Контрольная работа №1 по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 7. (4-й семестр)
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 - Фототранзистор
Задача №2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней .
Дано:
Тип ПП материала Ge;
Квантовая эффективность, n - 0,2;
Ширина запрещенной зоны dW , эВ - 0,6;
Найти: Лгр -? Sгр -?
Задача №3: Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Таблица 3. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А B C D E F G
7 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1
Задача №4: Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать, какую силу света обеспечивает светодиод при заданных и . Определить длину волны, соответственно максимуму спектрального распределения. Исходные данные варианта указаны в таблице.
№ варианта Тип Светодиода Напряжение питания , Номинал ограничительного сопротивления,
0 АЛ102В 5 510
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 - Фототранзистор
Задача №2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней .
Дано:
Тип ПП материала Ge;
Квантовая эффективность, n - 0,2;
Ширина запрещенной зоны dW , эВ - 0,6;
Найти: Лгр -? Sгр -?
Задача №3: Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Таблица 3. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А B C D E F G
7 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1
Задача №4: Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать, какую силу света обеспечивает светодиод при заданных и . Определить длину волны, соответственно максимуму спектрального распределения. Исходные данные варианта указаны в таблице.
№ варианта Тип Светодиода Напряжение питания , Номинал ограничительного сопротивления,
0 АЛ102В 5 510
Дополнительная информация
По данной работе получен зачет.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Убедительная просьба при сдаче работы поменяйте хотя бы оформление.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Убедительная просьба при сдаче работы поменяйте хотя бы оформление.
Похожие материалы
Контрольная работа №1 по дисциплине: Устройства оптоэлектроники . 4-й семестр. Вариант №14.
58197
: 8 октября 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0
95 руб.
Экзамен по устройству оптоэлектронике. 4-й семестр
ramzes14
: 15 февраля 2013
Вопросы к зачету:
1.Система обозначений оптоэлектронных приборов.
2.Устройство и принцип действия суперлюминсцентного диода.
3.Устройство и принцип действия диодно-транзисторного фотоприемника.
4.Устройство и принцип действия электрохромного индикатора.
150 руб.
Устройство оптоэлектроники. Зачет. 4-й семестр
Dimark
: 21 января 2013
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Световые параметры.
Раздел Излучатели.
2.Принцип действия и условия работы лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.ПЗС фотоприемник.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
2-й семестр ДО. «Устройства оптоэлектроники». Зачет. В3.
Мария60
: 1 февраля 2019
2 семестр ДО.
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Излучатели на основе гетероструктур.
Раздел Излучатели.
2.Получение разных цветов с помощью светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия кремникона.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации.
100 руб.
Зачет по дисциплине: Устройства оптоэлектроники 5-й семестр
agentorange
: 9 апреля 2017
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.
Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
120 руб.
Зачет по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. 3-й семестр.
vindemia
: 3 июня 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
75 руб.
Зачёт по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. (4-й семестр).
ua9zct
: 17 марта 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Излучатели на основе моноперехода.
Раздел Излучатели.
2.Ввод излучения в световоды.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия сканистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптических устройств считывания информации.
100 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачетная работа. 5-й семестр
yana1988
: 17 ноября 2014
Вопросы к зачету «Устройства оптоэлектроники».
1.Спектры потерь в световоде.Раздел Физические основы оптоэлектроники
2.Назначение и типы линз используемых в излучателях. Раздел Излучатели.
3.Устройство и принцип действия фотодиодов на основе p-n перехода. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного усилителя.Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
30 руб.
Другие работы
Лабораторная работа по дискретной математике № 3. 1-й семестр 10-й вариант
Despite
: 15 мая 2015
3. Генерация перестановок.
Дано конечное множество A. Требуется сгенерировать все возможные перестановки его элементов в лексикографическом порядке (по материалам главы 1, п. 1.3.6, и главы 2, п. 2.2.1).Требования к заданию множества – в нем не должно быть повторяющихся элементов, кроме того, удобнее использовать или только буквы, или только цифры.
60 руб.
Лабораторная работа №1 исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе по дисциплине: схемотехника телекоммуникационных устройств вариант 6
Ирина36
: 20 августа 2024
1. Цель работы: исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
2. Задание к работе
2.1. Исследовать логарифмических амплитудно-частотных характеристик(ЛАЧХ) и фазочастотных (ЛФЧХ) характеристик усилителя с целью исследования влияния резистивных элементов:
• без учета влияния отрицательной обратной связи по переменному току (при включении большой емкости в цепь эмиттера);
• с ч
500 руб.
Низькорівневе програмування контроллера клавіатури
Elfa254
: 5 октября 2013
Системне програмування (або програмування систем) - рід діяльності, що полягає в роботі над системним програмним забезпеченням. Основна відмінна риса системного програмування в порівнянні з прикладним програмуванням полягає в тому, що результатом останнього є випуск програмного забезпечення, що пропонує певні послуги користувачам (наприклад, текстовий процесор). Тоді як результатом системного програмування є випуск програмного забезпечення, що пропонує сервіси по взаємодії з апаратним забезпечен
10 руб.
Топливно-энергетический комплекс (ТЭК), АПК в мировой экономике
Slolka
: 28 октября 2013
Отрасли ТЭК относятся к капиталоемким отраслям. В промышленно развитых странах, где представлены все его отрасли, обычно основные капиталовложения в пределах до 85% приходятся на нефтегазодобывающую промышленность и электроэнергетику (примерно в равных долях) и до 15% — на нефтепереработку и угольную промышленность. Значительное влияние на инвестиционный процесс в ТЭК в целом оказывают инвестиции в нефтяную промышленность.
Циклический характер развития деловой активности в нефтяной промышленност
10 руб.