан ход построения, равные расстояния при первой замене помечены з
СибГАУ Чертежи Инженерная графика
User Чертежи СибГАУ им. Решетнева : 26 июля 2023
100 руб.
ИГ.02.20.02 - Эпюр 2. Задача 2
Салазки к электродвигателю 02.025. Деталирование
При необходимости изменения расстояния между осями электродвигателя и редуктора (на чертеже не показан) электродвигатель устанавливают на салазки. Салазки 2 скользят по направляющим корпуса 1, который крепится к станине машины. Между корпусом и салазками вставлена планка 9, ее положение регулируется винтами 17. Планка 9 компенсирует неточность изготовления пазов. В салазках 2 имеется вырез, в котором закреплен поводок 4. Через отверстие в боковой стенке корпуса проходит винт 6, соединенный с ква
Чертежи Инженерная графика
User HelpStud : 20 февраля 2019
400 руб.
Салазки к электродвигателю 02.025. Деталирование promo
Экзамен по предмету: Бухгалтерский учет
ВОПРОСЫ ДЛЯ ПРОВЕРКИ ОСТАТОЧНЫХ ЗНАНИЙ СЛУШАТЕЛЕЙ ПО КУРСУ БУХГАЛТЕРСКИЙ УЧЕТ 1. Сколько информационных зон имеет бухгалтерский счет 2. Как называются документы, в которых осуществляется группировка и накопление учетной информации 3. Каким операциям будут соответствовать кредитовые обороты по ресурсным счетам реального имущества 4. Какой признак положен в основу построения журналов-ордеров 5. Какая информация со счетов бухгалтерского учета используется в отчете о прибыли и убытках 6. Какая груп
ДО СИБГУТИ Бухгалтерский учет и аудит Работа Экзаменационная
User ДО Сибгути : 1 февраля 2016
70 руб.
up Наверх