Технология Fast Ethernet и 100VG-AnyLAN
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1 Fast Ethernet и 100VG-AnyLAN как развитие технологии Ethernet ................. 3
2 Физический уровень технологии Fast Ethernet................................................... 5
2.1 Физический уровень 100Base-FX - многомодовое оптоволокно, два волокна....................................................................................................................... 9
2.2 Физический уровень 100Base-TX - витая пара DTP Cat 5 или STP Type 1, две пары...................................................................................................................... 11
2.3 Физический уровень 100Base-T4 - витая пара UTP Cat 3, четыре пары........ 12
3 Правила построения сегментов Fast Ethernet при использовании повторителей.............................................................................................................. 14
3.1 Ограничения длин сегментов DTE-DTE........................................................... 14
3.2 Ограничения сетей Fast Ethernet, построенных на повторителях................... 16
4 Особенности технологии 100VG-AnyLAN........................................................ 19 19
Выводы................................................................................................................... 23
2 Физический уровень технологии Fast Ethernet................................................... 5
2.1 Физический уровень 100Base-FX - многомодовое оптоволокно, два волокна....................................................................................................................... 9
2.2 Физический уровень 100Base-TX - витая пара DTP Cat 5 или STP Type 1, две пары...................................................................................................................... 11
2.3 Физический уровень 100Base-T4 - витая пара UTP Cat 3, четыре пары........ 12
3 Правила построения сегментов Fast Ethernet при использовании повторителей.............................................................................................................. 14
3.1 Ограничения длин сегментов DTE-DTE........................................................... 14
3.2 Ограничения сетей Fast Ethernet, построенных на повторителях................... 16
4 Особенности технологии 100VG-AnyLAN........................................................ 19 19
Выводы................................................................................................................... 23
Другие работы
Перечертить два вида модели. Построить третий вид. Контрольная работа 1А - Вариант 3
.Инженер.
: 22 декабря 2025
Б.Г. Миронов, Р.С. Миронова, Д.А. Пяткина, А.А. Пузиков. Сборник заданий по инженерной графике с примерами выполнения чертежей на компьютере. Контрольная работа 1А. Вариант 3
Перечертить два вида модели. Построить третий вид. Выполнить необходимые разрезы. Наклонное сечение задается преподавателем.
В состав работы входит:
Чертеж;
3D модель.
Выполнено в программе Компас + чертеж в PDF.
100 руб.
Оценка экономической эффективности инвестиционного проекта
вин
: 6 ноября 2017
Содержание
Введение
1 Теоретические вопросы инвестиционной деятельности
1.1 Понятие и виды инвестиций
1.2 Виды рисков инвестиционных проектов
1.3 Этапы жизненного цикла инвестиционного проекта
1.4 Система управления рисками инвестиционного проекта
1.5 Риски инвестиционных проектов в отрасли телекоммуникаций
2 Исследование методов оценки экономической эффективности инвестиционных
проектов
2.1 Статические методы оценки экономической эффективности
2.2 Динамические методы оценки экономической эффект
800 руб.
Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме
elementpio
: 30 сентября 2013
Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме.
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянн
5 руб.
Теория сложности вычислительных процессов и структур (ДВ 2.1) Билет №12.
MayaMy
: 23 февраля 2019
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Теория сложности вычислительных процессов и структур (ДВ 2.1)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 19.01.2019
Рецензия:Уважаемая ,
замечаний нет.
Галкина Марина Юрьевна
300 руб.