ОПРЕДЕЛЕНИЕ h – ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРА КТ355А [n-p-n] Индивидуальное домашние задание № 2 по дисциплине Физические основы электроники
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задание
Построить полное семейство статических характеристик транзистора по схеме включения с общим эмитором.
Определить h-параметры транзистора.
Приведем предельные параметры транзистора КТ355А
Схема изображения транзистора.
Построим статические характеристики транзистора:
1) входные статические характеристики:
Входные статические характеристики транзистора берутся из справочника, где они приведены в виде графика.
2) выходные статические характеристики:
Выходные статические характеристики транзистора берутся из справочника, снятые при определённых условиях, в виде графика.
3) проходная характеристика:
Проходная характеристика строится из входных характеристик и выходных характеристик; токи баз при выходных статических характеристиках берутся и откладываются на оси Iб и опускаются перпендикуляры к оси по этим точкам, затем от выходных статических характеристик при напряжении 7В проводятся перпендикуляры к уже построенным перпендикулярам, при пересечении этих перпендикуляров образуются точки. При соединении этих точек получается проходная характеристика транзистора.
Построить полное семейство статических характеристик транзистора по схеме включения с общим эмитором.
Определить h-параметры транзистора.
Приведем предельные параметры транзистора КТ355А
Схема изображения транзистора.
Построим статические характеристики транзистора:
1) входные статические характеристики:
Входные статические характеристики транзистора берутся из справочника, где они приведены в виде графика.
2) выходные статические характеристики:
Выходные статические характеристики транзистора берутся из справочника, снятые при определённых условиях, в виде графика.
3) проходная характеристика:
Проходная характеристика строится из входных характеристик и выходных характеристик; токи баз при выходных статических характеристиках берутся и откладываются на оси Iб и опускаются перпендикуляры к оси по этим точкам, затем от выходных статических характеристик при напряжении 7В проводятся перпендикуляры к уже построенным перпендикулярам, при пересечении этих перпендикуляров образуются точки. При соединении этих точек получается проходная характеристика транзистора.
Похожие материалы
Зачет по дисциплине: Физические основы электроники
lebed-e-va
: 30 марта 2015
ВАРИАНТ 6
Содержание:
1. Отличия ВАХ диодов из германия и кремния стр. 3-6
2. Устройство и принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом. Схемы включения. Характеристики. стр. 6-10
100 руб.
Лекции по дисциплине:"Физические основы электроники"
ДО Сибгути
: 31 января 2013
Общие сведения об электронных приборах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника.
Метод расчета концентраций.
Условие электрической нейтральности.
Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках.
Положение уровня Ферми в полупроводниках.
Распределение носителей заряда по энергии.
Неравновесное состояни
54 руб.
Зачет по дисциплине «Физические основы электроники»
Лесник
: 4 июля 2010
Зачет
по предмету
«Физические основы электроники»
Билет № 9
1. Выпрямительные ПП диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Уравнения коллекторных токов для схем включения ОБ и ОЭ.
Коэффициенты передачи тока, их соотношения.
Выпрямительный диод предназначен для преобразования переменного напряжения в постоянное. Идеальный выпрямитель должен при одной полярности ток пропускать, при другой полярности не пропускать. Свойства полупроводникового диода близки к свойствам идеаль
50 руб.
Индивидуальное домашнее задание №2 “Определение характеристик транзистора” Вариант № 117
reshaladz2
: 22 февраля 2026
Порядок выполнения работы
1. Запись исходных данных
2. Основные понятия и определения
3. Построение полного семейства статических характеристик транзистора
4. Определение h-параметров транзистора
1. Исходные данные
Для выполнения данной работы нам дан транзистор серии КТ3107А. Данный тип транзистора представляет собой кремниевый эпитаксиально –планарный n-p-n универсальный транзистор малой мощности высокой частоты.
Предназначен для применения в переключательных, усилительных и ген
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
60 руб.
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники".
freelancer
: 16 апреля 2016
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
100 руб.
Лабораторные работы по дисциплине: Физические основы электроники.
Amor
: 19 октября 2013
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход работы
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному ток
850 руб.
Другие работы
Принципы гражданско-процессуального права Украины
Qiwir
: 6 июля 2013
ПЛАН.
1. Вступ.
2. Поняття принципів і їх значення.
3. Система принципів і їх класифікація.
4. Принципи, закріплені в Конституції України.
5. Принципи, закріплені в цивільному законодавстві.
6. Система принципів цивільного процесу іноземних держав.
7. Висновок.
1.Вступ.
Цивільне процесуальне право України і врегульоване ним цивільне судочинство побудовано на демократичних принципах (від лат. principium — основа, засади). У принципах відображені політико-правові ідеї, погляди народу на
10 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 12 Вариант 25
Z24
: 25 февраля 2026
Определить удельный тепловой поток и коэффициент теплоотдачи излучения между двумя параллельно расположенными пластинами, с температурой t1 и t2 и степенью черноты ε1 и ε2.
Как изменится удельный тепловой поток, если между пластинами установить экран со степенью черноты εэ.
200 руб.
Теплотехника КГАУ 2015 Задача 3 Вариант 00
Z24
: 5 февраля 2026
По стальной трубе, внутренний и внешний диаметры которой соответственно d1 и d2, и теплопроводность λ=40 Вт/(м·К), течет газ со средней температурой tг; коэффициент теплоотдачи от газа к стенке α1. Снаружи труба охлаждается водой со средней температурой tв; коэффициент теплоотдачи от стенки к воде α2.
Определить коэффициент теплопередачи k от газа к воде, тепловой поток q и температуры поверхностей трубы. Данные, необходимые для решения задачи, выбрать из табл. Определить также температуру вн
200 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 6 Вариант 45
Z24
: 27 декабря 2025
Ось горизонтального участка трубы диаметром d1 расположена на высоте h1 = (0,25 + 0,05·y) м над уровнем воды в резервуаре II. Ось горизонтального участка трубы диаметром d2 лежит ниже уровня воды в резервуаре II на величину h2 = (0,5 + 0,05·z) м. Длины участков: l1 = (10 + 0,1·y) м; l2 = (20 + 0,1·z) м; l3 = (10 + 0,1·y) м. Напор в резервуаре I H = (1,0 + 0,1·z) м, коэффициенты поворотов ζ30 = 0,7, ζ120 = 1,44.
Определить расход воды в трубопроводе и построить напорную и пьезометрическую лини
400 руб.