Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет № 7

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 5E4F3118-3AEB-4815-93D8-7AFEA12F6EC1.rar [ 209 KB ]
material.view.file_icon Экзамен_билет 7.doc [ 694 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.

2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

2014 г., СибГУТИ. Оценка- ОТЛИЧНО!

Похожие материалы

Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Билет №7.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User teacher-sib : 4 апреля 2017
90 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные х
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User nik200511 : 22 февраля 2014
58 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.) Экзамен
Вопрос 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передат
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User tpogih : 28 января 2015
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет 7.
1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и пока
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User nik200511 : 20 января 2024
83 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» Билет №15 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User Alex21589 : 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. №2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. №3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
Электротехника и электроника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User sibguter : 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Аналоговые ключи на транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User gnv1979 : 8 января 2017
30 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
Задание. Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа.
Информационные технологии и системы СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Udacha2013 : 21 сентября 2014
200 руб.

Другие работы

Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №17
Лабораторная работа No1 РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА по дисциплине «Элементная база телекоммуникационных систем» 1 Цель работы Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС). 2 Задание 2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации. 2.2. Составить формальную электрическу
СибГУТИ Элементная база телекоммуникационных систем Работа Лабораторная
User IT-STUDHELP : 17 ноября 2022
700 руб.
Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №17 promo
Проблемы становления аудита в России
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ____________________________________________________________3 СТАНОВЛЕНИЕ АУДИТА В РОСИИИ_____________________________4 ХАРАКТЕРИСТИКА СОСТОЯНИЯ И ПЕРСПЕКТИВ РАЗВИТИЯ ОТРАСЛИ_______________________________________________________12 Описание и оценка тенденций развития технических и экономических характеристик отрасли____________________________________________12 Определение движущих сил отрасли аудиторских услуг и оценка их влияния на предприятия_______________________
Работа Экономика
User Qiwir : 29 октября 2013
10 руб.
Валютный курс гривны: некоторые эффекты и ограничения
ВВЕДЕНИЕ ВАЛЮТНЫЙ КУРС ГРИВНЫ: НЕКОТОРЫЕ ЭФФЕКТЫ И ОГРАНИЧЕНИЯ ВЫВОДЫ СПИСОК ИСТОЧНИКОВ ВВЕДЕНИЕ В ходе валютно-финансового кризиса 1998-1999 гг. украинская валюта обесценилась относительно доллара в 2,75 раза (из расчета декабрь 1997 г. к декабрю 1999 г.). Такое падение спровоцировало всплеск инфляции, темп которой на потребительском рынке повысился с 10,1% в 1997 г. до 20% в 1998 г. и 19,2% в 1999 г. Учитывая это, а также чрезвычайно сложный выход Украины из предшествующей гиперинфляционной с
Финансы Работа
User Lokard : 24 октября 2013
10 руб.
Понятие и виды инвестиционного риска
Содержание Введение 1. Понятие и виды инвестиционного риска 2. Методы оценки риска вложений 3. Пути снижения инвестиционных рисков Заключение Список использованной литературы Введение Развитие экономики невозможно представить без кредитования и инвестиций. Потребность в инвестициях, как внешних, так и внутренних – характерная черта реформирования экономики любой страны. Многие отрасли экономики России в современной ситуации испытывают острую потребность в инвестициях. Ресурсы для инвестиций вну
Работа Экономика
User GnobYTEL : 4 ноября 2012
up Наверх