Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7

Цена:
240 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ФОЭ - билет 7.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вопросы:

1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.

2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.

Дополнительная информация

Год сдачи - 2013, оценка - "зачёт"
Физические основы электроники (ФОЭ)
Вариант 15 Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15. Таблица 1 No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
User gugych : 23 января 2015
600 руб.
Физические основы электроники. Зачет. БИЛЕТ 7
билет 7 1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов. 2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
User 89370803526 : 18 марта 2020
200 руб.
Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
Задача №1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА . Задача №2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА. Задача №3 Для данного транзистор
User thelive4u : 6 апреля 2015
300 руб.
Физические основы электроники. Зачет
Зачет. Физические основы электроники 2-й семестр/ Билет №5 1.Отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов и чем они обусловлены. 2.Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника.Формулы для определения H - параметров в схемах с ОБ и ОЭ.
User CDT-1 : 3 апреля 2011
99 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
Задания из контрольной (вариант 29): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
User MN : 27 декабря 2013
100 руб.
Разработка реляционных информационных моделей и их анализ в приложение Microsoft Excel
Вариант 8 Целью данной работы является закрепление практических навыков работы при изучении дисциплины «Информатика», умения работать в MS Excel, MS Word. Основной задачей расчетно-графической работы является создание и оформление исходных таблиц; связывание таблиц; расчеты в таблицах с применением «Мастера функций»; обработка данных таблиц посредством сортировки и выборки (фильтрации); построение диаграмм; оформление отчета в виде комплексного текстового документа.
User konstruktor_ns : 1 февраля 2017
249 руб.
Гидрогазодинамика ТПУ Задача 3 Вариант 10
Для передачи наверх и контроля уровня топлива в открытом подземном резервуаре использован дифференциальный манометр, заполненный ртутью, плотность которой ρрт=13,6 т/м³. Определить высоту столба ртути h2, если разность уровней топлива в указателе и резервуаре h м. Как изменится положение уровня в указателе при понижении уровня топлива в резервуаре на Δh м?
User Z24 : 30 декабря 2026
150 руб.
Гидрогазодинамика ТПУ Задача 3 Вариант 10
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3. "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов". Все варианты
Физические основы электроники. Лабораторная работа No3. "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов". Все варианты 1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2 . Подготовка к работе 2.1. Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ. 2.1.3. Статические характеристики. 2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по хар
User SibGUTI2 : 8 июня 2019
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3. "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов". Все варианты
Математический Анализ. ч.2-я. Вариант №4. ДО СибГУТИ
Дистанционное обучение Дисциплина «Математический анализ». Часть 2. Вариант № 4 1. Вычислить несобственный интеграл или доказать его расходимость 2. Вычислить с помощью двойного интеграла объем тела, ограниченного указанными поверхностями 3. Вычислить криволинейный интеграл по координатам где - дуга параболы от точки до точки . 4. Найти общее решение дифференциального уравнения первого порядка 5. Решить задачу Коши
User igoriceg : 31 марта 2016
100 руб.
Математический Анализ. ч.2-я. Вариант №4. ДО СибГУТИ
up Наверх