Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цена:
55 руб.

Состав работы

material.view.file_icon DC0180BB-7537-4185-BFDA-DFC31152206D.zip [ 153 KB ]
material.view.file_icon Физические основы электроники. Лабораторная работа №1.doc [ 230 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
 Цель работы:
 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
 а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
 б) Определение типа материала диода.
 в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
 г) Исследование стабилитрона Д814А
 д) Исследование однополупериодного выпрямителя
 Выводы:

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата сдачи: 2014 год
Рецензия:Ваша работа зачтена.

Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User lev12345678 : 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследовани
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ДО Сибгути : 26 января 2013
150 руб.
promo
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты. 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный перехо
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User SibGUTI2 : 3 июня 2019
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User Art55555 : 6 августа 2009
100 руб.
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User aleks797 : 17 декабря 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Указания к составлению отчета 5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов. 5.2 Привести таблицы с результатами измерений. 5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения. 5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифферен
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User seka : 14 сентября 2018
45 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА. 2. Обратное включение. 2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Roma967 : 29 мая 2015
300 руб.
promo

Другие работы

Экзамен по дисциплине: Проектирование и эксплуатация сетей связи. Билет № 3. 2022 год
1. Определите содержание раздела проекта " Объем оборудования и линейных сооружений ". 2. Приведите структуру проектной документации. 3. Что входит в состав процедур эксплуатации систем связи. 4. Задача. Какая модель является обыкновенным графом. (G1 или G2)
Проектирование и эксплуатация сетей связи ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 10 декабря 2022
300 руб.
Экзамен по дисциплине: Проектирование и эксплуатация сетей связи. Билет № 3. 2022 год
Схемотехника аналоговых электронных устройств, Контрольная 25 Вариант.
Задача № 1 Начертить принципиальную схему однотактного резисторного каскада предварительного усиления на БТ, включенном по схеме с ОЭ с эмиттерной стабилизацией точки покоя. Рассчитать параметры элементов схемы, режим работы каскада по постоянному току, коэффициент усиления в области средних частот, входные параметры каскада и амплитуду входного сигнала. Исходные данные для варианта 2 приводим из таблиц 1 и 2: 1. Марка транзистора: КТ361 А 2. Амплитуда сигнала на нагрузке: Umн = 1,3 В 3. Относ
Основы схемотехники Работа Контрольная
User Ander : 21 ноября 2022
250 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача Б-2 Вариант 92
Рабочее тело – водяной пар, имеющий в начальном состоянии давление р1 и степени сухости х1, изобарно нагревается до температуры t2. Построить процесс нагрева водяного пара в диаграмме h,s. Определить: 1) параметры пара в начальном состоянии (υ1, h1, s1); 2) параметры пара в конечном состоянии (υ2, h2, s2); 3) значения внутренней энергии пара до и после процесса нагрева; 4) количество подведенной теплоты и совершаемую работу. К решению задачи приложить схему построения процесс
Задачи Теплотехника
User Z24 : 10 февраля 2026
200 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача Б-2 Вариант 92
Технология разработки ПО для подготовки к экзамену
Введение. Требования к современным технологиям, Общие принципы разработки программных средств, Разработка структуры программы и модульное программирование, Разработка программного модуля. Структурное программирование, Стиль программирования, Выбор языка программирования, Виды ошибок. Основные принципы отладки ПС, Основные принципы организации тестирования ПС .
Информационные технологии и системы Лекции
User Aronitue9 : 6 января 2012
20 руб.
up Наверх