Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
07.03.2015
-
Размер:
134 KB
-
Покупок:
42
-
Добавил:
dubhe
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
экзамен.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
СИБГУТИ
МТС
2014
отлично
МТС
2014
отлично
Похожие материалы
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Rufus
: 26 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встрое
Rufus
: 26 мая 2016
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
oksana111
: 24 июля 2014
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
oksana111
: 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
corner
: 21 февраля 2013
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
corner
: 21 февраля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
Ekaterina-Arbanakova
: 11 февраля 2013
Экзаменационные вопросы:
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите
Ekaterina-Arbanakova
: 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
женя68
: 10 мая 2011
Экзамен.
По дисциплине: электроника.
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
женя68
: 10 мая 2011
56 руб.
Экзамен по дисциплине «Электротехника и электроника»
Hanifa
: 3 октября 2012
1. Применение генераторов тока в ОУ.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необ
Hanifa
: 3 октября 2012
70 руб.
Экзамен по дисциплине: « Электротехника и электроника»
Dusya
: 20 октября 2011
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные ха
Dusya
: 20 октября 2011
250 руб.
Экзамен по дисциплине: Информатика. СибГУТИ
edson
: 26 сентября 2011
Вопросы к экзамену:
1. Чем отличаются относительные и абсолютные ссылки на ячейки в Excel и приведите примеры использования
2. Составьте алгоритм для вычисления суммы 100 чисел.
edson
: 26 сентября 2011
60 руб.
Другие работы
Техническая термодинамика КГУ 2020 Задача 3 Вариант 20
Z24
: 12 января 2026
Определить часовой расход пара D (килограммов в час) и удельный расход пара d (килограммов на киловатт — час) на конденсационную паровую турбину, работающую без регенерации теплоты, по заданной электрической мощности турбогенератора Nэл, давлению р1 и температуре t1 перегретого пара перед турбиной и относительному внутреннему КПД турбины ηoi. Давление пара в конденсаторе принять р2=4 кПа. Механический КПД турбины ηм и КПД электрогенератора ηэ принять ηм=ηэ=0,99. Определить также степень сухости
Z24
: 12 января 2026
350 руб.
Практическая работа №3. Вариант №1. Кронштейн
vermux1
: 26 декабря 2017
Учебно-методическое пособие А.В.Туркин, Л.В.Туркина
Инженерная графика часть 1
Практическая работа 3 вариант 1
Вычертить контур детали по заданию
1. Вычертить окружности по заданным размерам, учитывая расстояния между ними по горизонтали и вертикали.
2. Построить прямые линии, входящие в состав заданного контура.
3. Построить сопряжения между линиями контура в соотвествии с заданным чертежом.
Выполнен чертеж в компасе 3D V13 на формате А3.
vermux1
: 26 декабря 2017
30 руб.
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 2 Вариант 29
Z24
: 3 февраля 2026
Расчет параметров изолированного трубопровода
По трубопроводу с размерами d2/d1, где d1 — внутренний диаметр трубы, а d2 — наружный диаметр, течет горячая вода с температурой tж1. Температура окружающей среды tж2. Снаружи труба покрыта слоем изоляционного материала толщиной δ с коэффициентом теплопроводности λ2, коэффициентом теплопроводности материала трубы λ1. Средние коэффициенты теплоотдачи с внутренней поверхности трубы и внешней изоляционного материала соответственно равны α1, α2. Опред
Z24
: 3 февраля 2026
200 руб.
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 3.2 Вариант 74
Z24
: 8 января 2026
Определить необходимую толщину слоя теплоизоляции δиз наружной стены холодильной камеры (рис. 3), если:
толщина стены δст;
коэффициенты теплопроводности соответственно материала стены и теплоизоляции λст и λиз;
температура наружного воздуха и воздуха в холодильной камере tв1 и tв2;
коэффициенты теплоотдачи от наружного воздуха к стене α1 и от поверхности теплоизоляции к воздуху в холодильной камере α2;
заданная плотность теплового потока q.Оценить также температуры поверхностей tc1, tc2 и
Z24
: 8 января 2026
150 руб.
