ОПРЕДЕЛЕНИЕ h – ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРА КТ355А [n-p-n] Индивидуальное домашние задание № 2 по дисциплине Физические основы электроники
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задание
Построить полное семейство статических характеристик транзистора по схеме включения с общим эмитором.
Определить h-параметры транзистора.
Приведем предельные параметры транзистора КТ355А
Схема изображения транзистора.
Построим статические характеристики транзистора:
1) входные статические характеристики:
Входные статические характеристики транзистора берутся из справочника, где они приведены в виде графика.
2) выходные статические характеристики:
Выходные статические характеристики транзистора берутся из справочника, снятые при определённых условиях, в виде графика.
3) проходная характеристика:
Проходная характеристика строится из входных характеристик и выходных характеристик; токи баз при выходных статических характеристиках берутся и откладываются на оси Iб и опускаются перпендикуляры к оси по этим точкам, затем от выходных статических характеристик при напряжении 7В проводятся перпендикуляры к уже построенным перпендикулярам, при пересечении этих перпендикуляров образуются точки. При соединении этих точек получается проходная характеристика транзистора.
Построить полное семейство статических характеристик транзистора по схеме включения с общим эмитором.
Определить h-параметры транзистора.
Приведем предельные параметры транзистора КТ355А
Схема изображения транзистора.
Построим статические характеристики транзистора:
1) входные статические характеристики:
Входные статические характеристики транзистора берутся из справочника, где они приведены в виде графика.
2) выходные статические характеристики:
Выходные статические характеристики транзистора берутся из справочника, снятые при определённых условиях, в виде графика.
3) проходная характеристика:
Проходная характеристика строится из входных характеристик и выходных характеристик; токи баз при выходных статических характеристиках берутся и откладываются на оси Iб и опускаются перпендикуляры к оси по этим точкам, затем от выходных статических характеристик при напряжении 7В проводятся перпендикуляры к уже построенным перпендикулярам, при пересечении этих перпендикуляров образуются точки. При соединении этих точек получается проходная характеристика транзистора.
Похожие материалы
Зачет по дисциплине: Физические основы электроники
lebed-e-va
: 30 марта 2015
ВАРИАНТ 6
Содержание:
1. Отличия ВАХ диодов из германия и кремния стр. 3-6
2. Устройство и принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом. Схемы включения. Характеристики. стр. 6-10
100 руб.
Лекции по дисциплине:"Физические основы электроники"
ДО Сибгути
: 31 января 2013
Общие сведения об электронных приборах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника.
Метод расчета концентраций.
Условие электрической нейтральности.
Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках.
Положение уровня Ферми в полупроводниках.
Распределение носителей заряда по энергии.
Неравновесное состояни
54 руб.
Зачет по дисциплине «Физические основы электроники»
Лесник
: 4 июля 2010
Зачет
по предмету
«Физические основы электроники»
Билет № 9
1. Выпрямительные ПП диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Уравнения коллекторных токов для схем включения ОБ и ОЭ.
Коэффициенты передачи тока, их соотношения.
Выпрямительный диод предназначен для преобразования переменного напряжения в постоянное. Идеальный выпрямитель должен при одной полярности ток пропускать, при другой полярности не пропускать. Свойства полупроводникового диода близки к свойствам идеаль
50 руб.
Индивидуальное домашнее задание №2 “Определение характеристик транзистора” Вариант № 117
reshaladz2
: 22 февраля 2026
Порядок выполнения работы
1. Запись исходных данных
2. Основные понятия и определения
3. Построение полного семейства статических характеристик транзистора
4. Определение h-параметров транзистора
1. Исходные данные
Для выполнения данной работы нам дан транзистор серии КТ3107А. Данный тип транзистора представляет собой кремниевый эпитаксиально –планарный n-p-n универсальный транзистор малой мощности высокой частоты.
Предназначен для применения в переключательных, усилительных и ген
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
60 руб.
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники".
freelancer
: 16 апреля 2016
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
100 руб.
Лабораторные работы по дисциплине: Физические основы электроники.
Amor
: 19 октября 2013
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход работы
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному ток
850 руб.
Другие работы
Операции Центрального Банка на открытом рынке
alfFRED
: 3 ноября 2012
ВВЕДЕНИЕ - 3
1. ЦЕНТРАЛЬНЫЙ БАНК: ПОНЯТИЕ, ЭВОЛЮЦИЯ,
СТРУКТУРА И ФУНКЦИИ - 4
2. ДЕНЕЖНО-КРЕДИТНАЯ ПОЛИТИКА БАНКА РОССИИ - 12
3. ОПЕРАЦИИ ЦЕНТРАЛЬНОГО БАНКА НА ОТКРЫТОМ
РЫНКЕ
10 руб.
Задание 81. Вариант 4 - Соединение шлицевое
Чертежи по сборнику Боголюбова 2007
: 21 мая 2023
Возможные программы для открытия данных файлов:
WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar)
КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d, *.a3d
Любая программа для ПДФ файлов.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения, 1989/1994/2007.
Задание 81. Вариант 4 - Соединение шлицевое
Выполнить чертеж каждой детали (1 и 2) в отдельности, нанести обозначения.
В состав выполненной работы входят 6 файлов:
1. Чертеж детали "Вал шлицевой" с размерами и необходимыми сече
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физика. 2-й семестр, вариант № 2
svetakamchatka
: 5 декабря 2012
502. Уравнение гармонических колебаний дано в виде:
Х=0,2cos(2πt + π/3), м
Найти какую долю составляет кинетическая энергия от полной энергии в момент времени t= T/6.
512. Гармонические колебания в электрическом контуре описывается уравнением , В. Индуктивность катушки L =10-2 Гн. Записать вид уравнений колебаний заряда q и тока i.
522. Точка участвует в двух взаимно перпендикулярных колебаниях, выражаемых уравнениями: . A1=2 cм, А2=3см, ω1=2ω2 . Найти уравнение траектории точки и построить
500 руб.
Ответы по Госэкзаменам дисциплины:Сети связи и системы коммутации
tamazlykar-pa
: 15 мая 2013
Госы по дисциплинам:
1.Системы коммутации
2.Цифровые системы распределения сообщений
3.Теория телетрафика
4.Мультисервисные сети
5.Программное обеспечение цифровых систем коммутации
6.Сети связи
7.Управление сетями связи
8.Техническая эксплуатация цифровых систем коммутации
9.Передача данных
10.Цифровые системы передачи
11.Системы коммутации
12.Телекоммуникационные системы и направляющие среды
500 руб.