Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

Цена:
300 руб.

Состав работы

material.view.file_icon E2331AF2-0709-4EBC-B009-134F5310D349.docx [ 172 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы

Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Ход работы

1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА.
2. Обратное включение
2.1. Снятие вольт-амперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы

Дополнительная информация

По данной работе получен зачет!

Похожие материалы

Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (ВСЕ варианты)
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение лабораторной работы. 1. Прямое включение. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА 2. Обратное включение. 2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении. 2.2. Определение сопротивления
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Елена22 : 7 октября 2015
300 руб.
promo
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА. 2. Обратное включение. 2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Roma967 : 29 мая 2015
300 руб.
promo
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User aleks797 : 17 декабря 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Вариант: 11
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User konst1992 : 31 января 2018
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
Электроника Работа Лабораторная
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User lev12345678 : 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследовани
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ДО Сибгути : 26 января 2013
150 руб.
promo

Другие работы

Гидравлика Задача 9.229
Заданы длина L участка, его диаметр d, профиль z(x) трубопровода, абсолютная эквивалентная шероховатость Δ его внутренней поверхности, кинематическая вязкость ν транспортируемой жидкости, а также расход Q установившегося режима перекачки. Необходимо найти разность напоров для осуществления перекачки.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 12 апреля 2026
200 руб.
Гидравлика Задача 9.229
Кнопкова форма в базах данних. БД
Мета: навчись працювати з кнопковою формою. Хід роботи: 1. Створення головної форми. .
Информатика Работа Лабораторная
User SerFACE : 25 мая 2013
Курсовая по металлорежущим станкам
Анализ существующих конструкций станков и выбор станка-прототипа Обоснование технической характеристики станка Виды работ, выполняемых на Радиально-сверлильных станках Выбор и расчет режимов резания Диапазон регулирования Диапазон регулирования скоростей Диапазон частот вращения шпинделя Расчет мощности привода и выбор электродвигателя Кинематический расчет привода главного движения Разработка структурной сетки коробки скоростей Разработка кинематической схемы проектируемого станка Построение г
АГТУ Металлорежущие станки Работа Курсовая
User Kachmen : 24 декабря 2012
Пересечение пирамиды и плоскости. Чертеж
Взаимное пересечение прямой и плоскости. Сделано в компас 16+сохранено в джпг и пдф Открывается всеми версиями компаса начиная с 16. Все что есть на приложенных изображениях, есть в приложенном архиве. Если есть какие-то вопросы или нужно другой вариант, пишите.
Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User Laguz : 12 августа 2025
150 руб.
Пересечение пирамиды и плоскости. Чертеж
up Наверх