Устройство оптоэлектроники.Контрольная работа.Вариант 1
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант 1
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ грИсходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант 0
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность, 0,2
Ширина запрещенной зоны W, эВ 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности. .
Таблица 3. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта
Входной код
2^3 2^2 2^1 2^0
Состояние выходов дешифратора
А В С D Е F G
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи No4
No варианта 0
Тип светодиода АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант 1
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ грИсходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант 0
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность, 0,2
Ширина запрещенной зоны W, эВ 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности. .
Таблица 3. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта
Входной код
2^3 2^2 2^1 2^0
Состояние выходов дешифратора
А В С D Е F G
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи No4
No варианта 0
Тип светодиода АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 510
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: *.*.2015
Рецензия:Уважаемый ,Вы неверно решили задачу 4
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: *.*.2015
Рецензия:Уважаемый ,Вы неверно решили задачу 4
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
Gila
: 17 января 2019
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные (вариант 01):
Вариант 1 Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
200 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
sanmix10077
: 2 февраля 2016
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано:
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Дано:
Вариант Тип ПП маnериала Квантовая эффективность
ŋ Ширина запрещенной зоны ∆ W
0 Ge 0,2 0,6
За
230 руб.
Контрольная работа №1 : Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
bap2
: 8 апреля 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант и тип фотоприемника
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице
Вариант
Тип ПП ма
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
gerts
: 6 декабря 2015
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фото-приемника и указать на ней λгр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полу-проводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и со
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №1
Andrev111111
: 17 ноября 2013
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано: Тип фотоприемника (ФП) – Фотодиод со структурой p-i-n
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Дано:
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность, h – 0,2
Ширина запрещенной зоны D W, эВ – 0,6
Задача
80 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 1
avrmaster
: 10 августа 2012
При написании контрольной использовалась электронная версия пособия «Устройства оптоэлектроники» профессора Игнатова А.Н. и пособие Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы -М.: Энергоатомиздат., 1990.
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спек
100 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
59 руб.
Другие работы
Задачи по физике
anderwerty
: 20 января 2016
1. Заряд полого металлического цилиндра, радиус основания которого , а длина , . Поверхность цилиндра с внешней стороны покрыта равномерным слоем парафина (относительная диэлектрическая проницаемость ) толщиной . Найти объемную плотность энергии электрического поля на внутренней и внешней поверхностях парафинового слоя. Построить графики , , и .
2. Найти силу, с которой электрическое поле действует на равномерно заряженный стержень длиной , расположенный по радиусу равномерно заряж
10 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Теория связи. Вариант 04
xtrail
: 29 июля 2024
Задача №1
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением:
i=
S(u-u0), u>=u0;
0, u<u0,
где i - ток коллектора транзистора;
uб - напряжение на базе транзистора;
S - крутизна вольт-амперной характеристики;
u0 - напряжение отсечки ВАХ.
Требуется:
1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции.
2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов.
1200 руб.
Контрольная работа по физике.Вариант № 3
anderwerty
: 16 октября 2014
Задача № 3.3.1
В чем различие между ионной и ионно-релаксационной поляризацией? Что характеризует время релаксации и от каких факторов оно зависит?
Задача № 3.3.13
Электрическая проницаемость непропитанной конденсаторной бумаги и конденсаторного масла соответственно равна 35 и 20 кВ/мм. После пропитки бумаги конденсаторным маслом ее электрическая прочность возросла до 50 кВ/мм. Почему электрическая прочность пропитанной бумаги больше, чем электрические прочности непропитанной бумаги и пропитываю
40 руб.
Кейс № 2 «Организационная культура компании LEVI STRAUSS»
Татьяна67
: 3 ноября 2022
Levi Strauss — крупнейший в мире производитель джинсовой одежды, объемы продаж которой исчисляются миллиардами долларов. Однако в начале 90-х гг. в адрес компании стали поступать упреки, что она медленно обновляет свою продукцию, уступая своим конкурентам — Haggar Apparel и Farah Manufacturing. Появились также критические замечания в адрес организационной культуры Levi Strauss. В то время компания проводила в жизнь идею ее президента R. Haas, убежденного, что компания уже доказала свою возможнос
300 руб.