Контрольная работа. Физические основы электроники. 19-й вариант
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
25.01.2015
-
Размер:
505 KB
-
Покупок:
7
-
Добавил:
Алексей119
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
кр - зачет.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1
Дано:
транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 75В, сопротивление нагрузки RН=1500 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 250 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов
Задача 4
Дано:
Полевой транзистор КП103K, UСИ0=7 В , UЗИ0=4 В . Выходные характеристики по приложению Б.
Дано:
транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 75В, сопротивление нагрузки RН=1500 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 250 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов
Задача 4
Дано:
Полевой транзистор КП103K, UСИ0=7 В , UЗИ0=4 В . Выходные характеристики по приложению Б.
Дополнительная информация
Коментарии: Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 25.01.2015г
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 25.01.2015г
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 10-й вариант
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 1-й вариант
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
ЗАДАЧА 1
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой при UКЭ=0 соответствует точке IК=EК/RН. Абсцисса при IК=0 соответствует точке UКЭ=ЕК. Соединение этих координат и является построением нагрузочной линии.
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
0 КТ603А 50 1000 200
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
350 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
S4M
: 16 июня 2022
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
S4M
: 16 июня 2022
400 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники
Богарт
: 5 апреля 2017
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
Богарт
: 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
Игуана
: 10 декабря 2012
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Игуана
: 10 декабря 2012
120 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
Aronitue9
: 3 сентября 2011
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на част
Aronitue9
: 3 сентября 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа
Seregos
: 4 января 2010
КР Вариант №3 ФОЭ СибГУТИ
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
Seregos
: 4 января 2010
Контрольная работа: Физические основы электроники
Лесник
: 17 ноября 2009
Биполярный транзистор.
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллектор
Лесник
: 17 ноября 2009
70 руб.
Другие работы
Теплотехника СФУ 2017 Задача 1 Вариант 65
Z24
: 30 декабря 2026
Смесь, состоящая из М1 киломолей углекислого газа и М2 киломолей окиси углерода с начальными параметрами р1 = 5 МПа и Т1 = 2000 К, расширяется до конечного объема V2 = εV1. Расширение осуществляется по изотерме, по адиабате, по политропе с показателем n. Определить газовую постоянную смеси, её массу и начальный объем, конечные параметры смеси, работу расширения, теплоту процесса, изменение внутренней энергии, энтальпии и энтропии. Дать сводную таблицу результатов и анализ ее. Показать процессы в
Z24
: 30 декабря 2026
280 руб.
Курсовая работа по дисциплине "Сетевые базы данных" (7 семестр)
1231233
: 23 января 2012
Общая часть задания
Создать таблицу, имеющую уникальное поле и первичный ключ.
Создать представление, которое позволяет вывести только часть полей и часть строк таблицы.
Создать пакет PL/SQL, содержащий процедуру начального заполнения таблицы данными (по 7-10 записей в таблице) и процедуру очистки таблицы (удаления записей).
Добавить в пакет процедуру (см. свой вариант задания) изменения данных в таблице. Значения изменяемых данных должны передаваться в процедуру как параметры.
В процедурах пред
1231233
: 23 января 2012
23 руб.
Технологический процесс изготовления вала
Goncharova
: 16 февраля 2009
Содержание
1.Введение
2.Служебное назначение детали
3.Анализ на технологичность
4.Определение типа производства
5.Выбор метода получения заготовки
6.Предварительная разработка и выбор варианта технологического маршрута по минимуму приведенных затрат
7.Расчет припусков
8.Расчет режимов резания
9.Нормирование операций
10.Заключение
Чертеж вала А3
Чертеж операционных эскизов А3
Карта операциооных эскизов
Goncharova
: 16 февраля 2009
Особенности формирования самосознания в дошкольном возрасте
Qiwir
: 18 октября 2013
Введение
Глава 1. Теоретические основы изучения проблем самосознания в психологии
1.1 Изучение самосознания в зарубежной и отечественной психологии
1.2 Самооценка как предмет самосознания в психологии
1.3 Особенности развития детей старшего дошкольного возраста
Глава 2. Эмпирическое исследование особенностей самооценки детей старшего дошкольного возраста
2.1 Описание выборки и методик исследования
2.2 Анализ результатов и их интерпретация
Заключение
Приложение
Библиографический список
Qiwir
: 18 октября 2013
15 руб.
