Электроника. Экзамен
-
Категории:
Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
04.07.2014
-
Размер:
612 KB
-
Покупок:
14
-
Добавил:
Сергейds
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Электроника.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 06.02.2014
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 06.02.2014
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
500 руб.
Электроника. Экзамен.
banderas0876
: 15 марта 2020
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и
banderas0876
: 15 марта 2020
200 руб.
Экзамен. Электроника
lisii
: 21 марта 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом
lisii
: 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приве
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
90 руб.
Электроника. Экзамен.
Gila
: 17 января 2019
Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характер
Gila
: 17 января 2019
250 руб.
Электроника. Экзамен.
seka
: 11 ноября 2018
Вопрос 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
Вопрос 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики..
Вопрос 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите
seka
: 11 ноября 2018
90 руб.
Экзамен Электроника
andreyan
: 7 февраля 2018
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные харак
andreyan
: 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
110 руб.
Другие работы
Физика. Лабораторные работы №№1-2. Вариант №1. АКТУАЛЬНАЯ ВЕРСИЯ!
arsonix
: 8 октября 2018
В первом семестре курса физики рассматриваются три крупных раздела, каждый из которых подразделяется на темы. К двум из трёх разделов курса предлагаются лабораторные работы. Структура раздела имеет следующий вид:
Раздел 1. Механика
Лабораторных работ не предусмотрено.
Раздел 2. Электричество
Лабораторная работа № 1 “Изучение характеристик электростатического поля” (программа, описание, презентация, видеоурок)
Раздел 3. Электромагнетизм
Лабораторная работа № 2 “Определение удельного заряда э
arsonix
: 8 октября 2018
230 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 6 Вариант 58
Z24
: 28 декабря 2025
Ось горизонтального участка трубы диаметром d1 расположена на высоте h1 = (0,25 + 0,05·y) м над уровнем воды в резервуаре II. Ось горизонтального участка трубы диаметром d2 лежит ниже уровня воды в резервуаре II на величину h2 = (0,5 + 0,05·z) м. Длины участков: l1 = (10 + 0,1·y) м; l2 = (20 + 0,1·z) м; l3 = (10 + 0,1·y) м. Напор в резервуаре I H = (1,0 + 0,1·z) м, коэффициенты поворотов ζ30 = 0,7, ζ120 = 1,44.
Определить расход воды в трубопроводе и построить напорную и пьезометрическую лини
Z24
: 28 декабря 2025
400 руб.
Географія дорожньо-транспортних пригод в Дніпропетровській області
VikkiROY
: 24 сентября 2013
Предмет дослідження: кількісні та якісні характеристики ДТП в Дніпропетровській області.
Мета роботи: географічні дослідження та аналіз дорожньо-транспортних пригод.
Одержані висновки та їх новизна: у ході роботи досліджено види та причини дорожньо-транспортних пригод, їх учасники та наслідки. Також досліджувалась частота походження дорожньо-транспортних пригод, взаємозв’язок рівня розвитку автопромисловості в Україні та безпеки дорожнього руху. Було проведено аналіз причин зростання кількост
VikkiROY
: 24 сентября 2013
5 руб.
