Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. 2-й вариант
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Контрольная
-
Добавлен:
05.10.2013
-
Размер:
138 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
sd80
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные: тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки
Задача 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип материала – Ge;
Квантовая эффективность = 0,2;
Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.
Задача 3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, указанной в исходных данных. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Исходные данные
Цифра, заданная для индикации – «2»
Задача 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения
Исходные данные
Тип светодиода – АЛ102В;
Напряжение питания Uпит = 5 В;
Номинал ограничительного сопротивления Rогр = 510 Ом
Исходные данные: тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки
Задача 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип материала – Ge;
Квантовая эффективность = 0,2;
Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.
Задача 3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, указанной в исходных данных. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Исходные данные
Цифра, заданная для индикации – «2»
Задача 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения
Исходные данные
Тип светодиода – АЛ102В;
Напряжение питания Uпит = 5 В;
Номинал ограничительного сопротивления Rогр = 510 Ом
Дополнительная информация
зачтена
Похожие материалы
Контрольная работа по Устройству оптоэлектроники. 4-й вариант
ustianna
: 15 апреля 2013
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Лавинный фотодиод – это фотоприемник, в котором повышение квантовой эффективности реализуется за счет внутреннего усиления благодаря лавинному умножению в обратно смещенном p-n переходе.
ustianna
: 15 апреля 2013
180 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. 13-й вариант
Dimark
: 21 января 2013
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
3 Фотодиод с гетероструктурой
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. В
Dimark
: 21 января 2013
Контрольная работа по дисциплине: « Устройства оптоэлектроники». 5-й вариант
1309nikola
: 12 марта 2017
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
05 Фотодиод - транзистор
Фотоприемные приборы, использующие транзисторные структуры с возможностью усиления фототока, называются фототранзисторами.
В простейшем фототранзисторе (рисунок 1) оптическое излучение попадает в рабочую область структуры - базу. Здесь обеспечивается генерация фотоносителей,
1309nikola
: 12 марта 2017
60 руб.
ДО СибГУТИ 14-й вариант. Контрольная работа. Устройство оптоэлектроники
igoriceg
: 17 октября 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Тип ПП материала: InAs
Квантовая эффектив-ность, h: 0,3
Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ: 0,39
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включе
igoriceg
: 17 октября 2016
50 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа .12-й вариант. СБТ
sanco25
: 11 марта 2013
Задача 1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача 3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состоян
sanco25
: 11 марта 2013
49 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники” 4-й вариант.
Dark
: 16 августа 2011
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип ПП материала - Ge Квантовая эффективность - 0,2, Ширина запрещенной зоны W - 0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципи
Dark
: 16 августа 2011
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине «Устройства Оптоэлектроники». 11-й вариант. Сибгути
parus10810
: 13 апреля 2014
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код
parus10810
: 13 апреля 2014
200 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Другие работы
История района Теплый Стан и поселка Мосрентген
Aronitue9
: 25 августа 2013
Имя нашего района, пожалуй, одно из самых загадочных географических названий Москвы. Его носило в старину бывшая подмосковная деревня, точнее - группа поселений с центром в селе Троицкое.
На географической карте 1763 года, носящей колоритное название "Плань царствующаго Града Москвы с показанием лежащихь мљсть на Тритцать версть въ округь", одном из лучших образцов отечественной картографии середины XVIII века, картограф использовал строчную, маленькую букву в слове "станы", поскольку в ту пору
Aronitue9
: 25 августа 2013
5 руб.
Отчет по преддиломной практике. Опасные вредные производственные факторы
Aronitue9
: 10 декабря 2014
Введение.
Характеристика производственного объекта.
Производственные участки и оборудование.
Описание оборудования технологического процесса.
Опасные вредные производственные факторы. Влияние их на организм человека.
Правила безопасной эксплуатации оборудования, предъявляемые к оборудованию.
Анализ травматизма на производственном объекте.
Система управления охраной труда в организации.
Охрана окружающей среды и экологическая безопасность.
Анализ состояния воздействия деятельности организации на
Aronitue9
: 10 декабря 2014
30 руб.
Практическое задание 7. УП.
studypro3
: 1 июля 2019
Инженера-программиста вызвал к себе начальник отдела и сказал, что предстоит сложная работа - придется посидеть недельку-другую сверхурочно. «Пожалуйста, я готов, - сказал инженер, - дело есть дело».
Работу принес старший технолог. Он сказал, что надо рассчитать управляющую программу на станок для изготовления сложной детали. Когда рабочий день приблизился к концу инженер-программист достал чертеж, чтобы приступить к работе. В это время к нему подошел непосредственный начальник и поинтересовался
studypro3
: 1 июля 2019
200 руб.
РД ЭО 0176-200. Правила организации работы с персоналом на атомных станциях концерна Росэнергоатом
Slolka
: 27 июня 2013
Внесены изменения № 1, утвержденные приказом концерна "Росэнергоатом" от 27.02.2002 №93
Настоящие Правила организации работы с персоналом на атомных станциях концерна Росэнергоатом (далее - Правила) разработаны в соответствии с требованиями Федеральных законов Российской Федерации, указов Президента Российской Федерации, постановлений Правительства Российской Федерации и иных нормативных правовых актов в области использования атомной энергии.
Slolka
: 27 июня 2013
5 руб.
