Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

Определение параметров p-n перехода

ID: 112954
Дата закачки: 30 Сентября 2013
Продавец: elementpio (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Курсовая
Форматы файлов: Microsoft Office

Описание:
1. Исходные данные

1) материал полупроводника – GaAs

2) тип p-n переход – резкий и несимметричный

3) тепловой обратный ток () – 0,1 мкА

4) барьерная ёмкость () – 1 пФ

5) площадь поперечного сечения ( S ) – 1 мм2

6) физические свойства полупроводника

Ширина запрещенной зоны, эВ

Подвижность при 300К, м2/В×с
Эффективная масса

Время жизни носителей заряда, с
Относительная диэлектрическая проницаемость

электронов Дырок

электрона mn/me

дырки mp/me

1,42-8

0,85-8

0,04-8

0,067-8

0,082-8

10-8

13,1-8

2. Анализ исходных данных

1. Материал легирующих примесей:

а) S (сера) элемент VIA группы (не Me)

б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me)

2. Концентрации легирующих примесей: Nа=1017м -3, Nд=1019м -3

3. Температура (T) постоянна и равна 300К (вся примесь уже ионизирована)

4. – ширина запрещенной зоны

5. , – подвижность электронов и дырок

Размер файла: 55,7 Кбайт
Фаил: