Определение параметров p-n перехода

1. Исходные данные

1) материал полупроводника – GaAs

2) тип p-n переход – резкий и несимметричный

3) тепловой обратный ток () – 0,1 мкА

4) барьерная ёмкость () – 1 пФ

5) площадь поперечного сечения ( S ) – 1 мм2

6) физические свойства полупроводника


 


 

Ширина запрещенной зоны, эВ
 

Подвижность при 300К, м2/В×с
 Эффективная масса  

Время жизни носителей заряда, с
 Относительная диэлектрическая проницаемость


 электронов  Дырок  

электрона mn/me
 

дырки mp/me


 


 


 


 


 


 


 




 

1,42-8
 

0,85-8
 

0,04-8
 

0,067-8
 

0,082-8
 

10-8
 

13,1-8


 



2. Анализ исходных данных

1. Материал легирующих примесей:

а) S (сера) элемент VIA группы (не Me)

б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me)

2. Концентрации легирующих примесей: Nа=1017м -3, Nд=1019м -3

3. Температура (T) постоянна и равна 300К (вся примесь уже ионизирована)

4. – ширина запрещенной зоны

5. , – подвижность электронов и дырок