Лабораторная работа № 2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Вариант №6
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
2.1.2. Снять три выходные характеристики транзистора IК=f(UКБ). Первую для IЭ=0, вторую для IЭ=2 мА и третью для IЭ=5 мА (график 2). Результаты измерений занести в таблицу 2.2
2.2 Исследовать БТ для схемы с ОЭ.
2.2.2 Снять семейство из 6 выходных характеристик IК=f(UКЭ) при токах базы, указанных в таблице 2.4, включая IБ=0 (график 5). Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. UКЭ=0 - 1 В, а так же не превосходить мощность рассеивания на коллекторе (UКЭ∙IК=РК<РК max=150 мВт). Результаты измерений заносятся в таблицу 2.4.
2.3 Исследовать работу усилителя.
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
2.1.2. Снять три выходные характеристики транзистора IК=f(UКБ). Первую для IЭ=0, вторую для IЭ=2 мА и третью для IЭ=5 мА (график 2). Результаты измерений занести в таблицу 2.2
2.2 Исследовать БТ для схемы с ОЭ.
2.2.2 Снять семейство из 6 выходных характеристик IК=f(UКЭ) при токах базы, указанных в таблице 2.4, включая IБ=0 (график 5). Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. UКЭ=0 - 1 В, а так же не превосходить мощность рассеивания на коллекторе (UКЭ∙IК=РК<РК max=150 мВт). Результаты измерений заносятся в таблицу 2.4.
2.3 Исследовать работу усилителя.
Похожие материалы
Лабораторная работа №2 "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Shamanss
: 11 февраля 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
200 руб.
Лабораторная работа №2 " Исследование статических характеристик биполярного транзистора "
Lanisto
: 17 марта 2015
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
120 руб.
Лабораторная работа №2 "Исследование статических характеристик биполярного транзистора "
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
2.2 Исследовать БТ для схемы с ОЭ.
2.3 Исследовать работу усилителя.
120 руб.
Лабораторная работа № 2, Исследование статических характеристик биполярного транзистора
reanimator00
: 11 марта 2010
Отчет по работе № 2
"Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характерис
35 руб.
Лабораторная работа 2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Администратор
: 17 декабря 2008
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические про
150 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
blur
: 31 августа 2023
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
50 руб.
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процесс
350 руб.
Другие работы
Физические основы электроники. Работы лабораторные №1, 2, 3.
SemenovSam
: 10 мая 2016
ТРИ РАБОТЫ ОДНИМ АРХИВОМ! ПОЛНОЕ ОПИСАНИЕ РАБОТ НА СКРИНШОТЕ!
Работа № 1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Работа № 2
"Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Работа № 3
"Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
150 руб.
Разработка технологического процесса восстановления шестерни ведущей главной передачи
konstruktor_ns
: 1 февраля 2017
ВЕДУЩАЯ ШЕСТЕРНЯ ГЛАВНОЙ ПЕРЕДАЧИ. ИЗНОС ПОВЕРХНОСТИ ПОД ПОДШИПНИК. ЖЕЛЕЗНЕНИЕ. РЕМОНТНЫЙ ЧЕРТЕЖ. МАРШРУТНАЯ КАРТА. ОПЕРАЦИОНАЯ КАРТА. НОРМИРОВАНИЕ РАБОТ.
СЕБЕСТОИМОСТЬ.
Целью выполнения курсовой работы по дисциплине «Основы технологии производства и ремонт автомобилей» является закрепление теоретических знаний и получение студентами практических навыков проектирования технологического процесса изготовления и восстановления деталей.
250 руб.
Средства коммутации и доставки сообщений в широкополосных цифровых сетях связи. Курсовая работа. 9-й вариант.
Taburet
: 23 августа 2014
Задачи курсовой работы
Задача 1
Опишите суть PNNI.
Задача 2
Приведите и подробно опишите назначение полей формата Е.164 AESA.
55 руб.
Система непрерывной подачи чернил
Slolka
: 7 октября 2013
1. История развития СНПЧ
Впервые СНПЧ была применена в плоттерах NovaJet в 1993 году компанией EnCad. Банки с чернилами емкостью 500 мл навешивались снаружи и по трубкам соединялись со струйными головками.
В 1996 году компания EnCad выпустила две модели плоттеров NovaJet Pro, отличавшихся от предыдущих встроенной системой подачи чернил.
В 1997 году компании Hewlett-Packard и CalComp заявили о своем решении начать выпуск плоттеров со встроенной СНПЧ.
К 2003 году идея СНПЧ была оптимизирована
10 руб.