Устройства оптоэлектроники. 4-й сем. Вариант №6
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Контрольная
-
Добавлен:
28.04.2013
-
Размер:
628 KB
-
Покупок:
30
-
Добавил:
Vasay2010
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника (Составной фототранзистор). Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность, n=0,2
Ширина запрещенной зоны W=0,6 эВ
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода (АЛ102В), с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит= 5В. и Rогр=510Ом. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Изобразить структуру фотоприемника (Составной фототранзистор). Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность, n=0,2
Ширина запрещенной зоны W=0,6 эВ
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода (АЛ102В), с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит= 5В. и Rогр=510Ом. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 24.04.2013
Рецензия:Уважаемый слушатель,Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 24.04.2013
Рецензия:Уважаемый слушатель,Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Зачет. 4-й сем.
Vasay2010
: 28 апреля 2013
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1. Классификация оптоэлектронных приборов и устройств.
Раздел Излучатели.
2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фоторезистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного блокинг-генератора.
Vasay2010
: 28 апреля 2013
52 руб.
Устройства оптоэлектроники. 4-й сем. Вариант №4
Vasay2010
: 30 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По таблице 1. Тип фотоприемника (ФП) Лавинный фотодиод
Вариант№0
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные
Vasay2010
: 30 апреля 2015
48 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет. 4-й сем. Билет №7
Vasay2010
: 30 апреля 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Световые параметры.
Раздел Излучатели.
2.Принцип действия и условия работы лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.ПЗС фотоприемник.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
Vasay2010
: 30 апреля 2015
39 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачет. 4-й сем. Билет №5
Vasay2010
: 12 мая 2013
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические характеристики оптического излучения.
Раздел Излучатели.
2.Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Плазменные панели.
Vasay2010
: 12 мая 2013
49 руб.
Зачетная работа по предмету: Устройства оптоэлектроники. Вариант №6.
ДО Сибгути
: 6 марта 2016
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Излучатели на основе гетероструктур.
Раздел Излучатели.
2.Получение разных цветов с помощью светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия кремникона.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации.
ДО Сибгути
: 6 марта 2016
50 руб.
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
alru
: 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 9 марта 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
arkadij
: 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 13 февраля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
arkadij
: 13 февраля 2016
500 руб.
Другие работы
ГОСТ 13151.6-94 Ферромолибден. Метод определения фосфора
evelin
: 9 мая 2013
Настоящий стандарт устанавливает фотометрический метод определения фосфора в ферромолибдене (при массовой доле фосфора от 0,01 до 0,12%).
evelin
: 9 мая 2013
4 руб.
Гидравлика Севмашвтуз 2016 Задача 15 Вариант 5
Z24
: 30 октября 2025
При истечении жидкости из резервуара в атмосферу по горизонтальной трубе диаметра d и длиной 2L уровень в пьезометре, установленном посередине длины трубы, равен h (рис. 15). Определить расход Q и коэффициент гидравлического трения трубы λ, если статический напор в баке постоянен и равен H. Сопротивлением входа в трубу пренебречь.
Z24
: 30 октября 2025
150 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Теория теплообмена Задача 3 Вариант 17
Z24
: 12 января 2026
Стальной трубопровод диаметром d1/d2=100 мм/110 мм с коэффициентом теплопроводности λ1 покрыт изоляцией в 2 слоя одинаковой толщины δ2=δ3=50 мм, причем первый слой имеет коэффициент теплопроводности λ2, второй λ3.
Определить потери теплоты через изоляцию с 1 м трубы, если температура внутренней поверхности t1, а наружной поверхности изоляции t4. Определить температуру на границе соприкосновения слоев t3. Как изменится величина тепловых потерь с 1 м трубопровода, если слой изоляции поменять ме
Z24
: 12 января 2026
200 руб.
Газотурбинные установки ТОГУ 2018 Вариант 46
Z24
: 2 февраля 2026
Расчет теоретического и действительного циклов ГТУ
Выполняется расчет простого цикла ГТУ для условной двухвальной установки. Схема установки и теоретический цикл в координатах «давление — удельный объем » представлены на рис. 1.
Исходные данные:
— параметры окружающей среды р0=0,1 МПа; Т0=293 К;
— степень повышения давления в компрессоре πК;
— степень повышения температуры в КС θ;
— изоэнтропический (адиабатический) КПД компрессора ηК;
— внутренний КПД турбины ηТ.
При ра
Z24
: 2 февраля 2026
700 руб.
