Устройства оптоэлектроники. 4-й сем. Вариант №6

Цена:
48 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 4C9A2ACB-2D27-4360-A69A-FE2400A61770.rar [ 628 KB ]
material.view.file_icon КР.doc [ 19 MB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника (Составной фототранзистор). Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.

Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность, n=0,2
Ширина запрещенной зоны W=0,6 эВ

Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).

Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода (АЛ102В), с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит= 5В. и Rогр=510Ом. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 24.04.2013
Рецензия:Уважаемый слушатель,Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Устройства оптоэлектроники. Зачет. 4-й сем.
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1. Классификация оптоэлектронных приборов и устройств. Раздел Излучатели. 2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фоторезистора. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного блокинг-генератора.
СибГУТИ Электроника Работа Зачетная
User Vasay2010 : 28 апреля 2013
52 руб.
Устройства оптоэлектроники. 4-й сем. Вариант №4
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. По таблице 1. Тип фотоприемника (ФП) Лавинный фотодиод Вариант№0 Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Таблица 2. Варианты и данные
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Vasay2010 : 30 апреля 2015
48 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет. 4-й сем. Билет №7
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Световые параметры. Раздел Излучатели. 2.Принцип действия и условия работы лазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.ПЗС фотоприемник. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
СибГУТИ Электроника Работа Зачетная
User Vasay2010 : 30 апреля 2015
39 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет. 4-й сем. Билет №5
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Энергетические характеристики оптического излучения. Раздел Излучатели. 2.Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Плазменные панели.
СибГУТИ Электроника Работа Зачетная
User Vasay2010 : 12 мая 2013
49 руб.
Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.

Другие работы

Ефективність використання ресурсів підприємства
РОЗДІЛ І 1. Ефективність використання ресурсів підприємства 2. Показники ефективності господарської діяльності підприємства і використання окремих видів ресурсів 3. Основні показники підвищення ефективності підприємства 4. Шляхи підвищення економічної ефективності підприємства РОЗДІЛ ІІ 2. Аналіз існуючого стану використання виробничих і трудових ресурсів підприємства 2.1. Показник стану і руху основних фондів 2.2. Показники оснащення підприємства і робітників основними фондами 2.
Работа Экономика
User Elfa254 : 13 ноября 2013
10 руб.
Глобальні фінансові виклики
Тема контрольної роботи «Глобальні фінансові виклики». У роботі проаналізовано основні причини виникнення світової фінансової кризи, з'ясовано чинники та визначено механізми поширення кризових явищ на фінансовому ринку, розглянуто особливості розвитку кризових явищ у фінансовій сфері України, окреслено напрями й заходи, здійснення яких дасть змогу зменшити наслідки світової фінансової кризи. Фінансова криза виникла не вперше в економічній історії, однак і цього разу світова економіка виявилася
Финансы Работа Курсовая
User Slolka : 25 октября 2013
10 руб.
Термодинамика и теплопередача ИРНИТУ 2019 Задача 1 Вариант 80
Считая теплоемкость идеального газа зависящей от температуры, определить: параметры газа в начальном и конечном состояниях, изменение внутренней энергии, теплоту, участвующую в процессе и работу расширения. Исходные данные, необходимые для решения задачи, выбрать из таблицы 1. Указание: зависимость величины теплоемкости от температуры дана в табл. (приложение Б).
Задачи Теплотехника
User Z24 : 9 апреля 2026
200 руб.
Термодинамика и теплопередача ИРНИТУ 2019 Задача 1 Вариант 80
Роторний траншейний екскаватор із підвищеними тяговими характеристиками
Роторний траншейний екскаватор призначений для утворення траншей різного інженерного призначення, складається із навісного обладнання 3, що включає в себе ротор, в карманах якого модульно встановлені різці для розробки та виносу грунту із забою. При виконанні робіт на перезволоженому ґрунту або засніженій опорній поверхні, коли зчеплення між колісним рушієм та ґрунтом може бути недостатнім для того, щоб розвинути достатню силу тяги для ефективної роботи, екскаватор оснащений ланцюговим рушієм
Диплом и связанное с ним Дипломные проекты
User SerFACE : 7 сентября 2011
1600 руб.
Роторний траншейний екскаватор із підвищеними тяговими характеристиками
up Наверх