Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

Цена:
300 руб.

Состав работы

material.view.file_icon E2331AF2-0709-4EBC-B009-134F5310D349.docx [Office 2007, 172 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы

Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Ход работы

1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА.
2. Обратное включение
2.1. Снятие вольт-амперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы

Дополнительная информация

По данной работе получен зачет!

Похожие материалы

Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (ВСЕ варианты)
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение лабораторной работы. 1. Прямое включение. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА 2. Обратное включение. 2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении. 2.2. Определение сопротивления
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Елена22 : 7 октября 2015
300 руб.
promo
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА. 2. Обратное включение. 2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Roma967 : 29 мая 2015
300 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User aleks797 : 17 декабря 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Вариант: 11
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User konst1992 : 31 января 2018
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
Электроника Работа Лабораторная
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User lev12345678 : 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследовани
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ДО Сибгути : 26 января 2013
150 руб.
promo

Другие работы

Выявление эмоциональных предпочтений в общении
Проведение обследования: ребёнку даётся инструкция: «Давай поиграем с тобой в твой день рождения. Большой круг будет у нас столом, на котором стоит праздничный торт со свечками. Свечек столько, сколько тебе будет лет. Мы их нарисуем. Вокруг стола расположены маленькие кружочки – это что? Конечно, стулья. Выбери стул, на который ты сядешь. Давай отметим твой стул – звёздочкой или снежинкой? (Ответ ребёнка позволяет отметить сформированность половой идентификации: мальчики выбирают звёздочку, дево
Психология Работа
User alfFRED : 15 октября 2013
10 руб.
Теоретические основы современных технологий беспроводной связи. Вариант №4 (шифр 33)
Исходные Данные: f = 1800 МГц, F = 5.5 МГц, PT = 10%, Pb = 0.04, Nα = 150000, GBS = 2 дБ, PMS = -143 дБВт, ρ0 = 9 дБ, β = 0.025 Эрл, S = 543 км2,HBS = 70 м, Fk = 200 кГц, nα = 8, σ = 5 дБ, hMS = 1.5 м. Определить параметры сотовой сети для данного города и мощность передатчика базовой станции , необходимую для обеспечения заданного качества связи. Для составления полного частотного плана сети подвижной радиосвязи (СПРС), т.е. плана внедрения конкретных номиналов частот для каждой из базовых ста
СибГУТИ Работа Контрольная Телекоммуникации
User SatanRay : 30 января 2015
600 руб.
Правонарушения в области информационных технологий
курсовая работа, на тему "Правонарушения в области информационных технологий". Оформление полностью соответствует стандартам. 18 листов
Информационные проекты
User ксюничкаумничка : 28 апреля 2025
100 руб.
Правонарушения в области информационных технологий
Экзамен по истории. Билет № 8
Билет № 8 1. Русь и Литва: система взаимоотношений и взаимовлияния (XIII – первая половина XVI вв.). 2. Февральская буржуазная революция в России: крушение царизма.
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные История
User Юлия102 : 13 мая 2016
120 руб.
up Наверх