Тепломассообмен СЗТУ Задача 5 Вариант 43

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon Задача 5 Вариант 43.docx [Office 2013, 3 стр., 56 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

По паропроводу, внутренний диаметр которого d1, движется пар со средней температурой, равной tж1, коэффициент теплоотдачи от пара к стенке α1, а температура окружающей среды tж2=20 ºС. Коэффициент теплопроводности стенки λст=48 Вт/(м·К),толщина стенки δст.

Определить тепловые потери в следующих случая:

а) при оголенном паропроводе, непосредственно охлаждаемом окружающей средой; интенсивность теплоотдачи от паропровода к среде определяется величиной коэффициента теплоотдачи α2;

б) при покрытии паропровода слоем изоляции толщиной δиз при коэффициенте теплоотдачи от поверхности слоя изоляции к среде, равном α’2, и коэффициенте теплопроводности изоляции λиз.

Найти величину критического диаметра изоляции, дать пояснение.

Другие работы

Особливості інноваційної політики розвинених країн
ЗМІСТ Вступ 1. Теоретичні основи державної інноваційної політики 1.1 Головні засади та завдання ДІП 1.2 Принципи формування та реалізації інноваційної політики 2. Державна науково-технічна та інноваційна політика у розвинених країнах 2.1 Державна інноваційна політика в США 2.2 Державна інноваційна політика в Японії 2.3 ДІП в Великобританії, Франції та Німеччині 3. Процес формування ДІП України 3.1. Принципи і пріоритети інноваційної політики України 3.2. Інструменти здійснення державн
Работа Экономика
User alfFRED : 2 ноября 2013
10 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №16
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведит
Электротехника и электроника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGOODy : 20 июля 2018
350 руб.
promo
Проектирование долбяка, протяжки, резца
Проектирование зуборезного долбяка, круглой протяжки, проходного сборного резца. В состав работы входят пояснительная записка, чертежи в Компасе долбяка (+3D-модель), протяжки, резца в сборе, корпуса резца и резцедержателя
ЯГТУ Работа Курсовая Проектирование инструмента
User nightguest2010 : 16 мая 2009
15 руб.
Проектирование долбяка, протяжки, резца
Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова
1.Описать Метод. а - Теоретические основы формообразования. б - Технологические особенности. в - Конструктивные особенности. 2.Область применения ПРОФИЛЬНО выращенных Монокристаллов. 3.Расмотреть на примере кремния. КВАЗИРАВНОВЕСНАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ С ФОРМООБРАЗОВАНИЕМ МЕНИСКА РАСПЛАВА (СПОСОБ СТЕПАНОВА) a Теоретические основы формообразования. Принципиальная основа и методика получения фасонных изделий из металлов и полупроводников с использованием различных эффектов (сил
Информатика Работа
User Slolka : 2 октября 2013
10 руб.
up Наверх