Физические основы электроники (ФОЭ)

Цена:
600 руб.

Состав работы

material.view.file_icon DA4A155F-7BF5-4E26-9E2C-F9726D249FAB.doc [293 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант 15
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15.
Таблица 1
No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор

Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи соответствует предпоследней цифре шифра 15.
Таблица 2
No варианта:1 Тип ПП:Si Квантовая эф-фективность, η=0,7  Ширина запрещенной зоны ΔW=1,12 эВ

Задача No3

Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полу-проводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов дешифратора определяют индикацию цифры 5, соответствующей последней цифре шифра. Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача No4

Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

No варианта:1 Тип светодида:АЛ316А  Напряжение питания Uпит=9 В Номинал ограничитель-ного сопротивления 680 Ом

Дополнительная информация

К защите.

Похожие материалы

Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
Задача №1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА . Задача №2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА. Задача №3 Для данного транзистор
******* Не известно Физические основы электроники Работа Контрольная
User thelive4u : 6 апреля 2015
300 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
Вопросы: 1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов. 2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User vlanproekt : 15 марта 2014
240 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
Задания из контрольной (вариант 29): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User MN : 27 декабря 2013
100 руб.
Зачетная работа. Физические основы электроники (ФОЭ) Билет № 14
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. 2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления. Билет № 14 1. Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. Поэтому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого С = dQ/ dU. В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядн
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User bioclown : 10 октября 2011
59 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений. ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User bioclown : 5 октября 2011
70 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ

Другие работы

Страхование. Контрольная работа. Вариант №6
ВАРИАНТ 6 Задание 1. Тема – страхование ответственности за неисполнение обязательств. Задание 2. Частный предприниматель Ф.И.Смирнов застраховал предпринимательский риск, заключив договор страхования сроком на один год и единовременно уплатив страховую премию. Спустя три месяца в результате сложившихся обстоятельств он решает прекратить предпринимательскую деятельность. Имеет ли право Ф.И.Смирнов потребовать у страховщика возврата страховой премии или ее части, поскольку страховой случай
СибГУТИ Страхование Работа Контрольная
User arinagyunter : 7 ноября 2015
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Основы радиосвязи и телевидения. Вариант №12
Задача 1 Начертить осциллограмму полного ТВ сигнала, соответствующего развертке заданной строки изображения, показанного на рис. 1. На осциллограмме указать длительность строки, длительность прямого хода развертки, гасящего импульса строк, синхронизирующего импульса строк, а так же численные значения уровне белого, серого, черного, гашения и синхронизирующих импульсов. Осциллограмма должна быть построена под изображением. Определить частоту первой гармоники импульсного сигнала, формируемого при
ДО СИБГУТИ Радиотехника и радиосвязь Работа Контрольная
User Fortak : 29 апреля 2017
50 руб.
Инженерная графика. Задание №45. Вариант №5. Деталь №2
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16. Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения. Задание 45. Вариант 5. Задача 2. Тема: Проекционные виды. Построить третью проекцию модели по двум заданным. Нанести размеры. В состав работы входят три файла: – 3D модель детали; - ассоциативный чертеж в трёх видах, а так же изометрия и диметрия с действительными коэффициентами; – обычный чертеж в трёх видах, а так же изометрия с коэффициентом 1 и диметрия с коэффициентами 1/0.5/1. Помогу с др
Чертежи Инженерная графика
User Чертежи : 21 марта 2020
50 руб.
Инженерная графика. Задание №45. Вариант №5. Деталь №2
Лабораторная работа № 2.2 по дисциплине: «Метрология, стандартизация и сертификация». 5-й семестр. 6-й вариант
Лабораторная работа No 2.2 По дисциплине: «Метрология, стандартизация и сертификация» ПОВЕРКА АНАЛОГОВОГО ИЗМЕРИТЕЛЬНОГО ПРИБОРА 1.ЦЕЛЬ РАБОТЫ. 1.1. Изучить методы поддержания единства измерений. 1.2. Изучить способы нормирования погрешностей средств измерений. 1.3. Изучить методику обработки результатов измерений с многократными наблюдениями. 1.4. Приобрести практические навыки измерения напряжения аналоговыми вольтметрами. 1.5. Освоить методику оценки сл
Метрология и стандартизация СибГУТИ Работа Лабораторная
User mastar : 19 января 2013
125 руб.
up Наверх