Все разделы
/ Физика /
Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
150 Контрольная работа № 1 Вариант 3, Контрольная работа № 2 Работа №1б. Резисторы полупроводниковых ИСID: 148954Дата закачки: 12 Января 2015 Продавец: anderwerty (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Задачи Описание: Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры (пометоду тройной диффузии). Толщина слоя - 6 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип) 1017см-3. Концентрация примеси в подложке – 1015см –3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата? Задание на работу Выполнить проектирование и представить эскиз конструкции резистора полупроводниковых ИС с простановкой размеров и значений ёмкости резистора на несуший слой. Значения параметров не вошедшие в таблицу, принимаются следующие: - удельные переходные сопротивления контактов, Rob = Rok = Roe =400 Ом*мкм2; -ширины ОПЗ при отсутствии смещения - Wоeb=0.1, Wocb=0.2, Wocr=0.3, Wocp=0.3 [мкм]; -контактная разность для ОПЗ, Fk=0.7 B (для всех p-n переходов); -координата МГП ОПЗ для структур ЭПСK1 — 1, 2, 6, 8 мкм; ЭПСK2 — 1, 3, 7, 8,5 мкм; ЭПСБ1 — 1, 2, 6, 4 мкм; ЭПСБ2 — 1, 3, 7, 5 мкм; -напряжения на переходах Ub = 4 B; Uc =Ue =5 B; Up=Ur= 0 B; -допуск квадрата слоя R□, dR□ = 0,07; -погрешность линии, dB = 0,2 мкм; совмещения слоёв, dC = 0.3 мкм; -глубина зкранирования поля, dP = 0,1 мкм. Обозначения слоёв: В-базовый, С- коллекторный, Е- эмиттерный, ВР-базовый под эмиттерным. Комментарии: 2014 г Размер файла: 1 Мбайт Фаил: ![]() ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Контрольная работа. Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структурыЕщё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Физика / Контрольная работа № 1 Вариант 3, Контрольная работа № 2 Работа №1б. Резисторы полупроводниковых ИС
Вход в аккаунт: