Устройство оптоэлектроники.Контрольная работа.Вариант 1

Цена:
80 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon устройство оптоэлектроники КР.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1

Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант 1  
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод со структурой р-i-n

Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ грИсходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант 0 
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность,  0,2
Ширина запрещенной зоны W, эВ 0,6
   
Задача No3

Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности. .

Таблица 3. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта 
Входной код 
2^3 2^2 2^1 2^0 
Состояние выходов дешифратора
А В С D Е F G
           
Задача No 4

Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.

Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи No4
No варианта 0 
Тип светодиода АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 510

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: *.*.2015
Рецензия:Уважаемый ,Вы неверно решили задачу 4

Игнатов Александр Николаевич
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Исходные данные (вариант 01): Вариант 1 Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n
User Gila : 17 января 2019
200 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
Задача No1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Дано: Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр. Дано: Вариант Тип ПП маnериала Квантовая эффективность ŋ Ширина запрещенной зоны ∆ W 0 Ge 0,2 0,6 За
User sanmix10077 : 2 февраля 2016
230 руб.
Контрольная работа №1 : Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант и тип фотоприемника Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице Вариант Тип ПП ма
User bap2 : 8 апреля 2015
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
Задача No1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фото-приемника и указать на ней λгр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полу-проводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и со
User gerts : 6 декабря 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №1
Задача No1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Дано: Тип фотоприемника (ФП) – Фотодиод со структурой p-i-n Задача No2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр. Дано: Тип ПП материала – Ge Квантовая эффективность, h – 0,2 Ширина запрещенной зоны D W, эВ – 0,6 Задача
User Andrev111111 : 17 ноября 2013
80 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 1
При написании контрольной использовалась электронная версия пособия «Устройства оптоэлектроники» профессора Игнатова А.Н. и пособие Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы -М.: Энергоатомиздат., 1990. Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спек
User avrmaster : 10 августа 2012
100 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
User Галилео : 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант №07 – Фототранзистор Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах. Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки, либо атомов примеси. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
User Сергейds : 6 февраля 2014
59 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Теплотехника Задача 23.72
Если определяющая температура 20 ºС, α=60 Вт/(м²·К), d=0,1 м, то критерий подобия (число) Нуссельта, согласно таблице, равен ___.
User Z24 : 19 февраля 2026
120 руб.
Теплотехника Задача 23.72
Онлайн тест по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем". Вариант общий.
Вопрос №1 Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора? Она должна быть больше диффузионной длины электрона, но меньше длины волны электрона Она должна быть больше диффузионной длины и длины волны электрона Она должна быть меньше диффузионной длины и длины волны электрона Она должна быть равна меньшему из значений диффузионной длины и длины волны электрона Нет правильного ответа Вопрос №2 Как определяется дифференциальное сопротивление коллекторного перехода биполяр
User teacher-sib : 10 мая 2021
500 руб.
Онлайн тест по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем". Вариант общий. promo
Організація створення та діяльності ТОВ “ Швидкість ”
План. Вступ Розділ 1. Створення та організація підприємства. 1.1 Законодавча база підприємницької діяльності. 1.2 Складання установчих документів. 1.3 Реєстрація підприємства. Розділ 2. Бізнес–план. Список літератури. Группа однодумців, які мають вільні кошти, проаналізувавши ситуацію на ринку вирішила створити підприємство по наданню інтернет послуг . Провівши детальний аналіз ринку засновники вирішили створити підприємство у м. Києві, оскільки ця сфера діяльності слабко розвинута. Тому ств
User rioheaven : 4 июля 2012
850 руб.
up Наверх