Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
550 Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24ID: 100703Дата закачки: 04 Июля 2013 Продавец: Помощь студентам СибГУТИ ДО (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Контрольная Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: ТУСУР Описание: Вопрос № 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующего влияния электронами внешних слоев, ослабляется взаимодействие электронов внутреннего слоя с электронами и ядрами других атомов; 4) это явление связано с зарядом ядра (z) атома. Вопрос № 13 Сколько электронных состояний содержат зоны разрешенных энергий в кристалле, состоящем из N атомов? Ответы: 1) любая энергетическая зона для электронов в кристалле содержит N состояний; 2) энергетические зоны в кристалле, образованные из невырожденных s- уровней в изолированных атомах, содержат по 2N состояний; 3) любая энергетическая зона для электронов в кристалле содержит 2N(2l+1) состояний. Здесь l- орбитальное квантовое число; 4) число состояний в зонах равно общему количеству электронов в кристалле. Вопрос № 33 Какой физический смысл имеет эффективная масса электрона, перемещающегося в кристалле под действием силы электрического поля? Ответы: 1) эффективная масса электрона, движущегося в кристалле, не является мерой инерции и представляет собой лишь коэффициент пропорциональности между силой, действующей на носитель заряда со стороны электрического поля, и его ускорением; 2) эффективная масса-это масса покоящегося в атоме электрона; 3) это масса электрона, который находится в валентной зоне; Вопрос № 41 Какой полупроводник называется дырочным? Ответы: 1) это акцепторный полупроводник; 2) это полупроводник p-типа; 3) полупроводник 4 группы с примесными атомами 3 группы, например, Ge с элементами B, In, Ga; 4) полупроводник, у которого в нижней половине запрещенной зоны находится акцепторный уровень. Вопрос № 60 Есть ли в электронном полупроводнике дырки, а в дырочном - электроны? Ответы: 1) в электронном и дырочном полупроводниках всегда есть неосновные носители заряда - дырки и электроны, соответственно; 2) в электронном полупроводнике р << n; 3) в полупроводнике n и p-типов всегда n = р : 4)в дырочном полупроводнике n << р. Задача 2.10. Найдите ширину запрещенной зоны ( в электронвольтах) арсенида галлия при температуре Т=300 К, если известно, что собственная концентрация носителей заряда в нем ni=1,11013 м3, эффективные плотности состояний в зоне проводимости и в валентной зоне, соответственно, Nc=4,71023 м3 и Nv=71024 м3. Комментарии: Рецензия № 83 на контрольную работу_1___ по дисциплине _Физические основы микроэлектроники (Физические основы электроники)_________ студента _ФДО ТУСУР__Иванова Алексея Николаевича _____ ______ группа ___з-141 -б____________ город _____________ Оценка: зачтено _______________ __02.07.13____________Рецензент__._____________ Подпись Дата Фамилия И.О. Замечания: Уважаемый Алексей Николаевич, Вы представили 72 % верных ответов и правильно решили задачу. Размер файла: 33,4 Кбайт Фаил: (.docx) ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Электроника физическая / Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Вход в аккаунт: