Электроника. Экзамен
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 06.02.2014
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 06.02.2014
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
500 руб.
Электроника. Экзамен.
banderas0876
: 15 марта 2020
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и
200 руб.
Экзамен. Электроника
lisii
: 21 марта 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом
65 руб.
Экзамен. Электроника
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приве
90 руб.
Электроника. Экзамен.
Gila
: 17 января 2019
Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характер
250 руб.
Электроника. Экзамен.
seka
: 11 ноября 2018
Вопрос 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
Вопрос 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики..
Вопрос 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите
90 руб.
Экзамен Электроника
andreyan
: 7 февраля 2018
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные харак
63 руб.
Экзамен . Электроника
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
110 руб.
Другие работы
Исследование динамических характеристик и параметров биполярных транзисторов
ostah
: 13 сентября 2012
Исследование динамических характеристик и параметров биполярных транзисторов
Целью данной работы является изучение переходных характеристик биполярного транзистора в различных режимах работы и определение параметров, характеризующих его инерционные свойства.
50 руб.
Монтаж резервуара 15000 м3 полистовым способом-Сооружение газонефтепроводов и газонефтехранилищ-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа
nakonechnyy.1992@list.ru
: 7 июня 2023
Монтаж резервуара 15000 м3 полистовым способом-Сооружение газонефтепроводов и газонефтехранилищ-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа
Полистовой способ строительства заключается в том, что непосредственно на строительной площадке изготавливаются и собираются все конструктивные элементы резервуара. Этот способ применяется только в случае необходимости монтажа резервуара в стесненных условиях, с ограниченной площадкой, например в центре резервуарного парка, когда невозмож
794 руб.
Гидравлика НГТУ 2009 Задача 72
Z24
: 9 ноября 2025
Определить расход бензина (ρ =700 кг/м³) через жиклер карбюратора диаметром d, коэффициент расхода которого μ = 0,8. Бензин поступает к жиклеру из поплавковой камеры благодаря вакууму, который создается в диффузоре карбюратора. Выходное сечение бензотрубки расположено на h выше уровня бензина в поплавковой камере, вакуум в диффузоре рвак, давление в поплавковой камере – атмосферное. Потерями напора в бензотрубке пренебречь.
150 руб.
Совершенствование механизации поверхностной обработки почвы в ООО «Вертуновское» Бековского района с модернизацией культиватора КНК-4
Shloma
: 19 мая 2020
Дипломный проект
Содержание
Введение
1 Производственно-техническая характеристика ООО «Вертуновское»
1.1 Природно-климатические условия
1.2 Основные показатели хозяйственной деятельности
ООО «Вертуновское»
2 Современное состояние вопроса поверхностной обработки почвы
2.1 Технология возделывания озимой пшеницы
2.2 Обзор существующих конструкций культиваторов
2.3 Типы рабочих органов культиваторов для сплошной обработки почвы
3 Конструкторская часть
3.1 Агротехнические требования к
1590 руб.