ОПРЕДЕЛЕНИЕ h – ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРА КТ355А [n-p-n] Индивидуальное домашние задание № 2 по дисциплине Физические основы электроники

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon Определение h-параметров транзистора КТ355А.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задание
Построить полное семейство статических характеристик транзистора по схеме включения с общим эмитором.

Определить h-параметры транзистора.

Приведем предельные параметры транзистора КТ355А






Схема изображения транзистора.

Построим статические характеристики транзистора:

1) входные статические характеристики:

Входные статические характеристики транзистора берутся из справочника, где они приведены в виде графика.
2) выходные статические характеристики:

Выходные статические характеристики транзистора берутся из справочника, снятые при определённых условиях, в виде графика.
3) проходная характеристика:

Проходная характеристика строится из входных характеристик и выходных характеристик; токи баз при выходных статических характеристиках берутся и откладываются на оси Iб и опускаются перпендикуляры к оси по этим точкам, затем от выходных статических характеристик при напряжении 7В проводятся перпендикуляры к уже построенным перпендикулярам, при пересечении этих перпендикуляров образуются точки. При соединении этих точек получается проходная характеристика транзистора.
Зачет по дисциплине: Физические основы электроники
ВАРИАНТ 6 Содержание: 1. Отличия ВАХ диодов из германия и кремния стр. 3-6 2. Устройство и принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом. Схемы включения. Характеристики. стр. 6-10
User lebed-e-va : 30 марта 2015
100 руб.
Лекции по дисциплине:"Физические основы электроники"
Общие сведения об электронных приборах. Классификация. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов Модели электронных приборов. Электрофизические свойства полупроводников. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника. Метод расчета концентраций. Условие электрической нейтральности. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках. Положение уровня Ферми в полупроводниках. Распределение носителей заряда по энергии. Неравновесное состояни
User ДО Сибгути : 31 января 2013
54 руб.
Зачет по дисциплине «Физические основы электроники»
Зачет по предмету «Физические основы электроники» Билет № 9 1. Выпрямительные ПП диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. Уравнения коллекторных токов для схем включения ОБ и ОЭ. Коэффициенты передачи тока, их соотношения. Выпрямительный диод предназначен для преобразования переменного напряжения в постоянное. Идеальный выпрямитель должен при одной полярности ток пропускать, при другой полярности не пропускать. Свойства полупроводникового диода близки к свойствам идеаль
User Лесник : 4 июля 2010
50 руб.
Индивидуальное домашнее задание №2 “Определение характеристик транзистора” Вариант № 117
Порядок выполнения работы 1. Запись исходных данных 2. Основные понятия и определения 3. Построение полного семейства статических характеристик транзистора 4. Определение h-параметров транзистора 1. Исходные данные Для выполнения данной работы нам дан транзистор серии КТ3107А. Данный тип транзистора представляет собой кремниевый эпитаксиально –планарный n-p-n универсальный транзистор малой мощности высокой частоты. Предназначен для применения в переключательных, усилительных и ген
User reshaladz2 : 22 февраля 2026
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Описание: Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. № вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К, 6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230 Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
User Иннокентий : 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
User andreyan : 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники".
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
User freelancer : 16 апреля 2016
100 руб.
promo
Лабораторные работы по дисциплине: Физические основы электроники.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход работы 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному ток
User Amor : 19 октября 2013
850 руб.
promo
Независимость событий в примере Бернштейна с правильным тетраэдром
Независимость событий Понятие независимости является одним из важнейших понятий теории вероятностей. События А и В называются независимыми, если Р(АВ) = Р(А)Р(В). (1.1) В случае Р(А) = 0 и Р(В) > 0 эквивалентны любому из равенств Р(А|В) = Р(А), Р(В|А) = Р(В). (1.2) Определение независимости в форме (1.1) симметрично относительно А и В; условие (1.1) несколько шире, чем условия (1.2). Если математическая модель, описывающая некоторые опыт, подобрана достаточно хорошо
User alfFRED : 12 августа 2013
10 руб.
Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 2.11 Вариант В
Вода перетекает из бака в резервуар по цилиндрической трубе длиной l и диаметром d, которая заканчивается расширяющимся участком (диффузором). Известны: показание вакуумметра установленного на баке рвак, высота расположения бака Н и высота уровня воды в нем h. Определить расход жидкости Q*. При решении учесть потери на вход в трубу (внезапное сужение), на повороты русла (ζкол = 0,3 на каждый поворот), в кране ζкр, в диффузоре ζдиф = 0,3 и на трение по длине в цилиндрической части трубы (λ = 0,02
User Z24 : 18 декабря 2025
200 руб.
Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 2.11 Вариант В
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 12 Вариант 10
Вычислить дебит артезианской скважины при условии, что мощность водоносного пласта t = (15 + 0,5·y) м; диаметр скважины d = (30 + 0,5·z) см; глубина откачки S = (6 + 1·y) = 10 м; радиус влияния R = (150 + 10·z) м; коэффициент фильтрации k = (10 + 1·y) м/сут (рис. 12).
User Z24 : 2 января 2026
120 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 12 Вариант 10
Контрольная работа по дисциплине "Менеджмент и маркетинг в информационных технологиях". Вариант №2
Необходимо рассчитать параметры работ сетевого графика на основании данных, приведенных в таблице
User Nicola90 : 9 июня 2014
300 руб.
up Наверх