Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цена:
55 руб.

Состав работы

material.view.file_icon DC0180BB-7537-4185-BFDA-DFC31152206D.zip [153 KB]
material.view.file_icon Физические основы электроники. Лабораторная работа №1.doc [Office 2010, 9 стр., 230 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
 Цель работы:
 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
 а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
 б) Определение типа материала диода.
 в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
 г) Исследование стабилитрона Д814А
 д) Исследование однополупериодного выпрямителя
 Выводы:

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата сдачи: 2014 год
Рецензия:Ваша работа зачтена.

Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User lev12345678 : 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследовани
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ДО Сибгути : 26 января 2013
150 руб.
promo
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты. 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный перехо
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User SibGUTI2 : 3 июня 2019
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User Art55555 : 6 августа 2009
100 руб.
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User aleks797 : 17 декабря 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Указания к составлению отчета 5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов. 5.2 Привести таблицы с результатами измерений. 5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения. 5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифферен
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User seka : 14 сентября 2018
45 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА. 2. Обратное включение. 2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Roma967 : 29 мая 2015
300 руб.
promo

Другие работы

Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 33 Вариант 2
Определить требуемую минимальную толщину обмуровки газохода котла, чтобы температура ее наружной поверхности не превышала 50 ºС при температуре газов в газоходе t1. Эквивалентный коэффициент теплопроводности обмуровки λ=0,6 Вт/(м·К). Суммарный коэффициент теплоотдачи со стороны газов — α1, со стороны воздуха α2=16 Вт/(м²·К), а температура воздуха t2=20 ºC.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 12 ноября 2025
120 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 33 Вариант 2
Рабинович О.М. Сборник задач по технической термодинамике Задача 414
До какого давления необходимо дросселировать пар при р1=6 МПа и х1=0,96, чтобы он стал сухим насыщенным? Ответ: р2=0,26 МПа.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 5 октября 2025
160 руб.
Рабинович О.М. Сборник задач по технической термодинамике Задача 414
Расчет коробки скоростей токарно-револьверного станка
CОДЕРЖАНИЕ Введение………………………………………………………………………...5 1. Кинематический расчет станка………………………………………………..6 1.1. Определение скоростей резания……………………………………...6 1.2. Расчет диапазона регулирования и числа ступеней передач……….8 1.3. Выбор структурной формулы коробки скоростей…………………..9 1.4. Разработка и построение структурной сетки и графика частот вращения……………………………………………………….9 1.5. Выбор числа зубьев зубчатых колес………………………………...11 2. Разработка кинематической схемы коробки скоро
Металлорежущие станки Работа Курсовая
User Рики-Тики-Та : 14 сентября 2012
55 руб.
Экзаменационная работа. Схемотехника телекоммуникационных устройств. Билет №2
1. Определение триггера. RS-триггер. 2. Синтезировать в базисе ИНЕ схему арифметического суммирования двух одноразрядных чисел. Уважаемый студент дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Схемотехника телекоммуникационных устройств Вид работы: Экзамен Оценка:Отлично Дата оценки: 24.12.2019 Бородихин Михаил Григорьевич
ДО СИБГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Экзаменационная
User Entimos : 25 декабря 2019
200 руб.
up Наверх