Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №1
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
17.11.2013
-
Размер:
113 KB
-
Покупок:
30
-
Добавил:
Andrev111111
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР по устройству оптоэлектроники.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано: Тип фотоприемника (ФП) – Фотодиод со структурой p-i-n
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Дано:
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность, h – 0,2
Ширина запрещенной зоны D W, эВ – 0,6
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры.
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответсвующую максимуму спектрального распределения.
Дано:
Тип светодиода – АЛ102В
Напряжения питания Uпит – 5 В
Наминал ограничительного сопротивления – 510 Ом
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано: Тип фотоприемника (ФП) – Фотодиод со структурой p-i-n
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Дано:
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность, h – 0,2
Ширина запрещенной зоны D W, эВ – 0,6
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры.
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответсвующую максимуму спектрального распределения.
Дано:
Тип светодиода – АЛ102В
Напряжения питания Uпит – 5 В
Наминал ограничительного сопротивления – 510 Ом
Дополнительная информация
Зачет, 2012 год, проверил Игнатов А.Н.
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
gerts
: 6 декабря 2015
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фото-приемника и указать на ней λгр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полу-проводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и со
gerts
: 6 декабря 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 1
avrmaster
: 10 августа 2012
При написании контрольной использовалась электронная версия пособия «Устройства оптоэлектроники» профессора Игнатова А.Н. и пособие Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы -М.: Энергоатомиздат., 1990.
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спек
avrmaster
: 10 августа 2012
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
ART1800
: 8 мая 2013
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине"Устройства оптоэлектроники" 1 вариант
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 28 сентября 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Табл
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 28 сентября 2013
300 руб.
Другие работы
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. И. М. Губкина Гидростатика Задача 30 Вариант 5
Z24
: 6 декабря 2025
Перед подземным ремонтом газовую скважину «задавили», залив ее ствол до устья (до поверхности земли) водой (t = 20ºС). Затем в скважину лебедкой спустили насосно-компрессорные трубы, по которым при эксплуатации скважины поступает из пласта газ. Длина спущенных труб равна l, внешний диаметр D, толщина стенки δ, вес одного метра длины q.
Определить максимальное усилие на крюке лебедки для двух случаев:
1) нижний конец труб открыт – четные варианты;
2) нижний конец труб заглушен – нечетные
Z24
: 6 декабря 2025
150 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Математические основы цифровой обработки сигналов. Билет №20
tchestr
: 18 января 2013
Билет № 20.
1. Задан входной сигнал и задано Z-преобразование импульсной характеристики дискретной цепи .
Определить спектральную плотность входного и выходного сигналов.
2. Заданы входной сигнал и импульсная характеристика цепи: . Найти выходной сигнал , используя линейную свертку, круговую свертку.
3. Задана передаточная функция цепи Проверить устойчивость цепи и построить графики АЧХ и ФЧХ.
tchestr
: 18 января 2013
700 руб.
Основы теории цепей №1,2,3 (7)вариант
seregaromanchen
: 9 апреля 2022
Законы Ома и Кирхгофа в резистивных цепях
Электрические цепи при гармоническом воздействии
Резонансы напряжений и токов в электрических цепях
seregaromanchen
: 9 апреля 2022
90 руб.
Гидростатика и гидродинамика ТИУ Задача 1.6 Вариант 10
Z24
: 31 декабря 2026
Основание понтона, представляет собой цилиндр с положительной плавучестью. Определить объем надводной части цилиндра незагруженного понтона, не единице его длины, если диаметр поперечного сечения цилиндра составляет d, м, плотность материала, из которого он изготовлен, равна ρ, а плотность воды ρв = 1000 кг/м³.
Z24
: 31 декабря 2026
150 руб.
