Лабораторная работа №1. Физические основы электроники

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная работа№1(физические основы электроники).docx

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы

Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

2. Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:

2.2.1 Что такое собственная и примесная проводимость полупроводника?
2.2.2 Объяснить образование электронно-дырочного перехода.
2.2.3 Что такое контактная разность потенциалов? Как она образуется?
2.2.4 Чем определяется толщина p-n перехода?
2.2.5 Нарисовать потенциальные диаграммы p-n перехода при отсутствии внешнего напряжения, и при включении его в прямом и обратном направлениях?
2.2.6 Рассказать о прохождении токов через p-n переход: при отсутствии внешнего напряжения, при прямом включении и при обратном включении.
2.2.7 Сравнить теоретическую и реальную вольтамперную характеристики p-n перехода, указать участки, которые соответствуют состоянию электрического и теплового пробоя.
2.2.8 Сравнить вольтамперные характеристики p-n переходов, изготовленных из G e, Si.
2.2.9 Что такое барьерная и диффузионная емкости p-n перехода? Дать определение.
2.2.10 Нарисовать и объяснить вольтамперные характеристики p-n перехода для различных значений температуры.

2.2.11 Перечислить основные параметры полупроводниковых диодов (номинальные и предельные).
2.2.12 Дать определение дифференциальных параметров и пояснить их физический смысл.
2.2.13 Объяснить принцип действия, особенности устройства и применения полупроводниковых диодов различных типов: выпрямительных, высокочастотных, импульсных, стабилитронов, варикапов. Указать их основные параметры.
2.2.14 Нарисовать условные обозначения выпрямительных диодов, стабилитронов, варикапов и схемы, в которых используются эти приборы.
2.2.15 Какими способами можно увеличить допустимую мощность, рассеиваемую диодом?

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 03.05.2013
Рецензия:
Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User parovozz : 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
Лабораторная работа № 1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User maromash : 30 марта 2013
350 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1.
Отчет по работе №1. «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов» 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Результаты исследования 1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. Вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов IПР=f(UПР) ...
User kisa7 : 20 июля 2012
50 руб.
Социальная психология. Реферат. Вариант №4
Основные теоретико-методологические подходы к исследованию социально-психологических явлений. Оглавление Введение 3 1. Специфика научного исследования в социальной психологии 4 Научное исследование в современной логике и методологии науки 4 Понятие методологии 4 Исследовательские техники в социальной психологии 7 Эмпирические данные 11 Особенности научного исследования в социальной психологии 12 Качество социально-психологической информации 14 2. Методы социально-психологического исследования 1
User MN : 21 мая 2015
150 руб.
Инженерная графика. Задание №64. Вариант №16. Задачи №1,2,3,4 (Комплект)
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16. Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения. Задание 64. Вариант 16 Данный комплект состоит из четырёх задач. Задача 1. Выполнить простой разрез на главном виде детали, совместив половину вида и половину разреза. Не смотря на это, во многих ВУЗах данную задачу делают не по заданию оригинала, а в трёх видах и с изометрией детали с четвертью выреза, поэтому дополнительно было сделано и так. Задача 2. Выполнить наклонный разрез А-А, заменив и
User Чертежи : 2 мая 2021
210 руб.
Инженерная графика. Задание №64. Вариант №16. Задачи №1,2,3,4 (Комплект)
Использование информационных технологий в управлении предприятием
Содержание: Введение в информационные технологии управления предприятием Системы автоматизации управления предприятием Выбор, внедрение и эксплуатация системы Краткий обзор существующих систем
User alfFRED : 9 февраля 2013
10 руб.
Использование информационных технологий в управлении предприятием
Дослідження процесів нагрівання за допомогою термопари та напівпровідникового термодатчика
Вивчити конструкцію та принцип дії термопари і напівпровідникового датчика температури. Дослідити за допомогою термодатчиків процес підвищення температури нагрівального елемента. ХІД РОБОТИ: Установивши середню напругу, фіксуємо показання мультиметра (термопари) і значення напруги на виході напівпровідникового термодатчика щохвилини протягом 9 хв. Для кожного значення Uп. т визначити відповідні значення температури t°п. т, °С. В одній системі координат побудувати графіки перехідних процесів t°т
User Aronitue9 : 22 января 2012
11 руб.
up Наверх