Физика. 2-й семестр. Лабораторная № 4. Вариант № 9. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Краткие теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением: (1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
1. Установим силу тока через образец 9,4 мА.
2. Будем изменять температуру образца от 25 ̊ С до 80 ̊ С через 5 ̊ С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу.
Вычислим электропроводности образца при всех температурах по формуле , где l = 12,5 мм, S=ab, a = 3 мм, b =1 мм. Прологарифмируем полученные значения электропроводности.
Вычислим абсолютные температуры образца Т = t+273, К. Все данные занесем в таблицу измерений...
Краткие теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением: (1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
1. Установим силу тока через образец 9,4 мА.
2. Будем изменять температуру образца от 25 ̊ С до 80 ̊ С через 5 ̊ С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу.
Вычислим электропроводности образца при всех температурах по формуле , где l = 12,5 мм, S=ab, a = 3 мм, b =1 мм. Прологарифмируем полученные значения электропроводности.
Вычислим абсолютные температуры образца Т = t+273, К. Все данные занесем в таблицу измерений...
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Оценка:Зачет
Дата оценки: 13.02.2013
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа 4 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Оценка:Зачет
Дата оценки: 13.02.2013
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа 4 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
Лабораторная 4 Физика (спецглавы). Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
verunchik
: 7 июля 2012
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Устанавливаем силу тока через образец 8,6 мА.
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Другие работы
Элементная база телекоммуникационных систем — экзамен — Выборка из 5 вариантов.
magoter
: 13 января 2024
Элементная база телекоммуникационных систем — экзамен — Выборка из 5 вариантов.
Выборка №1:
Вопрос №1
Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора?
Вопрос №2
Как определяется дифференциальное сопротивление коллекторного перехода биполярного транзистора?
Вопрос №3
Уровень максимальной мощности, на котором измеряется ширина спектра излучения СИДа, равен...
Вопрос №4
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиле
300 руб.
Гидравлика АКАДЕМИЯ ГРАЖДАНСКОЙ ЗАЩИТЫ Задача 9 Вариант 08
Z24
: 12 марта 2026
К лафетному стволу с насадком dH1 подача воды осуществляется от двух пожарных автомобилей АНР-40(130) и АА-40(131). От автомобиля АНР-40(130) проложена рукавная линия диаметром di из прорезиненных рукавов длиной L1, от автомобиля АА-40(131) — из прорезиненных рукавов диаметром d2 и длиной L2. Ствол поднят на высоту Z.
Определить подачу каждого из пожарных насосов.
180 руб.
Гидравлика Москва 1990 Задача 9 Вариант 1
Z24
: 26 декабря 2025
Поршень диаметром D движется равномерно вниз в цилиндре, подавая жидкость Ж в открытый резервуар с постоянным уровнем (рис.9). Диаметр трубопровода d, его длина l. Когда поршень находится ниже уровня жидкости в резервуаре на Н=0,5 м, потребная для его перемещения сила равна F. Определить скорость поршня и расход жидкости в трубопроводе. Построить напорную и пьезометрическую линии для трубопровода. Коэффициент гидравлического трения трубы принять λ=0,03. Коэффициент сопротивления входа в трубу ξв
250 руб.
СибГути Лабораторная работа №5 по курсу “Программирование на языке высокого уровня (2 ч.)” 1 семестр 3 вариант
hunter911
: 19 октября 2009
Лабораторная работа №5
Работа с файлами языка Си
Задание 1. Используя функции и режим меню, создать файл из 10 структур, просмотреть файл, добавить в файл новую информацию и, применяя режим прямого доступа, выполнить задание по своему варианту.
Варианты задания 1
3. Структура имеет вид: название издания, газеты или журнала, стоимость одного экземпляра, количество экземпляров в год. Вывести на печать информацию о самом дешевом издании.
75 руб.