Физические основы электроники. Зачет. Билет № 3

Цена:
95 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 98B59AA5-4893-40C7-BFA1-DE1237FFB737.zip [ 30 KB ]
material.view.file_icon Физические основы электроники. Зачет. Билет №03.doc [ 95 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Билет № 3
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата сдачи: 2014 год
Рецензия:зачет по ФОЭ Вами получен.
Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Физические основы электроники. Зачет
Зачет. Физические основы электроники 2-й семестр/ Билет №5 1.Отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов и чем они обусловлены. 2.Дифференциальные H - параметры БТ. Уравнение 4х-полюсника.Формулы для определения H - параметров в схемах с ОБ и ОЭ.
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User CDT-1 : 3 апреля 2011
99 руб.
Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3
1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединен
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Экзаменационная
User Студенткааа : 16 января 2019
100 руб.
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники".
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
ДО СИБГУТИ Работа Зачетная Физические основы электроники
User freelancer : 16 апреля 2016
100 руб.
promo
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники"
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника физическая
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 23 февраля 2013
100 руб.
Зачет по дисциплине: Физические основы электроники
ВАРИАНТ 6 Содержание: 1. Отличия ВАХ диодов из германия и кремния стр. 3-6 2. Устройство и принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом. Схемы включения. Характеристики. стр. 6-10
СибГУТИ Работа Зачетная Физические основы электроники
User lebed-e-va : 30 марта 2015
100 руб.
Зачет по дисциплине «Физические основы электроники»
Зачет по предмету «Физические основы электроники» Билет № 9 1. Выпрямительные ПП диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. Уравнения коллекторных токов для схем включения ОБ и ОЭ. Коэффициенты передачи тока, их соотношения. Выпрямительный диод предназначен для преобразования переменного напряжения в постоянное. Идеальный выпрямитель должен при одной полярности ток пропускать, при другой полярности не пропускать. Свойства полупроводникового диода близки к свойствам идеаль
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User Лесник : 4 июля 2010
50 руб.
Физические основы электроники. Зачет. Вариант 3. Билет 14
Билет № 14 1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. 2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления.
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника физическая
User suhinin : 8 февраля 2015
40 руб.
Физические основы электроники. Работа экзаменационная. Билет 3.
Подробный, развернутый ответ на оба вопроса. Объем работы - 13 стр. Билет № 3. 1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Экзаменационная
User SemenovSam : 30 мая 2016
200 руб.

Другие работы

Задачи по физике
1. По длинному медному проводнику радиуса R течет ток I=10A. Определить энергию магнитного поля, локализованного внутри участка длиной l=2м. 2. В центре длинного соленоида расположен круговой ток радиуса . Магнитный момент кругового тока и соленоида составляет угол . Определить вращательный момент, действующий на круговой ток, и суммарную работу по медленному перемещению кругового тока к краю соленоида и переводу его в положение устойчивого равновесия. Ток в соленоиде , плотность намотки
Задачи ******* Не известно Физика
User anderwerty : 20 января 2016
10 руб.
Сечение призмы плоскостью с построением разверстки. Вариант 4
Варианты ГР-03 Наименование работы – Сечение призмы Тема - Сечение призмы плоскостью с построением разверстки Формат А3 Чертеж сделан в компас 21. Чертеж сохранен дополнительно в форматы пдф и джпг Если есть какие-то вопросы или нужно другой вариант, пишите.
Чертежи Инженерная графика
User Laguz : 3 февраля 2025
100 руб.
Сечение призмы плоскостью с построением разверстки. Вариант 4
Данный проект посвящен расчету и проектированию элементов сети связи следующего поколения NGN (Next Generation Network).
25 вариант
Проектирование и эксплуатация сетей связи ******* Не известно Работа Курсовая
User Salekh : 26 февраля 2020
600 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: «Интеллектуальные сети» вариант 06
Цель работы: Изучить технические особенности проектирования интеллектуальной сети при помощи расчета ее параметров. Получить теоретические знания в области ИС, проанализировать результаты, полученные в ходе расчетов. Задание: 1. Описать структуру интеллектуальной сети и процесс предоставления услуг. 2. Произвести расчет сигнальных трактов между узлом коммутации SSP и узлом управления SCP: · Расчет нагрузки INAP – прикладной части ОКС No7 Во время реализации ИС могут предоставляться следующи
ДО СИБГУТИ Интеллектуальные сети Работа Контрольная
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 4 января 2023
500 руб.
up Наверх