Физика. 2-й семестр. Лабораторная № 4. Вариант № 9. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Краткие теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением: (1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
1. Установим силу тока через образец 9,4 мА.
2. Будем изменять температуру образца от 25 ̊ С до 80 ̊ С через 5 ̊ С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу.
Вычислим электропроводности образца при всех температурах по формуле , где l = 12,5 мм, S=ab, a = 3 мм, b =1 мм. Прологарифмируем полученные значения электропроводности.
Вычислим абсолютные температуры образца Т = t+273, К. Все данные занесем в таблицу измерений...
Краткие теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением: (1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
1. Установим силу тока через образец 9,4 мА.
2. Будем изменять температуру образца от 25 ̊ С до 80 ̊ С через 5 ̊ С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу.
Вычислим электропроводности образца при всех температурах по формуле , где l = 12,5 мм, S=ab, a = 3 мм, b =1 мм. Прологарифмируем полученные значения электропроводности.
Вычислим абсолютные температуры образца Т = t+273, К. Все данные занесем в таблицу измерений...
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Оценка:Зачет
Дата оценки: 13.02.2013
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа 4 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Оценка:Зачет
Дата оценки: 13.02.2013
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа 4 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
Лабораторная 4 Физика (спецглавы). Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
verunchik
: 7 июля 2012
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Устанавливаем силу тока через образец 8,6 мА.
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Другие работы
Проектирование и эксплуатация сетей связи
yuriy190780
: 5 сентября 2018
Курсовая работа
По дисциплине: «Проектирование и эксплуатация сетей связи»
"ПРОЕКТ РАТС НА БАЗЕ ЦИФРОВОЙ АТС ТИПА EWSD"
Выполнил:
Группа:
Вариант: № 01
Проверил: Меленцова Н.А.
Задание на курсовой проект
Часть 1.
По заданной емкости РАТС типа EWSD, определить объем оборудования проектируемой станции, разработать структурную схему, разместить оборудование на стативах и в автозале;
№ вар N кварт Nн
300 руб.
Обеспечение информационной безопасности в телекоммуникациях. Экзамен. БИЛЕТ 3
aleshin
: 28 декабря 2022
Билет № 3
1. Дайте определения следующим параметрам, определяющим информационную безопасность телекоммуникационной системы: безопасность связи; целостность данных; доступность; секретность.
2. Поясните, почему применение метода информационного резервирования и резервирования элементов инфраструктуры телекоммуникационной системы позволяет обеспечить комплексную защиту пользовательской информации с QoS.
3. Поясните достоинства и недостатки «Логико-лавинно-статистического» метода формирования плана
166 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1). Контрольная работа. Вариант 6
Asiksep
: 8 декабря 2019
ЗАДАЧА 3.1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 3.1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Рассчитайте все токи и напряжение на С или L в три момента времени t:
4. Рассчитайте классическим методом переходн
15 руб.
Методы в возрастной психологии
Slolka
: 17 октября 2013
Оглавление
Введение. 2
1. Стратегия наблюдения. 2
2. Стратегия естественно-научного констатирующего эксперимента. 2
3. Стратегия формирующего эксперимента. 3
Методы опроса. 5
Тестирование. 5
Практические (невербальные) тесты.. 6
Тесты интеллекта. 7
Тесты специальных способностей. 8
Тесты личностные. 9
Тесты достижений. 9
Метод анализа продуктов деятельности. 11
Список литератуты.. 14
Введение
В истории возрастной психологии выделяются 3 основные стратегии:
1. Стратегия наблюдени