Физика. 2-й семестр. Лабораторная № 4. Вариант № 9. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Краткие теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением: (1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
1. Установим силу тока через образец 9,4 мА.
2. Будем изменять температуру образца от 25 ̊ С до 80 ̊ С через 5 ̊ С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу.
Вычислим электропроводности образца при всех температурах по формуле , где l = 12,5 мм, S=ab, a = 3 мм, b =1 мм. Прологарифмируем полученные значения электропроводности.
Вычислим абсолютные температуры образца Т = t+273, К. Все данные занесем в таблицу измерений...
Краткие теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением: (1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
1. Установим силу тока через образец 9,4 мА.
2. Будем изменять температуру образца от 25 ̊ С до 80 ̊ С через 5 ̊ С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу.
Вычислим электропроводности образца при всех температурах по формуле , где l = 12,5 мм, S=ab, a = 3 мм, b =1 мм. Прологарифмируем полученные значения электропроводности.
Вычислим абсолютные температуры образца Т = t+273, К. Все данные занесем в таблицу измерений...
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Оценка:Зачет
Дата оценки: 13.02.2013
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа 4 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Оценка:Зачет
Дата оценки: 13.02.2013
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа 4 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
Лабораторная 4 Физика (спецглавы). Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
verunchik
: 7 июля 2012
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Устанавливаем силу тока через образец 8,6 мА.
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Другие работы
Курсовой проект по ТММ на тему: “Проектирование и исследование механизмов брикетировочного автомата” Вариант № 6-3
yura909090
: 18 апреля 2012
СОДЕРЖАНИЕ
Стр.
1. Задание на курсовое проектирование 3
1.1 Описание механизма 3
1.2 Исходные данные 4
2. Проектирование кривошипно-шатунного механизма 6
2.1 Определение основных размеров звеньев механизма 6
2.2 Построение планов скоростей 7
2.3 Приведение масс и сил 8
2.4 Определение избыточной работы внешних сил 10
2.5 Определение момента инерции маховика 11
3. Определение закона движения и силовой расчет кривошипно-шатунного механизма 12
3.1 Определение за
100 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 4 Вариант 28
Z24
: 1 января 2026
Круглое отверстие в вертикальной стенке закрытого резервуара с водой перекрыто сферической крышкой. Радиус сферы R = (0,5 + 0,02·y) м. угол α = (120 + 0,1·z)º, глубина погружения центра тяжести отверстия H = (1,0 + 0,1·y) м.
Определить давление воды на крышку, если на свободной поверхности рм = (147 + 0,2·z) = 148,8 кПа (рис. 4).
200 руб.
Втулка АКБ-3М
leha.nakonechnyy.2016@mail.ru
: 31 января 2025
Втулка АКБ-3М-Деталь-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-(Формат Компас 3D -CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
150 руб.
Задачник по процессам тепломассообмена Задача 1.37 Вариант 1з
Z24
: 23 октября 2025
В нагревательной печи, где температура газов tж1, стенка сделана из трех слоев: динасового кирпича толщиной 60 мм, красного кирпича толщиной 250 мм и снаружи слоя изоляции толщиной δиз. Воздух в цехе имеет температуру tж2. Коэффициент теплоотдачи в печи от газов к стенке α1, снаружи от изоляции к воздуху α2. Найти коэффициент теплопередачи от газов к воздуху, потери теплоты через стенку, температуры на поверхностях всех слоев. Построить график температур в стенке.
180 руб.