Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
-
Категории:
СибГУТИ, Билеты экзаменационные, Электроника
-
Добавлен:
15.03.2014
-
Размер:
43 KB
-
Покупок:
20
-
Добавил:
vlanproekt
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ФОЭ - билет 7.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вопросы:
1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.
2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.
2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
Дополнительная информация
Год сдачи - 2013, оценка - "зачёт"
Похожие материалы
Физические основы электроники (ФОЭ)
gugych
: 23 января 2015
Вариант 15
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15.
Таблица 1
No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
gugych
: 23 января 2015
600 руб.
Физические основы электроники. Зачет. БИЛЕТ 7
89370803526
: 18 марта 2020
билет 7
1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.
2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
89370803526
: 18 марта 2020
200 руб.
Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
thelive4u
: 6 апреля 2015
Задача №1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА .
Задача №2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА.
Задача №3
Для данного транзистор
thelive4u
: 6 апреля 2015
300 руб.
Физические основы электроники. Зачет
CDT-1
: 3 апреля 2011
Зачет. Физические основы электроники 2-й семестр/ Билет №5
1.Отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов и чем они обусловлены.
2.Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника.Формулы для определения H - параметров в схемах с ОБ и ОЭ.
CDT-1
: 3 апреля 2011
99 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
pccat
: 13 апреля 2016
Задания из контрольной (вариант 29):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
pccat
: 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
pccat
: 13 апреля 2016
Задание из работы (вариант 21):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
pccat
: 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Vladimirus
: 24 февраля 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
Vladimirus
: 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
MN
: 27 декабря 2013
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
MN
: 27 декабря 2013
100 руб.
Другие работы
Непримерзаючий мембранный дыхательный клапан типа НДКМ-150-Чертеж-Оборудование транспорта нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 13 мая 2016
Непримерзаючий мембранный дыхательный клапан типа НДКМ-150-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование транспорта нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 13 мая 2016
400 руб.
Математический анализ. Контрольная работа. 1-й семестр. 2-й вариант
kombatowoz
: 6 ноября 2017
Вариант No 2
1. Найти пределы
а) б) в) .
2. Найти производные данных функций
а) б)
в) г) .
3. Исследовать методами дифференциального исчисления функцию . Используя результаты исследования, построить её график.
4. Дана функция . Найти все её частные производные второго порядка.
5. Найти неопределенные интегралы
а) б)
в) г) .
kombatowoz
: 6 ноября 2017
100 руб.
Ремонт СДМ
bugs980
: 24 августа 2010
Расчёт общих данных по заводу
1.1 Расчёт годовой производственной программы завода
1.2 Расчёт производственных площадей
1.3 Расчёт площадей складских, административных и бытовых помещений
2. Расчёт цеха
2.1 Подбор оборудования для Ц1-цех изготовления и восстановления деталей
bugs980
: 24 августа 2010
60 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника. Вариант №3
Учеба "Под ключ"
: 12 октября 2016
Тема: «Разработка интегрального аналогового устройства»
Содержание
Задание 3
Введение 4
1. Разработка структурной схемы 5
2. Разработка принципиальной схемы 7
3. Разработка интегральной микросхемы. 15
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 15
3.2. Разработка топологии. 18
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы. 20
Заключение 24
Список литературы 25
Задание
Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схе
Учеба "Под ключ"
: 12 октября 2016
1000 руб.
