Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
19.10.2013
-
Размер:
369 KB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
Amor
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
B012AEB1-641B-428F-A2EE-EB2440BDE149.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току , напряжению и мощности и входное сопротивление усилителя . Найти полезную мощность в нагрузке , мощность, рассеиваемую в коллекторе , потребляемую мощность и коэффициент полезного действия .
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания В, сопротивление нагрузки Ом, постоянный ток смещения в цепи базы мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Дано: частота МГц, модуль коэффициента передачи тока , постоянная времени цепи коллектора пс.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано: Полевой транзистор КП103К, напряжение сток-исток В, затвор-исток В.
Литература
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току , напряжению и мощности и входное сопротивление усилителя . Найти полезную мощность в нагрузке , мощность, рассеиваемую в коллекторе , потребляемую мощность и коэффициент полезного действия .
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания В, сопротивление нагрузки Ом, постоянный ток смещения в цепи базы мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Дано: частота МГц, модуль коэффициента передачи тока , постоянная времени цепи коллектора пс.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано: Полевой транзистор КП103К, напряжение сток-исток В, затвор-исток В.
Литература
Дополнительная информация
Оценка - отлично!
Похожие материалы
Контрольная работа По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 12.
mdmatrix
: 28 августа 2020
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
mdmatrix
: 28 августа 2020
120 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
Колька
: 16 ноября 2016
Задача 1.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллекто
Колька
: 16 ноября 2016
70 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
andreyan
: 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
sergeyw78
: 23 мая 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
RomIN
: 1 июля 2010
СибГути 04 вариант
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) ра
RomIN
: 1 июля 2010
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 09
Учеба "Под ключ"
: 30 июля 2026
Определение параметров и выбор полупроводниковых диодов
Цель работы
a) Научиться рассчитывать параметры диодов.
b) Научиться пользоваться справочной литературой по полупроводниковым диодам.
c) Научиться производить выбор диодов для конкретных радиоэлектронных устройств.
Таблица А1– Исходные данные для заданий 1,2,3
Вариант: 09
Тип диода VD: Д302
R,Ом: 0,4
U,В: 0,4
Рисунок Б27 – ВАХ диода Д302
Задание 1
Цепь состоит из последовательно включенного диода VD и резистора R (см. р
Учеба "Под ключ"
: 30 июля 2026
1300 руб.
Другие работы
Совместные предприятия в России
Elfa254
: 25 сентября 2013
За последнее время в России сложилась довольно непростая политическая и экономическая ситуация. Чтобы решить множество появившихся при этом проблем, необходимо пересмотреть и переоценить достоинства и недостатки нашего народного хозяйства, а также найти и изучить новые перспективные направления и формы деятельности. И именно сейчас, когда становится реальным оживление нашей экономики, особенно актуальными становятся привлечение прямых иностранных инвестиций и создание совместных предприятий (СП)
Elfa254
: 25 сентября 2013
Особенности ценообразования на мировом рынке
DocentMark
: 14 сентября 2013
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. ЦЕНООБРАЗУЮЩИЕ ФАКТОРЫ – ВАЖНЕЙШИЙ ЭЛЕМЕНТ ЦЕНООБРАЗОВАНИЯ
1.1. Спрос и предложение, как основной ценообразующий фактор
1.2. Ценообразование в зависимости от типа рынка
1.3. Влияние государства на ценообразование в мировой торговле
1.4. Виды цен в мировой торговле
2. РОССИЯ В СИСТЕМЕ МИРОВОГО ЦЕНООБРАЗОВАНИЯ
2.1. Ценообразование переходного периода
2.2. Механизмы ценообразования на нефтяном рынке
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ВВЕДЕНИЕ
Вступление Российской Ф
DocentMark
: 14 сентября 2013
10 руб.
Объектно-ориентированный анализ и программирование. Лабораторные работы
BarneyL
: 27 октября 2018
Лабораторная работа №1
Тема: Построение UML диаграммы вариантов использования и диаграммы классов.
Задание: для диаграммы вариантов использования нужно отобразить на диаграмме следующие основные действия с объектом «компьютер»: ввод программы с клавиатуры, подсоединение внешнего устройства (флэшки), просмотр результата работы программы на мониторе.
На диаграмме классов необходимо отобразить класс объекта «компьютер», основные поля класса (номер компьютера, расположение-аудитория), методы класса
BarneyL
: 27 октября 2018
100 руб.
Деловой иностранный язык. Английский/ Письменная работа + КЕЙС ВАРИАНТ 2
Света5
: 10 августа 2018
Выполнение письменного задания.
Task 1.
Make up a letter from a Russian exporter to a foreign partner. Follow the plan:
give reference to the contract number;
inform the circumstances impending chartering the tonnage;
offer a solution (postponing shipment, substituting a vessel);
ask the Buyers not to charge penalty for the delay in delivery;
don’t forget about a complimentary close.
Task 2.
Make up a letter from Seller to Buyer on delay in payment. Follow the plan:
quote the contract number
rem
Света5
: 10 августа 2018
400 руб.
