Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7

Цена:
240 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 25CA8135-8777-4BF5-ADDB-D195C6F52487.zip [ 43 KB ]
material.view.file_icon ФОЭ - билет 7.doc [ 68 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вопросы:

1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.

2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.

Дополнительная информация

Год сдачи - 2013, оценка - "зачёт"

Похожие материалы

Физические основы электроники (ФОЭ)
Вариант 15 Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15. Таблица 1 No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User gugych : 23 января 2015
600 руб.
Физические основы электроники. Зачет. БИЛЕТ 7
билет 7 1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов. 2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
СибГУТИ Работа Зачетная Физические основы электроники
User 89370803526 : 18 марта 2020
200 руб.
Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
Задача №1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА . Задача №2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА. Задача №3 Для данного транзистор
******* Не известно Физические основы электроники Работа Контрольная
User thelive4u : 6 апреля 2015
300 руб.
Физические основы электроники. Зачет
Зачет. Физические основы электроники 2-й семестр/ Билет №5 1.Отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов и чем они обусловлены. 2.Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника.Формулы для определения H - параметров в схемах с ОБ и ОЭ.
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User CDT-1 : 3 апреля 2011
99 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
Задания из контрольной (вариант 29): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User MN : 27 декабря 2013
100 руб.

Другие работы

Вентиляция студенческой столовой на 400 мест в городе Курган
Содержание Введение 1. Исходные данные 2. Выбор расчётных параметров наружного воздуха для тёплого, переходного и холодного периодов года 3. Выбор расчётных параметров внутреннего воздуха для тёплого, переходного и холодного периодов года 4. Составление теплового баланса, определение поступлений влаги и газовых вредностей в расчётное помещение по периодам года 5. Расчёт требуемого воздухообмена в помещениях здания 6. Составление воздушного баланса 7. Способ организации воздухообмена в по
Работа Курсовая Отопление, вентиляция и кондиц. воздуха
User alfFRED : 28 августа 2013
10 руб.
Основы схемотехники. Зачет.
1. Определить коэффициент усиления по напряжению трехкаскадного усилителя, если известно, что коэффициенты усиления каскадов равны соответственно 20 дБ, 15 дБ и 100 раз. Результат выразить в относительных единицах. 2. Привести схему RC – каскада на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом и каналом типа “n”. Найти величину напряжения смещения, если известно, что сопротивление в цепи истока равно 2 кОм, Uсо = 5 В; сопротивление в цепи стока 3 кОм, напряжение источника питания равно 15 В. Т
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Экзаменационная
User novosibguti : 28 июня 2011
200 руб.
Вариант №14. Вал. сечения
Упражнение 46 Вариант 14 Вал сечения Начертить главный вид вала, взяв направление взгляда по стрелке А Выполнить три сечения. Сечение плоскостью А расположить на продолжении следа секущей плоскости, сечение плоскостью Б - на свободном месте чертежа, сечение плоскостью В - в проекционной связи. Выполнено в компасе 3D V13. Чертеж выполнен на формате А3 + 3Д модель Помогу с другими вариантами.Пишите в Л/С.
Черчение и компьютерная графика Архангельский госуд. технический университет Чертежи
User coolns : 12 февраля 2019
60 руб.
Вариант №14. Вал. сечения promo
Совершенствование информационной и технической инфраструктуры сети Интернет
Реферат Дисциплина: Информационно-коммуникационные технологии Тема: Совершенствование информационной и технической инфраструктуры сети Интернет Введение Глава 1. Рождение INTERNET 1.1 Создание организации ARPA для исследования в области компьютерных технологий и способов передачи информации 1.2 Хронология возникновения TCP/IP в истории Интернета 1.3 Протокол UDP как один из разновидностей протоколов Глава 2. Новый мир – Internet 2.1 У истоков Internet 2.2 Интернет как средство массовой информаци
Рефераты Информатика СИБИТ
User Mrstitovae : 25 июня 2021
400 руб.
up Наверх