Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вопросы:
1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.
2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.
2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
Дополнительная информация
Год сдачи - 2013, оценка - "зачёт"
Похожие материалы
Физические основы электроники (ФОЭ)
gugych
: 23 января 2015
Вариант 15
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15.
Таблица 1
No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
600 руб.
Физические основы электроники. Зачет. БИЛЕТ 7
89370803526
: 18 марта 2020
билет 7
1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.
2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
200 руб.
Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
thelive4u
: 6 апреля 2015
Задача №1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА .
Задача №2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА.
Задача №3
Для данного транзистор
300 руб.
Физические основы электроники. Зачет
CDT-1
: 3 апреля 2011
Зачет. Физические основы электроники 2-й семестр/ Билет №5
1.Отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов и чем они обусловлены.
2.Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника.Формулы для определения H - параметров в схемах с ОБ и ОЭ.
99 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
pccat
: 13 апреля 2016
Задания из контрольной (вариант 29):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
pccat
: 13 апреля 2016
Задание из работы (вариант 21):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Vladimirus
: 24 февраля 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
MN
: 27 декабря 2013
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
100 руб.
Другие работы
Разработка реляционных информационных моделей и их анализ в приложение Microsoft Excel
konstruktor_ns
: 1 февраля 2017
Вариант 8
Целью данной работы является закрепление практических навыков работы при изучении дисциплины «Информатика», умения работать в MS Excel, MS Word.
Основной задачей расчетно-графической работы является создание и оформление исходных таблиц; связывание таблиц; расчеты в таблицах с применением «Мастера функций»; обработка данных таблиц посредством сортировки и выборки (фильтрации); построение диаграмм; оформление отчета в виде комплексного текстового документа.
249 руб.
Гидрогазодинамика ТПУ Задача 3 Вариант 10
Z24
: 30 декабря 2026
Для передачи наверх и контроля уровня топлива в открытом подземном резервуаре использован дифференциальный манометр, заполненный ртутью, плотность которой ρрт=13,6 т/м³. Определить высоту столба ртути h2, если разность уровней топлива в указателе и резервуаре h м. Как изменится положение уровня в указателе при понижении уровня топлива в резервуаре на Δh м?
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3. "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов". Все варианты
SibGUTI2
: 8 июня 2019
Физические основы электроники. Лабораторная работа No3. "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов". Все варианты
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2 . Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по хар
50 руб.
Математический Анализ. ч.2-я. Вариант №4. ДО СибГУТИ
igoriceg
: 31 марта 2016
Дистанционное обучение
Дисциплина «Математический анализ». Часть 2.
Вариант № 4
1. Вычислить несобственный интеграл или доказать его расходимость
2. Вычислить с помощью двойного интеграла объем тела, ограниченного указанными поверхностями
3. Вычислить криволинейный интеграл по координатам
где - дуга параболы от точки до точки .
4. Найти общее решение дифференциального уравнения первого порядка
5. Решить задачу Коши
100 руб.