Лабораторная работа №2. Физические основы электроники
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы в нем.
2.1.4 Статический коэффициент передачи тока и уравнения коллекторного тока для всех схем включения.
2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.
2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.
2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, его характеристики в схеме ОБ и ОЭ и предельные параметры.
2.1.8 Дифференциальные параметры БТ.
2.1.9 Усилитель на БТ.
2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1 Устройство плоскостного транзистора.
2.2.2 Принцип действия биполярного бездрейфого транзистора.
2.2.3 Нарисовать схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК для структур p-n-p и n-p-n.
2.2.4 Начертить потенциальные диаграммы p-n-p и n-p-n транзисторов в различных режимах их работы.
2.2.5 Из каких компонент состоят токи через эмиттерный и коллекторный переходы транзистора?
2.2.6 Из каких компонент состоит ток базы?
2.2.7 Дать определение коэффициентов инжекции и переноса.
2.2.8 Как влияет на работу транзистора неуправляемый ток коллекторного перехода? Какие причины его возникновения?
2.2.9 Написать уравнения коллекторного тока для схем ОБ и ОЭ.
2.2.10 Нарисовать и объяснить входные и выходные характеристики транзистора для схем ОБ и ОЭ.
2.2.11 Показать на входных и выходных характеристиках области, соответствующие режимам: активному, отсечки и насыщения.
2.2.12 Какие факторы ограничивают рабочую область выходных характеристик транзистора?
2.2.13 Объяснить влияние температуры на статические характеристики БТ в схемах включения с ОБ и ОЭ.
2.2.14 Как зависят значения предельных параметров БТ от температуры?
2.2.15 Объяснить построение рабочей области выходных характеристик транзистора.
2.2.16 Объяснить влияние температуры на рабочую область БТ .
2.2.17 Привести систему Н-параметров транзистора, указать назначение каждого параметра и показать их определение по характеристикам.
2.2.18 Объяснить принцип работы БТ в усилительном режиме.
2.2.19 Назвать основные типы биполярных транзисторов (с точки зрения мощностей и частот).
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы в нем.
2.1.4 Статический коэффициент передачи тока и уравнения коллекторного тока для всех схем включения.
2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.
2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.
2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, его характеристики в схеме ОБ и ОЭ и предельные параметры.
2.1.8 Дифференциальные параметры БТ.
2.1.9 Усилитель на БТ.
2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1 Устройство плоскостного транзистора.
2.2.2 Принцип действия биполярного бездрейфого транзистора.
2.2.3 Нарисовать схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК для структур p-n-p и n-p-n.
2.2.4 Начертить потенциальные диаграммы p-n-p и n-p-n транзисторов в различных режимах их работы.
2.2.5 Из каких компонент состоят токи через эмиттерный и коллекторный переходы транзистора?
2.2.6 Из каких компонент состоит ток базы?
2.2.7 Дать определение коэффициентов инжекции и переноса.
2.2.8 Как влияет на работу транзистора неуправляемый ток коллекторного перехода? Какие причины его возникновения?
2.2.9 Написать уравнения коллекторного тока для схем ОБ и ОЭ.
2.2.10 Нарисовать и объяснить входные и выходные характеристики транзистора для схем ОБ и ОЭ.
2.2.11 Показать на входных и выходных характеристиках области, соответствующие режимам: активному, отсечки и насыщения.
2.2.12 Какие факторы ограничивают рабочую область выходных характеристик транзистора?
2.2.13 Объяснить влияние температуры на статические характеристики БТ в схемах включения с ОБ и ОЭ.
2.2.14 Как зависят значения предельных параметров БТ от температуры?
2.2.15 Объяснить построение рабочей области выходных характеристик транзистора.
2.2.16 Объяснить влияние температуры на рабочую область БТ .
2.2.17 Привести систему Н-параметров транзистора, указать назначение каждого параметра и показать их определение по характеристикам.
2.2.18 Объяснить принцип работы БТ в усилительном режиме.
2.2.19 Назвать основные типы биполярных транзисторов (с точки зрения мощностей и частот).
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 06.05.2013
Рецензия: Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 06.05.2013
Рецензия: Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2.
С
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2
Mercuryman
: 8 июля 2017
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 15.12.2016
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №2
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. Устройство плоскостного транзистора.
2.2.2. Принцип действия биполярного бездрейфого транзистора.
2.2.3. Нарисовать схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК для структур p-n-p и n-p-n.
2.2.4. Начертить пот
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
60 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №2
"Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1. Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
зачет. ДО. семестр 3.
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 2.
maromash
: 30 марта 2013
Лабораторная работа № 2.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
350 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2
kisa7
: 20 июля 2012
Отчет по работе №2
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Результаты проведения экспериментов
1 Исследуем БТ для схемы с ОБ. Снимем две входные характеристики транзистора IЭ= f(UЭБ) при UКБ=0 и UКБ=8 В.
50 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: "Физические основы электроники"
wowan1190
: 3 декабря 2013
Тема: " Исследование статических характеристик биполярного транзистора "
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1.
2.1.1Снять две входные характеристики тра
70 руб.
Другие работы
Экзамен.История Отечества.1семестр.Киевская Русь и русские княжества X- XIII вв.
58197
: 9 февраля 2012
1.Киевская Русь и русские княжества X- XIII вв.
Возникновение и развитие Древнерусского государства .
Возникновение Древнерусского государства традиционно связывают с объединением Приильменья и Приднепровья в результате похода на Киев новгородского князя Олега в 882 г. Убив княживших в Киеве Аскольда и Дира, Олег стал править от имени малолетнего сына князя Рюрика — Игоря.
Образование государства явилось итогом длительных и сложных процессов, происходивших на огромных пространствах Восточно
10 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Вычислительная техника. Вариант общий. Год сдачи: 2021.
ksu0411
: 16 апреля 2022
Контрольная работа:
Описание заданий + скриншоты:
1. Преобразовать восьми- и шестнадцатеричные числа в двоичную систему счисления:
а) 7356,041(8)
б) A1F,02C(16)
в) 6472,105(8)
г) E07,D3A(16)
д) 412,576(8)
е) B1C,1E7(16).
2. Перевести в десятичную систему счисления:
а) DA310(16); б) 753,14(8); в) 1110100111101(2);
г) 70A0B(16); д) 407,05(8); е) 1001011101011(2);
ж) D084C(16); з) 731,15(8); и) 1110010110111(2).
3. Пользуясь дополнительным кодом сложить пары чисел:
а) N1 = 10,111(2), N2 = -110,
50 руб.
Чертеж абсорбер Ду 1800мм-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 4 июня 2016
Чертеж абсорбер Ду 1800мм-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
500 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Математический анализ (часть 3) Дополнительные главы. Вариант №6
Учеба "Под ключ"
: 1 октября 2016
Вариант №6
1. Найти область сходимости степенного ряда (см. скрин)
2. Разложить функцию в ряд Фурье на данном отрезке (период Т) (см. скрин)
3. Начертить область на комплексной плоскости по данным условиям (см. скрин)
4. Вычислить интеграл по дуге L от точки Z1 до точки Z2 (см. скрин)
5. Найти частное решение дифференциального уравнения с заданными начальными условиями операторным методом (см. скрин)
500 руб.