ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Контрольня работа.Вариант №1.Задача №1

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Вариант 1.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ.
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия .
Контрольная работа по дисциплине: ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Задача №1
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 1) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
User gena68 : 8 июня 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №1
1. Транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. 2. Находим h - параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. 3.Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэ
User Gila : 17 января 2019
190 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
User 007lena007 : 20 февраля 2017
79 руб.
Контрольная работа. Вариант №1. Физические основы электроники
Задача №1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего режима) коэффициенты усиления п
User Teuserer : 24 декабря 2015
150 руб.
Контрольная работа. Вариант №1. Физические основы электроники
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №1
Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по
User SibGOODy : 28 августа 2018
700 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №1
Задача No1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложения 2) включённого по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Дано: транзистор KT603A, напряжения питания Ek = 50В, сопротивления нагрузки RH = 1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ = 150мкА. Задача No2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точ
User Andrev111111 : 17 марта 2013
80 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
User S4M : 16 июня 2022
400 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по физическим основам электроники
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
User Богарт : 5 апреля 2017
199 руб.
Внедрение инновационного проекта в медицине
Введение 1. Описание инновационного проекта в медицине на примере ЗАО "Вектор-Бэст" 1.1 Фундаментальные научные исследования 1.2 Прикладные научные исследования 1.3 Опытно-конструкторские работы 1.4 Маркетинговые исследования 1.5 Опытная партия (малое производство) 1.6 Широкомасштабное производство 2. Расчет эффективности инновационного проекта Заключение Список литературы Приложение
User alfFRED : 26 ноября 2012
10 руб.
Контрольная работа №4 по дисциплине: Физика. Вариант №9
1 (709). Удельная мощность светильника, имеющего форму шapa диаметром 6 м, равна 0,85 Вт/Кд. Определить световую отдачу светильника в лм/Вт, полный световой поток, светимость и яркость, если сила света шара 170 Кд. 2 (719). Муфельная печь, потребляющая мощность Р=1 кВт, имеет отверстие площадью S=100 см2. Определить долю η мощности, рассеиваемой стенками печи, если температура ее внутренней поверхности равна 1 кК. 3 (729). На металлическую пластину направлен монохроматический пучок света с часто
User ДО Сибгути : 10 февраля 2016
50 руб.
promo
Формирование коммуникативных навыков у младших школьников в условиях досугового центра
Актуальность исследования темы. Развитие коммуникативных способностей детей младшего школьного возраста является на современном этапе развития социальных отношений одной из важнейших проблем. Возрастная категория детей выбрана неслучайно. Следующий этап в жизни ребенка – подростковый возраст, когда одним из доминирующих факторов являются навыки общения. Освоение элементов коммуникативной культуры в младшем школьном возрасте позволит детям успешнее реализовать свой потенциал. Таким образом, акту
User evelin : 14 октября 2013
up Наверх