Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току , напряжению и мощности и входное сопротивление усилителя . Найти полезную мощность в нагрузке , мощность, рассеиваемую в коллекторе , потребляемую мощность и коэффициент полезного действия .
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания В, сопротивление нагрузки Ом, постоянный ток смещения в цепи базы мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Дано: частота МГц, модуль коэффициента передачи тока , постоянная времени цепи коллектора пс.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано: Полевой транзистор КП103К, напряжение сток-исток В, затвор-исток В.
Литература
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току , напряжению и мощности и входное сопротивление усилителя . Найти полезную мощность в нагрузке , мощность, рассеиваемую в коллекторе , потребляемую мощность и коэффициент полезного действия .
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания В, сопротивление нагрузки Ом, постоянный ток смещения в цепи базы мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Дано: частота МГц, модуль коэффициента передачи тока , постоянная времени цепи коллектора пс.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано: Полевой транзистор КП103К, напряжение сток-исток В, затвор-исток В.
Литература
Дополнительная информация
Оценка - отлично!
Похожие материалы
Контрольная работа По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 12.
mdmatrix
: 28 августа 2020
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
120 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
Колька
: 16 ноября 2016
Задача 1.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллекто
70 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
RomIN
: 1 июля 2010
СибГути 04 вариант
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) ра
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 09
Учеба "Под ключ"
: 30 июля 2026
Определение параметров и выбор полупроводниковых диодов
Цель работы
a) Научиться рассчитывать параметры диодов.
b) Научиться пользоваться справочной литературой по полупроводниковым диодам.
c) Научиться производить выбор диодов для конкретных радиоэлектронных устройств.
Таблица А1– Исходные данные для заданий 1,2,3
Вариант: 09
Тип диода VD: Д302
R,Ом: 0,4
U,В: 0,4
Рисунок Б27 – ВАХ диода Д302
Задание 1
Цепь состоит из последовательно включенного диода VD и резистора R (см. р
1300 руб.
Другие работы
Экзамен по дисциплине «Сети ЭВМ и телекоммуникации». 6-й семестр. Билет № 22
mastar
: 20 января 2013
Билет 22
22. Чтобы данные через репитер поступали из одного сегмента в другой, каждый сегмент должен использовать одинаковые пакеты и протоколы
L1: Прикладной уровень
L2: Канальный уровень
L3: Сетевой уровень
L4: Представительский уровень
125 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Техническая эксплуатация средств связи. Вариант общий
xtrail
: 22 сентября 2024
Лабораторная работа №3
«Безопасность информационно-телекоммуникационных систем»
Ответить на вопросы:
5. Какие виды аутентификации предлагает OpenVPN?
7. Что такое угроза безопасности информации? Приведите виды угроз.
100 руб.
Разработка модуля информационной системы: Оптимизация деятельности строительной организации
Aronitue9
: 19 мая 2012
Лабораторная работа № 2
Разработка модуля информационной системы
«Оптимизация деятельности строительной организации»
Цель лабораторной работы: приобретение практических навыков создания пользовательских форм для разработки модуля информационной системы.
Краткие теоретические сведения
Пользовательская форма UserForm предоставляет пользователю возможность создавать диалоговые окна разрабатываемых приложений. Она служит базой пользовательского диалогового окна, на которой в зависимости от реш
20 руб.
Диплом: Правовое регулирование деятельности налоговых органов РФ
alfFRED
: 25 октября 2013
Среди множества экономических рычагов при помощи которых государство воздействует на рыночную экономику, важное место занимают налоги. В условиях рыночных отношений, и особенно в переходный к рынку период, налоговая система является одним из важнейших экономических регуляторов, основой финансово-кредитного механизма государственного регулирования экономики. Государство широко использует налоговую политику в качестве определенного регулятора воздействия на негативные явления рынка. Налоги, как и
77 руб.