Физические основы электроники (ФОЭ)

Цена:
600 руб.

Состав работы

material.view.file_icon DA4A155F-7BF5-4E26-9E2C-F9726D249FAB.doc [ 293 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант 15
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15.
Таблица 1
No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор

Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи соответствует предпоследней цифре шифра 15.
Таблица 2
No варианта:1 Тип ПП:Si Квантовая эф-фективность, η=0,7  Ширина запрещенной зоны ΔW=1,12 эВ

Задача No3

Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полу-проводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов дешифратора определяют индикацию цифры 5, соответствующей последней цифре шифра. Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача No4

Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

No варианта:1 Тип светодида:АЛ316А  Напряжение питания Uпит=9 В Номинал ограничитель-ного сопротивления 680 Ом

Дополнительная информация

К защите.

Похожие материалы

Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
Задача №1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА . Задача №2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА. Задача №3 Для данного транзистор
******* Не известно Физические основы электроники Работа Контрольная
User thelive4u : 6 апреля 2015
300 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
Вопросы: 1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов. 2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User vlanproekt : 15 марта 2014
240 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
Задания из контрольной (вариант 29): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User MN : 27 декабря 2013
100 руб.
Зачетная работа. Физические основы электроники (ФОЭ) Билет № 14
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. 2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления. Билет № 14 1. Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. Поэтому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого С = dQ/ dU. В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядн
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User bioclown : 10 октября 2011
59 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений. ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User bioclown : 5 октября 2011
70 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ

Другие работы

Прикладная механика жидкости и газа ТОГУ Задача И4
Определить расход воды, вытекающей из круглого отверстия диаметром d=0,05 м (рис.32). Напор над центром отверстия Н=1,8 м. Установить, как изменится расход, если к отверстию присоединить конически расходящийся насадок длиной l=0,2 м с углом конусности θ=7º.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 22 октября 2025
150 руб.
Прикладная механика жидкости и газа ТОГУ Задача И4
Возникновение и развитие древнерусского права
Возникновение и развитие «древнерусского права». Появление феодальной собственности на землю. Обязательное, наследное и уголовное право по «Русской правде» 1 «Воинский артикул 1715г». Основные черты уголовного права в законодательстве Петра 1 9 Основные положения судебной реформы 1864г. 18 Список литературы 25 1. Возникновение и развитие «древнерусского права». Появление феодальной собственности на землю. Обязательное наследственное и уголовное право по «Русской правде». Русская П
Рефераты Правоведение
User Qiwir : 2 сентября 2013
5 руб.
Контрольная работа. Менеджмент. 3-й вариант
Задание 1 «Исследование внешней и внутренней среды организации. Оценка конкурентной позиции» Представить краткую характеристику организации, в т.ч.: полное и сокращенное название организации; миссию и цели деятельности; охарактеризовать внутреннюю среду организации; проанализировать внешнюю среду организации, особое внимание уделить конкурентному окружению, выделить сильные и слабые стороны данной организации, а также возможности и угрозы; выполнить SWOT-анализ на основе количественной мето
Менеджмент СибГУТИ Работа Контрольная
User Татьяна33 : 26 февраля 2014
60 руб.
Теплотехника Часть 1 Теплопередача Задача 27 Вариант 9
Между двумя вертикальными плоскими пластинами размером 0,5×0,5 м помещен электрический нагреватель с равномерно распределенной плотностью тепловыделения. Степень черноты поверхностей ε. Какова должна быть мощность электрического нагревателя, чтобы при температуре окружающего воздуха tв поддерживать температуру поверхностей пластин tст, если коэффициент теплоотдачи конвекцией определяется соотношением: αк=2,65(tст-tв)0,25? (Теплоотдачу с торцов пластин не учитывать).
Задачи Теплотехника
User Z24 : 14 октября 2025
150 руб.
Теплотехника Часть 1 Теплопередача Задача 27 Вариант 9
up Наверх