Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Категории: Электроника, Работа Лабораторная
Добавлен: 24.01.2015
Размер: 153 KB
Покупок: 0
Добавил:
mirsan

Написать сообщение

Все работы пользователя

Цена:

55 руб.

Скачать

DC0180BB-7537-4185-BFDA-DFC31152206D.zip [153 KB]

Физические основы электроники. Лабораторная работа №1.doc [Office 2010, 9 стр., 230 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследование стабилитрона Д814А
д) Исследование однополупериодного выпрямителя
Выводы:

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата сдачи: 2014 год
Рецензия:Ваша работа зачтена.

Савиных Валерий Леонидович

Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники

Антон28 : 8 августа 2025

1500 руб.

Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б

СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная

lev12345678 : 17 марта 2013

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследовани

СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая

ДО Сибгути : 26 января 2013

150 руб.

Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты

Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты. 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный перехо

ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники

SibGUTI2 : 3 июня 2019

50 руб.

СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.

СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая

Art55555 : 6 августа 2009

100 руб.

Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы

СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая

aleks797 : 17 декабря 2011

50 руб.

Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.

Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Указания к составлению отчета 5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов. 5.2 Привести таблицы с результатами измерений. 5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения. 5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифферен

СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники

seka : 14 сентября 2018

45 руб.

Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА. 2. Обратное включение. 2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д

СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники

Roma967 : 29 мая 2015

300 руб.

ГОСТ 12766.4-90 Прокат сортовой из прецизионных сплавов с высоким электрическим сопротивлением. Технические условия

Настоящий стандарт распространяется на сортовой горячекатаный прокат круглого сечения из прецизионных сплавов с высоким электрическим сопротивлением, предназначенный для изготовления нагревательных элементов и выводных соединений.

Справочные материалы Химия

Lokard : 9 мая 2013

5 руб.

Устройство натяжное МЧ00.42.00.00. Деталировка

Натяжное устройство предупреждает провисание под нагрузкой ленты или цепи конвейера. Натяжение ленты осуществляется горизонтальным перемещением ползуна поз. 4 по направляющим корпуса поз. 7. Крышка поз. 2 крепится к корпусу четырьмя шпильками поз. 10. Корпус закрепляется на раме конвейера четырьмя болтами. Через резьбовое отверстие ползуна подается смазка, которая по канавкам распределяется по всей трущейся поверхности вкладыша поз. 3. Винты поз. 9 предохраняют вкладыши от проворачивания. Устро

Начертательная геометрия и инженерная графика БГПК Практические занятия и отчеты

bublegum : 6 февраля 2021

350 руб.

Формы бизнес-коммуникаций. Этикет. Основные понятия.

Содержание Введение 3 1. Понятие эффективных бизнес-коммуникаций 4 2. Роль коммуникаций в современном бизнесе 5 3. Формы бизнес коммуникаций 7 4. Этикет. Основные понятия и роль в бизнес-коммуникациях. 10 Заключение 12 Список использованной литературы 13

Рефераты НИНХ Бизнес-коммуникации

Infanta : 31 марта 2026

700 руб.