Устройство оптоэлектроники.Контрольная работа.Вариант 1
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант 1
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ грИсходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант 0
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность, 0,2
Ширина запрещенной зоны W, эВ 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности. .
Таблица 3. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта
Входной код
2^3 2^2 2^1 2^0
Состояние выходов дешифратора
А В С D Е F G
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи No4
No варианта 0
Тип светодиода АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант 1
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ грИсходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант 0
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность, 0,2
Ширина запрещенной зоны W, эВ 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности. .
Таблица 3. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта
Входной код
2^3 2^2 2^1 2^0
Состояние выходов дешифратора
А В С D Е F G
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи No4
No варианта 0
Тип светодиода АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 510
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: *.*.2015
Рецензия:Уважаемый ,Вы неверно решили задачу 4
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: *.*.2015
Рецензия:Уважаемый ,Вы неверно решили задачу 4
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
Gila
: 17 января 2019
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные (вариант 01):
Вариант 1 Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
200 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
sanmix10077
: 2 февраля 2016
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано:
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Дано:
Вариант Тип ПП маnериала Квантовая эффективность
ŋ Ширина запрещенной зоны ∆ W
0 Ge 0,2 0,6
За
230 руб.
Контрольная работа №1 : Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
bap2
: 8 апреля 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант и тип фотоприемника
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице
Вариант
Тип ПП ма
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
gerts
: 6 декабря 2015
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фото-приемника и указать на ней λгр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полу-проводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и со
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №1
Andrev111111
: 17 ноября 2013
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано: Тип фотоприемника (ФП) – Фотодиод со структурой p-i-n
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Дано:
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность, h – 0,2
Ширина запрещенной зоны D W, эВ – 0,6
Задача
80 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 1
avrmaster
: 10 августа 2012
При написании контрольной использовалась электронная версия пособия «Устройства оптоэлектроники» профессора Игнатова А.Н. и пособие Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы -М.: Энергоатомиздат., 1990.
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спек
100 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
59 руб.
Другие работы
Теплотехника Задача 23.72
Z24
: 19 февраля 2026
Если определяющая температура 20 ºС, α=60 Вт/(м²·К), d=0,1 м, то критерий подобия (число) Нуссельта, согласно таблице, равен ___.
120 руб.
Онлайн тест по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем". Вариант общий.
teacher-sib
: 10 мая 2021
Вопрос №1
Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора?
Она должна быть больше диффузионной длины электрона, но меньше длины волны электрона
Она должна быть больше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть меньше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть равна меньшему из значений диффузионной длины и длины волны электрона
Нет правильного ответа
Вопрос №2
Как определяется дифференциальное сопротивление коллекторного перехода биполяр
500 руб.
Організація створення та діяльності ТОВ “ Швидкість ”
rioheaven
: 4 июля 2012
План.
Вступ
Розділ 1. Створення та організація підприємства.
1.1 Законодавча база підприємницької діяльності.
1.2 Складання установчих документів.
1.3 Реєстрація підприємства.
Розділ 2. Бізнес–план.
Список літератури.
Группа однодумців, які мають вільні кошти, проаналізувавши ситуацію на ринку вирішила створити підприємство по наданню інтернет послуг . Провівши детальний аналіз ринку засновники вирішили створити підприємство у м. Києві, оскільки ця сфера діяльності слабко розвинута. Тому ств
850 руб.