Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
19.10.2013
-
Размер:
172 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
Amor
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
E2331AF2-0709-4EBC-B009-134F5310D349.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход работы
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА.
2. Обратное включение
2.1. Снятие вольт-амперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход работы
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА.
2. Обратное включение
2.1. Снятие вольт-амперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы
Дополнительная информация
По данной работе получен зачет!
Похожие материалы
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Антон28
: 8 августа 2025
1500 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (ВСЕ варианты)
Елена22
: 7 октября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления
Елена22
: 7 октября 2015
300 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)
Roma967
: 29 мая 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА.
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д
Roma967
: 29 мая 2015
300 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
aleks797
: 17 декабря 2011
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
aleks797
: 17 декабря 2011
50 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Вариант: 11
konst1992
: 31 января 2018
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447
konst1992
: 31 января 2018
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
mirsan
: 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
lev12345678
: 17 марта 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
lev12345678
: 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследовани
ДО Сибгути
: 26 января 2013
150 руб.
Другие работы
Определение и анализ проблемных задач КАМ
alfFRED
: 22 марта 2014
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение……………………………………………………………………………………3
1. Определение и анализ проблемных задач «КАМ» компании ……………4
1.1. Описание организации как объекта управления………………………………….……4
1.2. Анализ внутренней среды организации. SNW-анализ……………………………….....7
1.3. Системный и ситуационный анализ внешних сил.PEST-анализ……………………...9
1.4. Комплексный анализ среды предпринимательской деятельности.SWOT-анализ….12
2. Формирование целей организации……………………………………………….14
2.1. Формирование миссии организации ..…
alfFRED
: 22 марта 2014
10 руб.
Загрязнение атмосферы г.Екатеринбурга заводом им.Калинина
БышаА
: 18 января 2009
курсовая работа: по загрязнению атмосферного воздуха выбросами машиностроительного завода
Содержание
Введение…………………………………………………………………………..……….3
1.Загрязнение атмосферного воздуха…………………………………...………….……5
1.1 Понятие атмосферы……………………………………………………………..5
1.2 Источники загрязнений воздушной среды…………………………………..…8
1.3 Основные загрязняющие вещества и последствия загрязнения………….....11
1.4 Законы Российской Федерации об охране атмосферного воздуха……...…..15
1.5 Мероприятия по предупреждению загрязне
БышаА
: 18 января 2009
Формирование психологической культуры детей
evelin
: 14 октября 2013
Оглавление
Введение
Глава I. Теоретический анализ проблемы влияния психологической культуры в социальной микросреде на формирование психологической культуры детей
1.1 Соотношение понятий «культура», «психологическая культура», «детская субкультура»
1.2 Общество сверстников и его влияние на формирование психологической культуры детей
1.3 Психологическая культура родителей – фактор формирования психологической культуры детей
Выводы
Литература
Введение
В настоящее время психология начинает
evelin
: 14 октября 2013
Задачи по физике. Вариант №77
anderwerty
: 20 января 2016
Вариант 77
1. Определите, где находится ближняя точка ясного видения глаза, если его аметропия составляет – 3,5дптр, а объем аккомодации 6 дптр?
2. Расстояние между объективом и окуляром 135 мм. На расстоянии 25 мм от окуляра расположить призму БП-90 (диаметр рабочего пучка на призме 15 мм, показатель преломления n = 1,5183). Определить расстояние между призмой и объективом.
3. Найдите угловое поле объектива проекционной системы, если фокусное расстояние f 'об =55 мм, относительное отверстие
anderwerty
: 20 января 2016
16 руб.
