Устройства оптоэлектроники. 4-й сем. Вариант №6
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника (Составной фототранзистор). Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность, n=0,2
Ширина запрещенной зоны W=0,6 эВ
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода (АЛ102В), с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит= 5В. и Rогр=510Ом. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Изобразить структуру фотоприемника (Составной фототранзистор). Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность, n=0,2
Ширина запрещенной зоны W=0,6 эВ
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода (АЛ102В), с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит= 5В. и Rогр=510Ом. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 24.04.2013
Рецензия:Уважаемый слушатель,Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 24.04.2013
Рецензия:Уважаемый слушатель,Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Зачет. 4-й сем.
Vasay2010
: 28 апреля 2013
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Классификация оптоэлектронных приборов и устройств.
Раздел Излучатели.
2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фоторезистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного блокинг-генератора.
52 руб.
Устройства оптоэлектроники. 4-й сем. Вариант №4
Vasay2010
: 30 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По таблице 1. Тип фотоприемника (ФП) Лавинный фотодиод
Вариант№0
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные
48 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет. 4-й сем. Билет №7
Vasay2010
: 30 апреля 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Световые параметры.
Раздел Излучатели.
2.Принцип действия и условия работы лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.ПЗС фотоприемник.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
39 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет. 4-й сем. Билет №5
Vasay2010
: 12 мая 2013
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические характеристики оптического излучения.
Раздел Излучатели.
2.Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Плазменные панели.
49 руб.
Зачетная работа по предмету: Устройства оптоэлектроники. Вариант №6.
ДО Сибгути
: 6 марта 2016
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Излучатели на основе гетероструктур.
Раздел Излучатели.
2.Получение разных цветов с помощью светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия кремникона.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации.
50 руб.
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 9 марта 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 13 февраля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
500 руб.
Другие работы
Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 3 Вариант 35
Z24
: 12 января 2026
Расчет цикла Карно применительно к тепловому двигателю
Рабочее тело в цикле Карно — 1 кг сухого воздуха. Предельные температуры рабочего тела в цикле: наибольшая t1, наименьшая t3 (табл.1). Предельные давления рабочего тела в цикле: наибольшее p1, наименьшее p3 (табл.2).
Определить:
1) основные параметры рабочего тела в характерных точках цикла;
2) количество теплоты, подведенное в цикле;
3) количество теплоты, отведенное в цикле;
4) полезную работу, совершенную рабочим телом за ци
350 руб.
Государственный бюджет и его исполнение за период январь- октябрь в 2009 и 2010 г
Elfa254
: 22 февраля 2014
СОДЕРЖАНИЕ
Введение……………………………………………………………………………………………………..3
1.Понятие государственного бюджета..…………………………………………………………………...4
2.Исполнение республиканского бюджета в период за январь-октябрь в 2009 и 2010 годах………….6
Заключение………………………………………………………………………………………………… ..9
Приложение А……………………………………………………………………………………………….10
Список использованных источников………………………………………………………………………11
ВВЕДЕНИЕ
Государственный бюджет – важнейший финансовый документ страны, определяющий многие параметры ее развития
20 руб.
Теплотехника 18.03.01 КубГТУ Задача 4 Вариант 77
Z24
: 23 января 2026
Две близко расположенные друг к другу пластины с температурами t1, t2 и степенью черноты ε1, ε2 обмениваются лучистой энергией. Определить: собственное излучение для каждой пластины; плотность результирующего теплового потока между пластинами; изменение плотности теплового потока после установки между пластинами плоского параллельного им экрана со степенью черноты εэ.
150 руб.
Экзамен по дисциплине: макроэкономика. Билет №2
xtrail
: 5 апреля 2013
1. Фаза кризиса характеризируется:
а) падением цен, переполнением рынка товарами.
б) резким сокращением объемов производства.
в) массовым банкротством и гибелью множества предприятий.
г) ростом безработицы и снижением заработной платы.
д) паникой на фондовой бирже и массовым падением курса акций.
е) кризисом кредитной системы, массовым банкротством банков и резким ростом ссудного процента.
Практические задания.
1. Реальный ВНП России в 1996 г. составил 46% от уровня 1991 г. Цены за этот период в
120 руб.