Физические основы электроники (ФОЭ)

Цена:
600 руб.

Состав работы

material.view.file_icon DA4A155F-7BF5-4E26-9E2C-F9726D249FAB.doc [ 293 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант 15
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15.
Таблица 1
No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор

Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи соответствует предпоследней цифре шифра 15.
Таблица 2
No варианта:1 Тип ПП:Si Квантовая эф-фективность, η=0,7  Ширина запрещенной зоны ΔW=1,12 эВ

Задача No3

Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полу-проводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов дешифратора определяют индикацию цифры 5, соответствующей последней цифре шифра. Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача No4

Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

No варианта:1 Тип светодида:АЛ316А  Напряжение питания Uпит=9 В Номинал ограничитель-ного сопротивления 680 Ом

Дополнительная информация

К защите.

Похожие материалы

Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
Задача №1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА . Задача №2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА. Задача №3 Для данного транзистор
******* Не известно Физические основы электроники Работа Контрольная
User thelive4u : 6 апреля 2015
300 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
Вопросы: 1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов. 2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User vlanproekt : 15 марта 2014
240 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
Задания из контрольной (вариант 29): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User MN : 27 декабря 2013
100 руб.
Зачетная работа. Физические основы электроники (ФОЭ) Билет № 14
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. 2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления. Билет № 14 1. Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. Поэтому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого С = dQ/ dU. В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядн
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User bioclown : 10 октября 2011
59 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений. ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User bioclown : 5 октября 2011
70 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ

Другие работы

Лабораторная работа 3,6 по метрологии. Вариант 09
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3.6 по дисциплине «Метрология, стандартизация и управление качеством» 1. Цель работы 1.1. Освоить методы измерения частоты и периода электрических сигналов специализированными средствами измерений. 1.2. Приобрести практические навыки работы с цифровыми и резонансными частотомерами, измерительными генераторами. 1.3. Получить практические навыки обработки результатов измерения частоты и периода сигналов, оценки погрешности (неопределенности) результатов из-мерений и их офор
Метрология и стандартизация СибГУТИ Работа Лабораторная
User Jurgen : 5 апреля 2012
200 руб.
Микропроцессоры и цифровая обработка сигналов. Лабораторная работа № 4. Вывод информации через последовательный порт. Вариант 20 (2018)
Лабораторная работа № 4 по дисциплине «Микропроцессоры и цифровая обработка сигналов» Вывод информации через последовательный порт Вариант 20 1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ. Изучить особенности работы последовательных портов микроконтроллера. 2. ЗАДАНИЕ К РАБОТЕ В ЛАБОРАТОРИИ 2.1. Написать программу, выводящую Вашу фамилию, записанную латинскими буквами, через последовательный порт. 2.2. Настроить проект следующим образом: выбрать микроконтроллер AduC842, установить галочку напротив Create HEX file. 2.3. Ско
СибГУТИ Работа Лабораторная Микропроцессоры и цифровая обработка сигналов
User rmn77 : 10 марта 2018
50 руб.
Исследование и модернизация действующей системы очистки сточных вод механосборочного цеха от отработанной СОЖ
Содержание Введение………………………………………………………………………………. 1. Обзор существующих методов и средств очистки масло-шламовых стоков, сточных вод,содержащих отработанную смазочно-охлаждающую жидкость……………………………………………… 1.1 Очистка стоков коагуляцией……………………………………………………. 1.2 Очистка воды озонированием…………………………………………………… 1.3 Очистка воды адсорбцией на углях……………………………………………... 1.4 Очистка воды с помощью ионообменных смол и полимерных адсорбентов… 1.5 Очистка воды пенообразованием……………………………………………….. 1.6 Прим
Диплом и связанное с ним Экология и защита окружающей среды
User Proffrr6699 : 19 октября 2014
1000 руб.
Реферат. Деловое общение
Содержание Введение………………………………………………………………………...…3 1. Этика делового общения. Ключевые понятия……………………………..…5 1.1. Основные принципы делового общения……………………………………6 1.2. Виды делового общения…………………………………………………..…8 1.3. Методы воздействия на людей………………………………...………...…10 2. Групповые формы делового общения……………………………………….12 2.1. Деловые беседы……………………………………………………………..14 2.2. Деловые переговоры……………………………………………………..…16 3. Влияние личностных качеств человека на общение………………………..19 Заключение………
СибГУТИ Рефераты Управление персоналом
User idiosyncrasy : 12 февраля 2015
50 руб.
up Наверх