Лабораторные работы по дисциплине: Физические основы электроники.
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
19.10.2013
-
Размер:
444 KB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
Amor
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ЛР №1. ФОЭ.docx
|
|
ЛР №2. ФОЭ.docx
|
|
ЛР №3. ФОЭ.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход работы
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА.
2. Обратное включение
2.1. Снятие вольт-амперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Ход работы
Схема с общей базой.
Снятие входных характеристик биполярного транзистора при и В.
Снятие выходных характеристик биполярного транзистора при , мА и мА.
Схема с общим эмиттером.
Снятие входных характеристик биполярного транзистора при и В.
Снятие семейства выходных характеристик БТ.
Исследовние работы усилителя.
Режим класса А.
Режим класса В.
Рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Выводы
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.
Ход работы
Статические передаточные характеристики ПТ.
Выходные характеристики полевого транзистора.
Определение крутизны.
Исследовние работы усилителя.
Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики .
Режим обогащения.
Режим отсечки.
Выводы
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход работы
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА.
2. Обратное включение
2.1. Снятие вольт-амперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Ход работы
Схема с общей базой.
Снятие входных характеристик биполярного транзистора при и В.
Снятие выходных характеристик биполярного транзистора при , мА и мА.
Схема с общим эмиттером.
Снятие входных характеристик биполярного транзистора при и В.
Снятие семейства выходных характеристик БТ.
Исследовние работы усилителя.
Режим класса А.
Режим класса В.
Рабочая точка находится вблизи режима насыщения.
Выводы
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.
Ход работы
Статические передаточные характеристики ПТ.
Выходные характеристики полевого транзистора.
Определение крутизны.
Исследовние работы усилителя.
Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики .
Режим обогащения.
Режим отсечки.
Выводы
Дополнительная информация
Все работы выполнены исходя из условий задания и зачтены!
Похожие материалы
СТАБИЛИТРОНЫ. Отчет по лабораторной работе по дисциплине: Физические основы электроники
ДО Сибгути
: 31 января 2013
Цель лабораторной работы:
1. Построение обратной ветви вольтамперной характеристики стабилитрона и определение напряжения стабилизации.
2. Вычисление тока и мощности, рассеиваемой стабилитроном.
3. Определение дифференциального сопротивления стабилитрона по вольтамперной характеристике.
4. Исследование изменения напряжения стабилитрона при изменении входного напряжения в схеме параметрического стабилизатора.
5. Исследование изменения напряжения на стабилитроне при изменении сопротивления в схем
ДО Сибгути
: 31 января 2013
85 руб.
Лабораторные работы (3шт.) по дисциплине: Физические основы электроники.
manylives
: 27 марта 2019
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с
manylives
: 27 марта 2019
130 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические Основы Электроники
ZhmurovaUlia
: 20 ноября 2016
Лабораторная работа №1
По дисциплине: Физические Основы Электроники
ZhmurovaUlia
: 20 ноября 2016
130 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине: "Физические основы электроники"
wowan1190
: 3 декабря 2013
Тема: " ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Отчет о работе
2.1. Снять передаточную характеристику IC = F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1.
2.2. Снять выходные характеристики транзистора при четырех значениях напряжения на затворе UЗИ, в том числе при UЗИ 1 = 0, UЗИ 2 ≈ 0,2×UЗИО и UЗИ3 ≈ 0,4×UЗИО и UЗИ 4 = 0,6 UЗИО. Результаты изме
wowan1190
: 3 декабря 2013
100 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: "Физические основы электроники"
wowan1190
: 3 декабря 2013
Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
wowan1190
: 3 декабря 2013
70 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: "Физические основы электроники"
wowan1190
: 3 декабря 2013
Тема: " Исследование статических характеристик биполярного транзистора "
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1.
2.1.1Снять две входные характеристики тра
wowan1190
: 3 декабря 2013
70 руб.
Лабораторная работа №3 По дисциплине: Физические основы электроники
4eJIuk
: 11 апреля 2011
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа.
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения передаточной и выходных вольтамперных характеристик полевого транзистора, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученному графику передаточной характеристики рассчитана ее крутизна S в точк
4eJIuk
: 11 апреля 2011
70 руб.
Лабораторная работа №2 По дисциплине: Физические основы электроники
4eJIuk
: 11 апреля 2011
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Ход выполнения работы
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным
4eJIuk
: 11 апреля 2011
70 руб.
Другие работы
Технология разработки ПО для подготовки к экзамену
Aronitue9
: 6 января 2012
Введение.
Требования к современным технологиям,
Общие принципы разработки программных средств,
Разработка структуры программы и модульное программирование,
Разработка программного модуля.
Структурное программирование,
Стиль программирования,
Выбор языка программирования,
Виды ошибок.
Основные принципы отладки ПС,
Основные принципы организации тестирования ПС .
Aronitue9
: 6 января 2012
20 руб.
Создание патч-корда
SerFACE
: 1 ноября 2013
HTTPS (HyperText Transfer Protocol Secure) — расширение протокола HTTP, поддерживающее шифрование. Данные, передаваемые по протоколу HTTPS, «упаковываются» в криптографический протокол SSL или TLS, тем самым обеспечивается защита этих данных. В отличие от HTTP, для HTTPS по умолчанию используется TCP-порт 443.
Система была разработана компанией Netscape Communications Corporation, чтобы обеспечить аутентификацию и защищённое соединение. HTTPS широко используется в мире Веб для приложений, в кото
SerFACE
: 1 ноября 2013
4 руб.
Политическая культура общества
Lokard
: 19 января 2014
1. Структура и функции политической культуры
Термин "политическая культура" был введен в XVIII веке немецким философом Иоганом Гердером. Концептуальная разработка данного понятия была проделана в 1950-1960 гг. в рамках бихевиористской школы. Тут впервые было отмечено, что политические системы отличаются друг от друга не только правовыми нормами и институциональной структурой, но и политической культурой.
Политическая культура представляет собой совокупность индивидуальных позиций и ориентации уч
Lokard
: 19 января 2014
10 руб.
Протокол "Электронные деньги"
1231233
: 20 марта 2011
Лабораторная работа №5
Тема: Криптографические протоколы (Глава 6)
Задание:
Выполнить компьютерную реализацию протокола "Электронные деньги". Все необходимые параметры выбрать самостоятельно.
1231233
: 20 марта 2011
23 руб.
