Лабораторная работа №1. Физические основы электроники

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная работа№1(физические основы электроники).docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы

Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

2. Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:

2.2.1 Что такое собственная и примесная проводимость полупроводника?
2.2.2 Объяснить образование электронно-дырочного перехода.
2.2.3 Что такое контактная разность потенциалов? Как она образуется?
2.2.4 Чем определяется толщина p-n перехода?
2.2.5 Нарисовать потенциальные диаграммы p-n перехода при отсутствии внешнего напряжения, и при включении его в прямом и обратном направлениях?
2.2.6 Рассказать о прохождении токов через p-n переход: при отсутствии внешнего напряжения, при прямом включении и при обратном включении.
2.2.7 Сравнить теоретическую и реальную вольтамперную характеристики p-n перехода, указать участки, которые соответствуют состоянию электрического и теплового пробоя.
2.2.8 Сравнить вольтамперные характеристики p-n переходов, изготовленных из G e, Si.
2.2.9 Что такое барьерная и диффузионная емкости p-n перехода? Дать определение.
2.2.10 Нарисовать и объяснить вольтамперные характеристики p-n перехода для различных значений температуры.

2.2.11 Перечислить основные параметры полупроводниковых диодов (номинальные и предельные).
2.2.12 Дать определение дифференциальных параметров и пояснить их физический смысл.
2.2.13 Объяснить принцип действия, особенности устройства и применения полупроводниковых диодов различных типов: выпрямительных, высокочастотных, импульсных, стабилитронов, варикапов. Указать их основные параметры.
2.2.14 Нарисовать условные обозначения выпрямительных диодов, стабилитронов, варикапов и схемы, в которых используются эти приборы.
2.2.15 Какими способами можно увеличить допустимую мощность, рассеиваемую диодом?

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 03.05.2013
Рецензия:
Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User parovozz : 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
Лабораторная работа № 1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User maromash : 30 марта 2013
350 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1.
Отчет по работе №1. «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов» 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Результаты исследования 1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. Вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов IПР=f(UПР) ...
User kisa7 : 20 июля 2012
50 руб.
Четырёхканальное устройство контроля температуры
КУРСОВАЯ РАБОТА по дисциплине “Электроника” на тему: ”Четырёхканальное устройство контроля температуры” Настоящая курсовая работа посвящена разработке четырёхканального устройства контроля температуры. В состав курсовой работы входят расчётно-пояснительная записка и графическая часть. Пояснительная записка состоит из разделов, указанных в содержании. Графическая часть работы выполнена при помощи программы Компас-3D V8 (принципиальная электрическая схема, структурная схема устройства) и Sprint
User bioclown : 26 сентября 2011
50 руб.
Четырёхканальное устройство контроля температуры
Реализация программы по содействию добровольному переселению в Российскую Федерацию соотечественников, проживающих за рубежом
В рамках Государственной программы содействия добровольному переселению в Российскую Федерацию соотечественников, проживающих за рубежом, (далее госпрограмма) на территорию Российской Федерации за 2008 год прибыло 6607 человек трудоспособного возраста, за 2009 год - 5456 человек, из них участников программы переселения прибыло соответственно 4165 и 3519 человек и членов семей участников программы соответственно 2442 и 1937 человек. Всего прибыло за два года 12063 человека в трудоспособном возрас
User Lokard : 4 февраля 2014
15 руб.
Шпилечное соединение. Вариант 6.
Инженерная графика. Филимонова. СТК. Группа 526106 Графическая работа №9 Название: «Резьбовое соединение» Вариант 6 Данные к заданию d-30 n-20 m-80 c-2.5 Задание: Пользуясь приведенными условными соотношениями, построить изображения соединения деталей шпилькой. Размер l подобрать по ГОСТ так, чтобы обеспечить указанное значение К. В состав работы входит чертеж и 3D сборка и 3D модели шпилька, гайка, шайба, нарезанное гнездо под шпильку, сверленое гнездо под шпильку. Чертеж ассоциативный и черт
User djon237 : 16 августа 2023
300 руб.
Шпилечное соединение. Вариант 6.
Втулка Демпфера Агрегата А-50М
Втулка Демпфера Агрегата А-50М-Деталь-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-(Формат Компас 3D -CDW, Autocad Autodesk-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Оборудование для капитального ремонта, обработки пласта, бурения и цементирования нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
100 руб.
Втулка Демпфера Агрегата А-50М
up Наверх