Полупроводниковые диоды

Цена:
5 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon bestref-85866.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

На основе использования свойств р-n-перехода в настоящее время создано множество различных типов полупроводниковых диодов.

Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный. Их основные параметры: Iпр max -максимальный прямой ток; Vпр - падение напряжения на диоде при прямом смещении и заданном токе; Iобр -ток через диод при обратном смещении и заданном напряжении; Vобр max - максимальное обратное напряжение; f-диапазон частот, в котором выпрямленный ток не снижается меньше заданного уровня.

По величине выпрямленного тока выпрямительные диоды малой(Iпр 10 А) и большой (Iпр >10A) мощности. Для создания выпрямительных диодов применяются плоскостные p-n-переходы, полученные сплавлением и диффузией. Высокие значения Iпр обеспечиваются использованием p-n-переходов с большой площадью.

Большие значения Vобр max достигаются использованием в качестве базы диода материала с высоким удельным сопротивлением. Наибольшие значения Vобр max могут быть получены при использовании p-i-n-диода, так ширина области объемного заряда в нем наибольшая, а следовательно, наибольшее и значение напряжение пробоя. Так как с изменением температуры Vобр max изменяется, то его значение дается для определенной температуры (обычно комнатную) .

При больших Iпр в диоде, вследствие падения напряжения на нем, выделяется тепло. Поэтому выпрямительные диоды отличаются от остальных типов диодов большими размерами корпуса и внешних выводов для улучшения теплоотвода.
Исследование полупроводникового диода
Цель работы Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики. Ход работы: 1. Подключить шнур питания к сети. 2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации. 3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1. Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1. 4. Тумблер В - 1 поставить в поло
User Qiwir : 9 августа 2013
5 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель: 1. Изучить характерные свойства электро-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а так же по обработке и оформлению полученных результатов. 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
User Юлия118 : 23 октября 2020
300 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод
Содержание Введение 1. Назначение и область применения 2. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов 3. Общий принцип действия 4. Конструкция полупроводниковых диодов 5. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов 6. Выпрямительные диоды 7. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды 8. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды 9. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации 10. Эффекты полупроводника 11.
User evelin : 14 ноября 2012
5 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Курсовая работа по ООП (Вариант №1, Задание №1 СОЛНЦЕ)
Задание: Написать программу, используя объектно-ориентированный подход, которая двигает по экрану изображение заданного графического объекта. Допускается: замена некоторых элементов графического объекта, изменение его цветовой гаммы. Реализовать два вида движения: случайное и по нажатию на клавиши со стрелками. Предусмотреть для пользователя возможность выбора одного из двух режимов движения. Описание классов необходимо оформить в виде отдельного модуля. Иерархия классов должна включать минимум
User fominovich : 5 сентября 2015
500 руб.
Совершенствование технологии холодного пластического деформирования шлицевых профилей на карданных валах автомобилей УАЗ в условиях «АВТОДЕТАЛЬ-СЕРВИС
СОДЕРЖАНИЕ Стр. ВВЕДЕНИЕ…………………..…………………………………………5 1 ОБЗОР И АНАЛИЗ МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ ШЛИЦЕВЫХ СОЕДИНЕНИЙ…….7 1.1 Обработка шлицевых профилей резанием……………….……7 1.1.1 Методы копирования…………………………………….7 1.1.2 Обработка огибанием………………………….……..…..10 1.1.3 Методы чистовой обработки зубьев вала…………..…..12 1.2 Получение шлицевого профиля на валах методом пластического деформирования……………………………………………....14 1.2.1 Метод накатывания зубьев вала много роликовой головкой…14 1.2.2 Формообразовани
User Рики-Тики-Та : 9 января 2013
825 руб.
Экзамен по предмету "Страховое дело". Вариант № 1.
1.Страховщики, их организационно-правовые формы деятельности и особенности функционирования. 2.Страхование рисков предпринимательской деятельности. 3.Задача. Гражданин имел договор об охране квартиры с помощью средств сигнализации на сумму 10 тыс. руб. и договор страхования домашнего имущества на сумму 13 тыс. руб. В период действия обоих договоров была совершена кража, из квартиры, было похищено имущество на общую сумму 20 тыс. руб. в том числе ювелирные изделия стоимостью 6 тыс. руб. Органы вн
User Liubov : 1 марта 2013
370 руб.
Сети доступа. Зачёт. Билет № 9
1. Услуги сетей доступа. Video/Flash. IPTV 2. Технологии IEEE 802. Ethernet
User Gila : 4 ноября 2021
280 руб.
up Наверх