Контрольная работа по дисциплине «Физические основы электроники». Вариант № 3
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
03.05.2013
-
Размер:
1 MB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
xtrail
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
1F44B96A-A26E-4E9A-AAA1-ED45411B23A6.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дополнительная информация
Оценка - отлично!
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине Физические основы электроники. Вариант №3
snrudenko
: 31 января 2017
Варианты заданий для последней цифры пароля.
Таблица П.А.1
№ вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
3 КТ603А 60 1000 250 150 100 2.25 90
Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
snrudenko
: 31 января 2017
100 руб.
Вариант №3. Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
MK
: 3 октября 2016
Задача 1. Исходные данные для задачи берем из таблицы 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора КТ603А, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линей
MK
: 3 октября 2016
157 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические Основы Электроники. Вариант 3.
ДО Сибгути
: 5 февраля 2016
ЗАДАЧА No1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллекто
ДО Сибгути
: 5 февраля 2016
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: "Физические основы электроники". Вариант №3
wowan1190
: 3 декабря 2013
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:а) построить линию нагрузки;б).....
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные па
wowan1190
: 3 декабря 2013
65 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №3
julacha1507
: 21 ноября 2013
ЗАДАЧА No1
. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезн
julacha1507
: 21 ноября 2013
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине «Физические основы электроники». Вариант №3
2pqp
: 7 декабря 2012
СибГУТИ, 3 семестр, контрольная по ФОЭ, 3 вариант
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относит
2pqp
: 7 декабря 2012
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
andreyan
: 13 декабря 2017
60 руб.
Другие работы
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 1 Вариант 90
Z24
: 14 декабря 2025
Для газовой смеси, имеющей определенный объем каждого компонента определить:
— объемный состав смеси;
— массовый состав смеси;
— удельные газовые постоянные компонентов и смеси;
— кажущуюся молекулярную массу смеси;
— массы и парциальные давления компонентов, при давлении смеси (рсм, МПа), объеме смеси (м³) и температуре (tсм);
— плотность и удельный объем компонентов и смеси при заданных и нормальных физических условиях;
— средние теплоемкости смеси (массовую и объемную) пр
Z24
: 14 декабря 2025
280 руб.
Функциональные сбои персонального компьютера при воздействии электромагнитных импульсов сверхкороткой длительности
evelin
: 28 октября 2012
Обсуждаются результаты цикла сравнительного экспериментального исследования условий функционирования персонального компьютера в условиях воздействия электромагнитных импульсов ультракороткой длительности (УКД) с различными спектральными характеристиками. Для многих практических применений в области электромагнитной совместимости и стойкости (ЭМС/С) электронной техники в качестве основного критерия внешнего воздействующего фактора УКД предлагается использование спектральной плотности напряженност
evelin
: 28 октября 2012
19 руб.
Оптоэлектроника и нанофотоника Вариант 16
Евга
: 17 марта 2023
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля Тип фотоприемника (ФП)
6 Составной фототранзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Предпоследняя цифра пароля Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ∆W, эВ
1 Si
Евга
: 17 марта 2023
150 руб.
Сбербанк России и его кредитная политика
VikkiROY
: 5 ноября 2012
Содержание
Введение
1 Объекты и субъекты кредитования в Сбербанке РФ
1.1 Сущность кредитных операций
2 Условия кредитования клиентов
2.1 Условия кредитования индивидуальных заемщиков
2.2 Условия кредитования юридических лиц
3 Методика определения кредитоспособности в Сбербанке РФ
3.1 Проблемы и суждения
3.2 Перспективные и новые методы оценки кредитоспособности
3.3 Порядок определения кредитоспособности заемщиков в учреждениях Сбербанка
Заключение
Литература
VikkiROY
: 5 ноября 2012
10 руб.
