Полупроводниковые диоды

Цена:
5 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon bestref-85866.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

На основе использования свойств р-n-перехода в настоящее время создано множество различных типов полупроводниковых диодов.

Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный. Их основные параметры: Iпр max -максимальный прямой ток; Vпр - падение напряжения на диоде при прямом смещении и заданном токе; Iобр -ток через диод при обратном смещении и заданном напряжении; Vобр max - максимальное обратное напряжение; f-диапазон частот, в котором выпрямленный ток не снижается меньше заданного уровня.

По величине выпрямленного тока выпрямительные диоды малой(Iпр 10 А) и большой (Iпр >10A) мощности. Для создания выпрямительных диодов применяются плоскостные p-n-переходы, полученные сплавлением и диффузией. Высокие значения Iпр обеспечиваются использованием p-n-переходов с большой площадью.

Большие значения Vобр max достигаются использованием в качестве базы диода материала с высоким удельным сопротивлением. Наибольшие значения Vобр max могут быть получены при использовании p-i-n-диода, так ширина области объемного заряда в нем наибольшая, а следовательно, наибольшее и значение напряжение пробоя. Так как с изменением температуры Vобр max изменяется, то его значение дается для определенной температуры (обычно комнатную) .

При больших Iпр в диоде, вследствие падения напряжения на нем, выделяется тепло. Поэтому выпрямительные диоды отличаются от остальных типов диодов большими размерами корпуса и внешних выводов для улучшения теплоотвода.
Исследование полупроводникового диода
Цель работы Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики. Ход работы: 1. Подключить шнур питания к сети. 2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации. 3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1. Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1. 4. Тумблер В - 1 поставить в поло
User Qiwir : 9 августа 2013
5 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель: 1. Изучить характерные свойства электро-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а так же по обработке и оформлению полученных результатов. 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
User Юлия118 : 23 октября 2020
300 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод
Содержание Введение 1. Назначение и область применения 2. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов 3. Общий принцип действия 4. Конструкция полупроводниковых диодов 5. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов 6. Выпрямительные диоды 7. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды 8. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды 9. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации 10. Эффекты полупроводника 11.
User evelin : 14 ноября 2012
5 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Визначення швидкостей руху та часу ходу при роботі електровоза з потягом в режимах тяги, вибігу та гальмування
Зміст Завдання для курсової роботи………………………………………………………... 3 1 Розрахунок і побудова тягових характеристик……………………………………... 6 2 Аналіз профілю. Визначення розрахункового і швидкісного підйому……………. 8 3 Визначення маси складу……………………………………………………………… 9 4 Перевірка маси потягу на спроможність проходження швидкісного підйому….. 12 5 Перевірка маси потягу за довжиною приймально-відправних колій станції…… 14 6 Перевірка маси потягу на зрушення……………………………………………….. 16 7 Розрахунок та побудова хар
User GnobYTEL : 9 сентября 2012
44 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Теория связи. Вариант №8
Курсовая работа Вариант No8 Задача No 1 Дано: Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора аппроксимирована выражением i_к={(S(u_б-u_0)&u_б≥u_0@0&u_б<u_0 ), где iк – ток коллектора транзистора; uб – напряжение на базе транзистора; S – крутизна ВАХ; u0 – напряжение отсечки ВАХ. Значения S, u0 и Um приведены в таблице 1. Таблица 1 Предпоследняя цифра пароля 0 S, мА/В 100 Последняя цифра номера студенческого билета 8 u0, В 0,7 Um, В 0,55 Требуется: 1 Объяснить назначение модул
User IT-STUDHELP : 19 июня 2023
1100 руб.
promo
Экзаменационное задание по дисциплине "Математический анализ". Дополнительные главы. Билет №18.
1. Линейные дифференциальные уравнения первого порядка и методы их решения. Основные понятия и определения. Дифференциальным называется уравнение, содержащее производные неизвестной функции. Обыкновенным называется такое дифференциальное уравнение, в котором неизвестная функция зависит от одного аргумента, например, 2. Найти область сходимости ряда. 3. Вычислить определенный интеграл с помощью разложения подынтегральной функции в степенной ряд. 4. Вычислить контурный интеграл от функции компл
User nik12 : 19 июня 2013
50 руб.
Розробка схеми електричної принципової МР3 програвача – приставки до ПК
Вступ 1 Загальний розділ 1.1 Призначення проектуємого пристрою 1.2 Технічні характеристики 1.3 Розробка і обґрунтування схеми електричної структурної 2 Спеціальний розділ 2.1 Вибір і обґрунтування елементної бази 2.2 Принцип роботи окремих ВІС з використанням часових діаграм та алгоритмів роботи 2.3 Принцип роботи пристрою згідно схеми електричної принципової 3 Експлуатаційний розділ 3.1 Ініціалізація програмуємих ВІС 3.2 Тест перевірки окреми
User Qiwir : 5 октября 2013
10 руб.
up Наверх