Полупроводниковые диоды

Цена:
5 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon bestref-85866.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

На основе использования свойств р-n-перехода в настоящее время создано множество различных типов полупроводниковых диодов.

Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный. Их основные параметры: Iпр max -максимальный прямой ток; Vпр - падение напряжения на диоде при прямом смещении и заданном токе; Iобр -ток через диод при обратном смещении и заданном напряжении; Vобр max - максимальное обратное напряжение; f-диапазон частот, в котором выпрямленный ток не снижается меньше заданного уровня.

По величине выпрямленного тока выпрямительные диоды малой(Iпр 10 А) и большой (Iпр >10A) мощности. Для создания выпрямительных диодов применяются плоскостные p-n-переходы, полученные сплавлением и диффузией. Высокие значения Iпр обеспечиваются использованием p-n-переходов с большой площадью.

Большие значения Vобр max достигаются использованием в качестве базы диода материала с высоким удельным сопротивлением. Наибольшие значения Vобр max могут быть получены при использовании p-i-n-диода, так ширина области объемного заряда в нем наибольшая, а следовательно, наибольшее и значение напряжение пробоя. Так как с изменением температуры Vобр max изменяется, то его значение дается для определенной температуры (обычно комнатную) .

При больших Iпр в диоде, вследствие падения напряжения на нем, выделяется тепло. Поэтому выпрямительные диоды отличаются от остальных типов диодов большими размерами корпуса и внешних выводов для улучшения теплоотвода.
Исследование полупроводникового диода
Цель работы Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики. Ход работы: 1. Подключить шнур питания к сети. 2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации. 3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1. Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1. 4. Тумблер В - 1 поставить в поло
User Qiwir : 9 августа 2013
5 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель: 1. Изучить характерные свойства электро-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а так же по обработке и оформлению полученных результатов. 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
User Юлия118 : 23 октября 2020
300 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод
Содержание Введение 1. Назначение и область применения 2. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов 3. Общий принцип действия 4. Конструкция полупроводниковых диодов 5. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов 6. Выпрямительные диоды 7. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды 8. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды 9. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации 10. Эффекты полупроводника 11.
User evelin : 14 ноября 2012
5 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Диплом. Формирование зоны обслуживания беспроводной сети Wi-Fi стандарта 802.11en в административном здании и здании инфекционного блока Окружной клинической больницы города Ханты-Мансийска
Тема работы Формирование зоны обслуживания беспроводной сети Wi-Fi стандарта 802.11en в административном здании и здании инфекционного блока Окружной клинической больницы города Ханты-Мансийска Объем дипломного проекта 78 листов Cодержание Введение........................................................................................................... 3 1 Предметная область исследования.............................................................. 4 1.1 История и особенности
User CDT-1 : 14 января 2014
1000 руб.
Лабораторная работа 1 по дисциплине: Операционные системы. Вариант общий
Лабораторная работа №1 «Работа с файловой системой LINUX» Цель работы: Изучить команды управления каталогами и файлами. Порядок выполнения работы 1. Если вы еще не установили операционную систему LINUX, установите. 2. Включить компьютер и войти в систему LINUX , если система требует пройдите процедуру идентификации. 3. Ознакомиться с информацией, появившейся на экране монитора. 4. Выбрать на панели монитора режим «терминал». Учимся создавать новый каталог 5. Убедитесь, что Вы находитесь в
User Roma967 : 4 января 2023
500 руб.
promo
Лабораторная работа № 5 по дисциплине: Микропроцессоры и цифровая обработка сигналов
Разработка цифрового измерителя температуры 1. Исходный текст программы #include "ADuC842.h" // подключение заголовочного файла ADuC842.h #include "dallas.h" // подключение заголовочного файла dallas.h // ввод массива шестнадцатиричных кодов для 7- сегментного индикатора: //отображаются {0, 1, 2... E, F} для получения своего показания температуры надо загрузить на стенде файл Lab_5.hex из папки obj,
User AndrySSS : 23 сентября 2013
500 руб.
Лабораторная работа № 5 по дисциплине: Микропроцессоры и цифровая обработка сигналов
Банковская система Республики Беларусь, её структура
Введение……………………..…………………………………………………….3 1. Банковская система и ее структура……………………………………………4 1.1. Функционирование центрального банка………………………………4 1.2. Роль центрального банка в проведении денежно-кредитной политики государства……………………………………………………….5 1.3. Развитие коммерческих банков……………………………………….12 2. Особенности и основные направления развития банковской системы Республики Беларусь…………………………………………………………….19 2.1 Концепция развития банковской системы РБ на 2001-2010 гг……...23 Заключе
User alfFRED : 27 октября 2013
10 руб.
up Наверх