Устройство оптоэлектроники.Контрольная работа.Вариант 1

Цена:
80 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon устройство оптоэлектроники КР.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1

Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант 1  
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод со структурой р-i-n

Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ грИсходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант 0 
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность,  0,2
Ширина запрещенной зоны W, эВ 0,6
   
Задача No3

Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности. .

Таблица 3. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта 
Входной код 
2^3 2^2 2^1 2^0 
Состояние выходов дешифратора
А В С D Е F G
           
Задача No 4

Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.

Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи No4
No варианта 0 
Тип светодиода АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 510

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: *.*.2015
Рецензия:Уважаемый ,Вы неверно решили задачу 4

Игнатов Александр Николаевич
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Исходные данные (вариант 01): Вариант 1 Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n
User Gila : 17 января 2019
200 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
Задача No1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Дано: Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр. Дано: Вариант Тип ПП маnериала Квантовая эффективность ŋ Ширина запрещенной зоны ∆ W 0 Ge 0,2 0,6 За
User sanmix10077 : 2 февраля 2016
230 руб.
Контрольная работа №1 : Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант и тип фотоприемника Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице Вариант Тип ПП ма
User bap2 : 8 апреля 2015
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
Задача No1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фото-приемника и указать на ней λгр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полу-проводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и со
User gerts : 6 декабря 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №1
Задача No1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Дано: Тип фотоприемника (ФП) – Фотодиод со структурой p-i-n Задача No2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр. Дано: Тип ПП материала – Ge Квантовая эффективность, h – 0,2 Ширина запрещенной зоны D W, эВ – 0,6 Задача
User Andrev111111 : 17 ноября 2013
80 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 1
При написании контрольной использовалась электронная версия пособия «Устройства оптоэлектроники» профессора Игнатова А.Н. и пособие Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы -М.: Энергоатомиздат., 1990. Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спек
User avrmaster : 10 августа 2012
100 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
User Галилео : 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант №07 – Фототранзистор Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах. Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки, либо атомов примеси. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
User Сергейds : 6 февраля 2014
59 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 13
Задача 1 По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, μ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные представлены в таблице 1.1. Таблица 1.1 − Исходные данные. No варианта: 13 Тип ПТ: КП302А Uси0, В: 14 Uзи0, В: -8 Задача 2 Используя характеристики заданного бипол
User SibGOODy : 26 августа 2018
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 13 promo
Инженерная и компьютерная графика. Задание №59. Вариант №6. Модель 1 и 2
Задание 59 вариант 6 модель 1 и 2 По аксонометрической проекции модели построить в трех проекциях чертеж. Задача 1 - с применением фронтального разреза Задача 2 - с применением горизонтального разреза. 3d модель и чертеж (все на скриншотах изображено) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21 и выше версиях компаса. Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.
User lepris : 18 января 2022
150 руб.
Инженерная и компьютерная графика. Задание №59. Вариант №6. Модель 1 и 2
Тепломассообмен СЗТУ Задача 1 Вариант 00
Стенка топочной камеры имеет размеры 3×5 м². Стенка состоит из шамотного кирпича (250 мм) и одного красного кирпича (250 мм); в промежутке между ними имеется изоляционная совелитовая прокладка толщиной δ. Температура внутренней поверхности стенки t1; температура наружной поверхности по условиям техники безопасности не должна превышать 60 ºC. Определить тепловой поток через стенку за 10 часов работы и экономию в процентах от применения изоляционной прослойки по сравнению со стенкой той же толщ
User Z24 : 29 января 2026
200 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 1 Вариант 00
Технология возведения 1-этажного промышлеенного здания
стр. Введение 3 1 Исходные данные 3 1.1 Характеристика объекта 3 1.2 Ведомость монтируемых элементов 4 2 Ведомость подсчета объема работ 4 3 Ведомость потребности в грузозахватных устройствах и монтажных приспособлениях 6 3.1 Ведомость монтажных приспособлений 8 4 Выбор монтажных кранов по техническим параметрам 11 4.1 Технико-экономическое обоснование выбора монтажных кранов 18 5 Формирование и расчет калькуляции трудовых затрат монтажных работ 19 7 Формирование и расчет календарного
User ostah : 10 января 2015
45 руб.
up Наверх