Лабораторная работа №2 по дисциплине: "Физические основы электроники"
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
03.12.2013
-
Размер:
27 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
wowan1190
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
2.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Тема: " Исследование статических характеристик биполярного транзистора "
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1.
2.1.1Снять две входные характеристики транзистора IЭ= f(UЭБ) при UКБ=0 UКБ=8В (график 1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1.
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1.
2.1.1Снять две входные характеристики транзистора IЭ= f(UЭБ) при UКБ=0 UКБ=8В (график 1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 22.01.2013
Рецензия:Ваша работа зачтена
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 22.01.2013
Рецензия:Ваша работа зачтена
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Лабораторная работа №2 По дисциплине: Физические основы электроники
4eJIuk
: 11 апреля 2011
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Ход выполнения работы
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным
4eJIuk
: 11 апреля 2011
70 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Лабораторная работа 2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
Cхема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. При
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
100 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники, вариант 6
Александр410
: 4 мая 2019
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Александр410
: 4 мая 2019
180 руб.
Лабораторная работа №2. По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
Колька
: 1 марта 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с ОБ приведена на рисунках *-*.
2. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования выходных характеристик с ОБ
Колька
: 1 марта 2017
50 руб.
Лабораторная работа № 2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант № 5
sec1or
: 15 мая 2012
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным в с
sec1or
: 15 мая 2012
200 руб.
Лабораторные работы № № 1-2 по дисциплине: Физические основы электроники
JuliaRass
: 23 января 2013
Лаб. работа №1.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включен
JuliaRass
: 23 января 2013
150 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Другие работы
Теоретическая механика ДВГУПС 2014 Задача К2 Рисунок 4 Номер условия 9
Z24
: 29 сентября 2026
Механизм состоит из колес 1–4, находящихся в зацеплении, рукоятки АО, жестко соединенной с соответствующим колесом, и груза В, привязанного к концу нити, намотанной на одно из колес. Радиусы колес равны соответственно r1, r2, r3 и r4 (рис. К2.0 — К2.9, табл. К2).
Зная закон движения груза В x = f (t), определить в момент времени t1 угловую скорость и угловое ускорение колеса 3, а также скорость и ускорение конца рукоятки А.
Z24
: 29 сентября 2026
250 руб.
Современные информационные технологии. Контрольная работа. Вариант №9
Taburet
: 19 августа 2014
Изучение методов оценки структурной надёжности
телекоммуникационных сетей.
Задание.
На рисунке 1 приведен вариант структуры сети связи. Используя два любых метода оценки структурной надежности, рассчитать дифференциальную структурную надежность между любой парой узлов сети.
Taburet
: 19 августа 2014
100 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Основы проектирования, строительства и эксплуатации сетей связи. Вариант №1
gerts
: 4 июня 2016
Введение 6
1. Разработка структурной схемы ГТС 7
1.1 Структурная схема ГТС 7
1.2 Разработка системы нумерации АЛ на ГТС8 8
2. Разработка структурной схемы, проектируемой РАТС 11
2.1 Определение количества и емкости DLU 11
2.2 Распределение источников нагрузки по DLU 11
2.3 Структурная схема проектируемой РАТС 12
3. Расчет интенсивностей телефонных нагрузок 15
3.1 Расчет исходящей нагрузки от DLU 15
3.2 Расчет интенсивностей нагрузок между существующими и проектируемой РАТС 18
3.3 Определение меж
gerts
: 4 июня 2016
399 руб.
Избирательные системы и их функционирование в России
Qiwir
: 20 марта 2013
Формирование избирательной системы в современной России относится к началу 90-ых годов. Первые демократические выборы в России состоялись летом 1991г., ещё в период существования СССР. В президентских выборах, состоявшихся 12 июня 1991г., из шести претендентов уже в первом туре победу одержал Б.Н.Ельцин. Получив 57% голосов, он стал первым президентом России. Однако некоторые демократические нововведения были применены ещё в период выборов народных депутатов СССР в 1989г., а также в ходе избират
Qiwir
: 20 марта 2013
10 руб.
