Устройства оптоэлектроники, 4-й семестр, 8-й вариант, Контрольная работа №1
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
06.10.2014
-
Размер:
332 KB
-
Покупок:
9
-
Добавил:
Decoy2k
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
BC4AE5A9-B30A-4CA5-81F8-05E0E516BF8A.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
В соответствии с вариантом в качестве фотоприемника рассматриваем фототиристор.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных и . Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные варианта указаны в таблице.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
В соответствии с вариантом в качестве фотоприемника рассматриваем фототиристор.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных и . Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные варианта указаны в таблице.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.03.2014
Рецензия:Уважаемый Зайцев Илья Александрович,Вы верно ответили на поставленные вопросы.
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.03.2014
Рецензия:Уважаемый Зайцев Илья Александрович,Вы верно ответили на поставленные вопросы.
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Контрольная работа №1 по дисциплине: Устройства оптоэлектроники . 4-й семестр. Вариант №14.
58197
: 8 октября 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0
58197
: 8 октября 2013
95 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 7. (4-й семестр)
Jack
: 9 декабря 2013
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 - Фототранзистор
Задача №2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней .
Дано:
Тип ПП материала Ge;
Квантовая эффективность, n - 0,2;
Ширина запрещенной зоны dW , эВ - 0,6;
Найти: Лгр -? Sгр -?
Задача №3: Изобразить принципиал
Jack
: 9 декабря 2013
250 руб.
Устройства оптоэлектроники. 4-й семестр. Контрольная работа. 10-й вариант
NataFka
: 2 сентября 2014
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА
По дисциплине: «Устройства оптоэлектроники»
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Опис
NataFka
: 2 сентября 2014
49 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. 4-й семестр, 10-й вариант
yans
: 3 октября 2012
Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод на основе р-n перехода
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид с
yans
: 3 октября 2012
350 руб.
Экзамен по устройству оптоэлектронике. 4-й семестр
ramzes14
: 15 февраля 2013
Вопросы к зачету:
1.Система обозначений оптоэлектронных приборов.
2.Устройство и принцип действия суперлюминсцентного диода.
3.Устройство и принцип действия диодно-транзисторного фотоприемника.
4.Устройство и принцип действия электрохромного индикатора.
ramzes14
: 15 февраля 2013
150 руб.
Устройство оптоэлектроники. Зачет. 4-й семестр
Dimark
: 21 января 2013
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Световые параметры.
Раздел Излучатели.
2.Принцип действия и условия работы лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.ПЗС фотоприемник.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
Dimark
: 21 января 2013
2-й семестр ДО. «Устройства оптоэлектроники». Зачет. В3.
Мария60
: 1 февраля 2019
2 семестр ДО.
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Излучатели на основе гетероструктур.
Раздел Излучатели.
2.Получение разных цветов с помощью светоизлучающего диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия кремникона.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации.
Мария60
: 1 февраля 2019
100 руб.
Зачет по дисциплине: Устройства оптоэлектроники 5-й семестр
agentorange
: 9 апреля 2017
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.
Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
agentorange
: 9 апреля 2017
120 руб.
Другие работы
Образование русского централизованного государства (14 - начало 16 вв.)
Slolka
: 5 сентября 2013
Одной из первых причин образования Русского централизованного государства является усиление экономических связей между русскими землями. Этот процесс был вызван общим экономическим развитием страны. В первую очередь сильно развивалось сельское хозяйство. На смену подсечной системе и перелогу приходит другой способ обработки земли - пашенная система, которая требует более совершенных орудий производства. Происходит увеличение посевных площадей за счёт освоения новых и ранее заброшенных земель. По
Slolka
: 5 сентября 2013
10 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Алгебра и геометрия. Билет № 9
DonTepo
: 12 марта 2012
1. Матричные уравнения. Решение систем с помощью обратной матрицы.
2. Взаимное расположение двух плоскостей.
3. Найти точку пресечения прямой, отсекающей на осях координат отрезки 2 и -3 и прямой, проходящей через точки (-1;1) и (0;3).
4. Привести уравнение кривой к простейшему виду, построить
5. Найти модуль вектора , если
DonTepo
: 12 марта 2012
50 руб.
Доходы и их распределение в рыночной экономике
alfFRED
: 24 февраля 2014
Введение
Глава 1. Общая характеристика рыночной экономики …………………. 2
1.1. Понятие рыночной системы …………………………………………... 9
1.2. Функции рынка .....…………......…...……………………….…..….... 10
1.3 Предприятия в рыночной экономической системе ….………………..…..12
Глава 2. Общая характеристика рыночных доходов ………………….... 16
2.1. Основные виды доходов ................................................................. 18
2.2. Распределение доходов: неравенство и бедность .......................... 21
Глава 3. Расп
alfFRED
: 24 февраля 2014
10 руб.
Измерение и моделирование техногенных рисков - Курсовая работа по дисциплине: Имитационное моделирование. Вариант №14
Roma967
: 28 января 2024
Тема: «Измерение и моделирование техногенных рисков»
Содержание
Введение 3
1. Теоретическая сущность измерения и моделирования техногенных рисков 5
2. Моделирование техногенных рисков 8
3. Рекомендации по измерению и моделированию техногенных рисков 12
Заключение 14
Список использованной литературы 16
Roma967
: 28 января 2024
900 руб.
