Контрольная работа № 1 Вариант 3, Контрольная работа № 2 Работа №1б. Резисторы полупроводниковых ИС

Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры (пометоду тройной диффузии). Толщина слоя - 6 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип) 1017см-3. Концентрация примеси в подложке – 1015см –3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?
Задание на работу
Выполнить проектирование и представить эскиз конструкции резистора полупроводниковых ИС с простановкой размеров и значений ёмкости резистора на несуший слой. Значения параметров не вошедшие в таблицу, принимаются следующие:
- удельные переходные сопротивления контактов, Rob = Rok = Roe =400 Ом*мкм2;
-ширины ОПЗ при отсутствии смещения - Wоeb=0.1, Wocb=0.2, Wocr=0.3, Wocp=0.3 [мкм];
-контактная разность для ОПЗ, Fk=0.7 B (для всех p-n переходов);
-координата МГП ОПЗ для структур ЭПСK1 — 1, 2, 6, 8 мкм; ЭПСK2 — 1, 3, 7, 8,5 мкм; ЭПСБ1 — 1, 2, 6, 4 мкм; ЭПСБ2 — 1, 3, 7, 5 мкм;
-напряжения на переходах Ub = 4 B; Uc =Ue =5 B; Up=Ur= 0 B;
-допуск квадрата слоя R, dR = 0,07;
-погрешность линии, dB = 0,2 мкм; совмещения слоёв, dC = 0.3 мкм;
-глубина зкранирования поля, dP = 0,1 мкм.
Обозначения слоёв: В-базовый, С- коллекторный, Е- эмиттерный, ВР-базовый под эмиттерным.

2014 г