Полупроводниковые диоды

Цена:
5 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon bestref-85866.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

На основе использования свойств р-n-перехода в настоящее время создано множество различных типов полупроводниковых диодов.

Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный. Их основные параметры: Iпр max -максимальный прямой ток; Vпр - падение напряжения на диоде при прямом смещении и заданном токе; Iобр -ток через диод при обратном смещении и заданном напряжении; Vобр max - максимальное обратное напряжение; f-диапазон частот, в котором выпрямленный ток не снижается меньше заданного уровня.

По величине выпрямленного тока выпрямительные диоды малой(Iпр 10 А) и большой (Iпр >10A) мощности. Для создания выпрямительных диодов применяются плоскостные p-n-переходы, полученные сплавлением и диффузией. Высокие значения Iпр обеспечиваются использованием p-n-переходов с большой площадью.

Большие значения Vобр max достигаются использованием в качестве базы диода материала с высоким удельным сопротивлением. Наибольшие значения Vобр max могут быть получены при использовании p-i-n-диода, так ширина области объемного заряда в нем наибольшая, а следовательно, наибольшее и значение напряжение пробоя. Так как с изменением температуры Vобр max изменяется, то его значение дается для определенной температуры (обычно комнатную) .

При больших Iпр в диоде, вследствие падения напряжения на нем, выделяется тепло. Поэтому выпрямительные диоды отличаются от остальных типов диодов большими размерами корпуса и внешних выводов для улучшения теплоотвода.
Исследование полупроводникового диода
Цель работы Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики. Ход работы: 1. Подключить шнур питания к сети. 2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации. 3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1. Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1. 4. Тумблер В - 1 поставить в поло
User Qiwir : 9 августа 2013
5 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель: 1. Изучить характерные свойства электро-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а так же по обработке и оформлению полученных результатов. 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
User Юлия118 : 23 октября 2020
300 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод
Содержание Введение 1. Назначение и область применения 2. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов 3. Общий принцип действия 4. Конструкция полупроводниковых диодов 5. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов 6. Выпрямительные диоды 7. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды 8. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды 9. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации 10. Эффекты полупроводника 11.
User evelin : 14 ноября 2012
5 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Моделі і методика побудови волоконно-оптичної системи передачі даних
Зміст Вступ 1. Послідовність проектування ВОСП 2. Методика інженерного розрахунку ВОСП 3. Вибір елементної бази ВОСП 3.1 Вибір типу оптичного кабелю 3.2 Вибір типів оптичних з`єднувачів та розгалужувачів 3.3 Вибір типу випромінювача 3.4 Вибір типу фотодетектора 3.5 Вибір коду сигналів в оптичному лінійному тракті 4. Розрахунок параметрів цифрових ВОСП Додатки Вступ При проектуванні ВОСП необхідно, виходячи з призначення системи, сформувати вимоги, що висувають до неї. Загальними вимогами до так
User DocentMark : 6 декабря 2012
10 руб.
Теплотехника РГАУ-МСХА 2018 Задача 8 Вариант 22
Определить поверхность нагрева стального рекуперативного газовоздушного теплообменника (толщина стенок δс=3 мм) при прямоточной и противоточной схемах движения теплоносителей (рис. 6.2 и 6.3), если объемный расход воздуха при нормальных условиях Vн, средний коэффициент теплоотдачи от воздуха к поверхности нагрева α1, от поверхности нагрева к воде α2=500 Вт/(м²·К), коэффициент теплопроводности материала стенки трубы (стали) λ=50 Вт/(м·К), теплоемкость топочных газов сг=1,15 кДж/(кг·К), плотность
User Z24 : 27 января 2026
300 руб.
Теплотехника РГАУ-МСХА 2018 Задача 8 Вариант 22
Реконструкция схемы управления процессом абсорбции в производстве высших алифатических аминов
Содержание 2 1. Введение 3 2. Описание технологического процесса 5 3. Физико-химические свойства сырья и готовой продукции 10 4. Выбор регулируемых, контролируемых, сигнализируемых параметров и обоснование выбора 11 5. Выбор средств автоматизации 12 6. Спецификация на приборы и средства автоматизации 13 7. Расчетная часть 18 8. Монтаж и эксплуатация приборов 23 9. ОСНОВНЫЕ ПРАВИЛА ПО ТЕХНИКЕ БЕЗОПАСНОСТИ 27 10. Охрана окружающей среды 31 Литература 32 1. Введение Ограниченные возможности человеч
User evelin : 15 ноября 2012
19 руб.
Основание вышечного блока буровой установки БУ-8000-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Основание вышечного блока буровой установки БУ-8000-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
400 руб.
Основание вышечного блока буровой установки БУ-8000-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
up Наверх