Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №1
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано: Тип фотоприемника (ФП) – Фотодиод со структурой p-i-n
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Дано:
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность, h – 0,2
Ширина запрещенной зоны D W, эВ – 0,6
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры.
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответсвующую максимуму спектрального распределения.
Дано:
Тип светодиода – АЛ102В
Напряжения питания Uпит – 5 В
Наминал ограничительного сопротивления – 510 Ом
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано: Тип фотоприемника (ФП) – Фотодиод со структурой p-i-n
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Дано:
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность, h – 0,2
Ширина запрещенной зоны D W, эВ – 0,6
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры.
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответсвующую максимуму спектрального распределения.
Дано:
Тип светодиода – АЛ102В
Напряжения питания Uпит – 5 В
Наминал ограничительного сопротивления – 510 Ом
Дополнительная информация
Зачет, 2012 год, проверил Игнатов А.Н.
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
gerts
: 6 декабря 2015
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фото-приемника и указать на ней λгр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полу-проводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и со
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 1
avrmaster
: 10 августа 2012
При написании контрольной использовалась электронная версия пособия «Устройства оптоэлектроники» профессора Игнатова А.Н. и пособие Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы -М.: Энергоатомиздат., 1990.
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спек
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине"Устройства оптоэлектроники" 1 вариант
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 28 сентября 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Табл
300 руб.
Другие работы
Аутентификация и шифрование в GSM - Лабораторная работа по дисциплине: Беспроводные технологии передачи данных. Вариант 05
Roma967
: 28 марта 2024
«Аутентификация и шифрование в GSM»
Подготовка к выполнению работы:
1. Скачать и установить демо-версию программы RuimTool «2G + 3G/4G Authentication». Скачать можно с официального сайта http://www.ruimtools.com/products.php
2. Найти в Интернете и скачать таблицу ASCII.
Выполнение лабораторной работы:
Произвести расчет SRES и Kc с помощью программы 2G + 3G/4G Authentication, после чего закодировать текстовое сообщение ключом Kc путем простого сложения по модулю 2.
1) Ключ KI (16 байт) зависит
400 руб.
Компрессорный агрегат чертеж общего вида
Laguz
: 21 февраля 2024
Чертеж компрессорного агрегата со спецификацией
300 руб.
Разработка стратегии развития гостиницы "Хёндэ"
Aronitue9
: 8 января 2012
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 3
1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ СТРАТЕГИЧЕСКОГО ПЛАНИРОВАНИЯ 5
1.1 Понятие и виды стратегии 5
1.2 Потенциал предприятия 7
1.3 Система стратегического управления 8
2. МЕТОДЫ РАЗРАБОТКИ СТРАТЕГИИ 10
2.1 Роль стратегии 10
2.2 Методы разработки стратегий 15
2.3 Процесс стратегического планирования 18
3 СТРАТЕГИЯ РАЗВИТИЯ ГОСТИНИЦЫ «ХЁНДЕ» 21
3.1 Позиции анализа стратегии 21
3.2 Исследование стратегии гостиницы «Хёнде» 30
3.2.1 Анализ внешней среды 30
3.2.2 Анализ внутренней среды 3
20 руб.
Теплотехника 19.03.04 КубГТУ Задача 4 Вариант 93
Z24
: 20 января 2026
Определить поверхность нагрева рекуперативного газовоздушного теплообменника при прямоточной и противоточной схемах движения теплоносителей, если объемный расход нагреваемого воздуха при нормальных условиях Vн, средний коэффициент теплопередачи от продуктов сгорания к воздуху k, начальные и конечные температуры продуктов сгорания и воздуха соответственно равны t′1, t″1, t′2, t″2.
Изобразить для обоих случаев графики изменения температуры теплоносителей от величины поверхности теплообмена.
200 руб.