Физика. 2-й семестр. Лабораторная № 4. Вариант № 9. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
29.05.2013
-
Размер:
43 KB
-
Покупок:
12
-
Добавил:
nik200511
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
fiz9.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Краткие теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением: (1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
1. Установим силу тока через образец 9,4 мА.
2. Будем изменять температуру образца от 25 ̊ С до 80 ̊ С через 5 ̊ С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу.
Вычислим электропроводности образца при всех температурах по формуле , где l = 12,5 мм, S=ab, a = 3 мм, b =1 мм. Прологарифмируем полученные значения электропроводности.
Вычислим абсолютные температуры образца Т = t+273, К. Все данные занесем в таблицу измерений...
Краткие теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением: (1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
1. Установим силу тока через образец 9,4 мА.
2. Будем изменять температуру образца от 25 ̊ С до 80 ̊ С через 5 ̊ С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесем в таблицу.
Вычислим электропроводности образца при всех температурах по формуле , где l = 12,5 мм, S=ab, a = 3 мм, b =1 мм. Прологарифмируем полученные значения электропроводности.
Вычислим абсолютные температуры образца Т = t+273, К. Все данные занесем в таблицу измерений...
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Оценка:Зачет
Дата оценки: 13.02.2013
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа 4 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Оценка:Зачет
Дата оценки: 13.02.2013
Рецензия:Уважаемая , Ваша лабораторная работа 4 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Лабораторная 4 Физика (спецглавы). Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
verunchik
: 7 июля 2012
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Устанавливаем силу тока через образец 8,6 мА.
verunchik
: 7 июля 2012
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Другие работы
Проектирование и эксплуатация сетей связи
yuriy190780
: 5 сентября 2018
Курсовая работа
По дисциплине: «Проектирование и эксплуатация сетей связи»
"ПРОЕКТ РАТС НА БАЗЕ ЦИФРОВОЙ АТС ТИПА EWSD"
Выполнил:
Группа:
Вариант: № 01
Проверил: Меленцова Н.А.
Задание на курсовой проект
Часть 1.
По заданной емкости РАТС типа EWSD, определить объем оборудования проектируемой станции, разработать структурную схему, разместить оборудование на стативах и в автозале;
№ вар N кварт Nн
yuriy190780
: 5 сентября 2018
300 руб.
Обеспечение информационной безопасности в телекоммуникациях. Экзамен. БИЛЕТ 3
aleshin
: 28 декабря 2022
Билет № 3
1. Дайте определения следующим параметрам, определяющим информационную безопасность телекоммуникационной системы: безопасность связи; целостность данных; доступность; секретность.
2. Поясните, почему применение метода информационного резервирования и резервирования элементов инфраструктуры телекоммуникационной системы позволяет обеспечить комплексную защиту пользовательской информации с QoS.
3. Поясните достоинства и недостатки «Логико-лавинно-статистического» метода формирования плана
aleshin
: 28 декабря 2022
166 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1). Контрольная работа. Вариант 6
Asiksep
: 8 декабря 2019
ЗАДАЧА 3.1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 3.1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Рассчитайте все токи и напряжение на С или L в три момента времени t:
4. Рассчитайте классическим методом переходн
Asiksep
: 8 декабря 2019
15 руб.
Методы в возрастной психологии
Slolka
: 17 октября 2013
Оглавление
Введение. 2
1. Стратегия наблюдения. 2
2. Стратегия естественно-научного констатирующего эксперимента. 2
3. Стратегия формирующего эксперимента. 3
Методы опроса. 5
Тестирование. 5
Практические (невербальные) тесты.. 6
Тесты интеллекта. 7
Тесты специальных способностей. 8
Тесты личностные. 9
Тесты достижений. 9
Метод анализа продуктов деятельности. 11
Список литератуты.. 14
Введение
В истории возрастной психологии выделяются 3 основные стратегии:
1. Стратегия наблюдени
Slolka
: 17 октября 2013
