Физика. 2-й семестр. Лабораторная № 4. Вариант № 9. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников

Цена:
67 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon fiz9.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Краткие теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением: (1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
1. Установим силу тока через образец 9,4 мА.
2. Будем изменять температуру образца от 25 ̊ С до 80 ̊ С через 5 ̊ С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу.
Вычислим электропроводности образца при всех температурах по формуле , где l = 12,5 мм, S=ab, a = 3 мм, b =1 мм. Прологарифмируем полученные значения электропроводности.
Вычислим абсолютные температуры образца Т = t+273, К. Все данные занесем в таблицу измерений...

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Оценка:Зачет
Дата оценки: 13.02.2013
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа 4 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
Лабораторная 4 Физика (спецглавы). Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Устанавливаем силу тока через образец 8,6 мА.
User verunchik : 7 июля 2012
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Курсовой проект по ТММ на тему: “Проектирование и исследование механизмов брикетировочного автомата” Вариант № 6-3
СОДЕРЖАНИЕ Стр. 1. Задание на курсовое проектирование 3 1.1 Описание механизма 3 1.2 Исходные данные 4 2. Проектирование кривошипно-шатунного механизма 6 2.1 Определение основных размеров звеньев механизма 6 2.2 Построение планов скоростей 7 2.3 Приведение масс и сил 8 2.4 Определение избыточной работы внешних сил 10 2.5 Определение момента инерции маховика 11 3. Определение закона движения и силовой расчет кривошипно-шатунного механизма 12 3.1 Определение за
User yura909090 : 18 апреля 2012
100 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 4 Вариант 28
Круглое отверстие в вертикальной стенке закрытого резервуара с водой перекрыто сферической крышкой. Радиус сферы R = (0,5 + 0,02·y) м. угол α = (120 + 0,1·z)º, глубина погружения центра тяжести отверстия H = (1,0 + 0,1·y) м. Определить давление воды на крышку, если на свободной поверхности рм = (147 + 0,2·z) = 148,8 кПа (рис. 4).
User Z24 : 1 января 2026
200 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 4 Вариант 28
Втулка АКБ-3М
Втулка АКБ-3М-Деталь-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-(Формат Компас 3D -CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
User leha.nakonechnyy.2016@mail.ru : 31 января 2025
150 руб.
Втулка АКБ-3М
Задачник по процессам тепломассообмена Задача 1.37 Вариант 1з
В нагревательной печи, где температура газов tж1, стенка сделана из трех слоев: динасового кирпича толщиной 60 мм, красного кирпича толщиной 250 мм и снаружи слоя изоляции толщиной δиз. Воздух в цехе имеет температуру tж2. Коэффициент теплоотдачи в печи от газов к стенке α1, снаружи от изоляции к воздуху α2. Найти коэффициент теплопередачи от газов к воздуху, потери теплоты через стенку, температуры на поверхностях всех слоев. Построить график температур в стенке.
User Z24 : 23 октября 2025
180 руб.
Задачник по процессам тепломассообмена Задача 1.37 Вариант 1з
up Наверх