Физические основы электроники (ФОЭ)

Цена:
600 руб.

Состав работы

material.view.file_icon DA4A155F-7BF5-4E26-9E2C-F9726D249FAB.doc [293 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант 15
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15.
Таблица 1
No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор

Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи соответствует предпоследней цифре шифра 15.
Таблица 2
No варианта:1 Тип ПП:Si Квантовая эф-фективность, η=0,7  Ширина запрещенной зоны ΔW=1,12 эВ

Задача No3

Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полу-проводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов дешифратора определяют индикацию цифры 5, соответствующей последней цифре шифра. Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача No4

Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

No варианта:1 Тип светодида:АЛ316А  Напряжение питания Uпит=9 В Номинал ограничитель-ного сопротивления 680 Ом

Дополнительная информация

К защите.

Похожие материалы

Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
Задача №1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА . Задача №2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА. Задача №3 Для данного транзистор
******* Не известно Физические основы электроники Работа Контрольная
User thelive4u : 6 апреля 2015
300 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
Вопросы: 1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов. 2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User vlanproekt : 15 марта 2014
240 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
Задания из контрольной (вариант 29): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User MN : 27 декабря 2013
100 руб.
Зачетная работа. Физические основы электроники (ФОЭ) Билет № 14
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. 2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления. Билет № 14 1. Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. Поэтому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого С = dQ/ dU. В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядн
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User bioclown : 10 октября 2011
59 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений. ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User bioclown : 5 октября 2011
70 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ

Другие работы

Византизм и славянство
Понятие византизма. Византизм в России. Славянизм.
Разное Работа
User Qiwir : 25 марта 2013
5 руб.
Клапан предохранительный. Вариант 8 ЧЕРТЕЖ
Клапан предохранительный. Вариант 8 ЧЕРТЕЖ Клапан предохранительный ТюмГНГУ 516.08.00.00 ЧЕРТЕЖ 8.1 Схема работы устройства «Клапан предохранительный» приведена на рисунке 8.1. 8.2 Краткое описание изделия и принципа его работы При повышении давления в системе жидкость давит на клапан 3, сжимая пружину 2, и открывается отверстие корпуса 1. Избыточная жидкость через левое отверстие корпуса сливается в бак. 8.3 Дополнительные рекомендации Соединение корпуса и крышки обеспечить болтами (ГОС
ТюмГНГУ Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User coolns : 18 октября 2026
700 руб.
Клапан предохранительный. Вариант 8 ЧЕРТЕЖ
ДСТУ 3018-95 Видання. Поліграфічне виконання. Терміни та визначення
Видання. Поліграфічне виконання. Терміни та визначення. ДСТУ 3018– 95. Видання офіційне. Держстандарт України. Київ., 1995 Розроблено і внесено Українським науково-дослідним інститутом поліграфічної промисловості ім. Т. Шевченка (УНДІПП ім. Т. Шевченка). Затверджено і введено в дію наказом Держстандарту України N 58 від 23 лютого 1995 р. Введено вперше. Розробники: В. Й. Запоточний, канд. техн. наук, Л. М. Тяллева, Н. Й. Куновська, Л.М.Лопушинська
Справочники, ГОСТы и СНИПы Справочные материалы
User alfFRED : 28 июня 2013
10 руб.
Невербальное общение, его сущность и значение
Общение - особый вид психологической деятельности, результатом которой является изменения в когнитивной (образы, впечатления, стереотипы, эталоны) сфере, поведение, способе обращения к другим видам. Невербальное общение – неречевая форма общения, состоящая из жестов, мимики, поз, визуального контакта, тембра, интонации. Невербальное общение состоит из тона голоса, интонации, тембра, высоты, внешнего вида, позы, выражения лица, походки, глубины и скорости дыхания, поведения. Мимика, интонация,
Психология Работа
User Slolka : 17 октября 2013
up Наверх