Практическая задача к курсовому проекту по теме: «Расчёт и проектирование полевого транзистора с изолированным затвором».

1. Расчёт параметров транзисторов.
Структура: полевой транзистор на основе кремния р-типа, n-типа.
Определить: Uпор, Сзк, Iс=f(Uз), Iс=f(Uc)/Uз=const.


В случае кремния n-типа и алюминиевого затвора величина ms составляет при типичных концентрациях легирующей примеси около -0,3 В ms=-0,3 В.
Для кремниевого затвора р-типа (1019см-3) s’s=0,8 В; и подложки n-типа.
Т.о. замена Al на затвор из полиSi (р) для n-канального транзистора дает уменьшение Uпор на 1,1 В.
Al-SiO2(Si, Na=1016см-3) ms=-0,95.

Расчет транзистора предполагает определение порогового напряжения Uпор, емкости затвор-канал Cзк; построение статической передаточной характеристики и определение ее крутизны в области насыщения; построение семейства статических выходных характеристик; определение максимальной рабочей частоты fmax.

2014 г