Физические основы электроники. Лабораторная работа №1,2,3. Вариант №1

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 34A1946C-DFF2-4DF2-AB9D-C27AFB9F6C4C.rar [ 1 MB ]
material.view.file_icon Новая папка
material.view.file_icon Лабораторная работа №1.doc [ 501 KB ]
material.view.file_icon Лабораторная работа №3.doc [ 571 KB ]
material.view.file_icon Лабораторная работа №2.doc [ 751 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа № 2

Исследование статических характеристик биполярного транзистора

Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).


Лабораторная работа № 3

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Схема исследования и график передаточных характеристик полевого транзистора:

Дополнительная информация

Все работы сданы в 2014 году.

Похожие материалы

Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Вариант №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Gila : 17 января 2019
190 руб.
Лабораторная работа №1. Вариант №1. Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Отчет по работе: 1. Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. 2. Исследовать вольтамперную характеристику диода при обратном включении. 3. Провести исследование стабилитрона Д814А. 4. Исследовать однополупериодный выпр
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Teuserer : 24 декабря 2015
50 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User donkirik : 19 июня 2014
150 руб.

Другие работы

Лабораторная работа № 3 по дисциплине: Основы схемотехники. 3-й семестр, 01вариант
“Исследование интегратора и дифференциатора на основе операционного усилителя ” 1. Цель работы: Исследовать свойства и характеристики схем интегратора и дифференциатора на основе операционного усилителя (ОУ) 2. Исследование интегратора Исследуемая схема интегратора
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Лабораторная
User Azeke3005 : 16 февраля 2013
50 руб.
Процессы и аппараты пищевых производств УрГЭУ Задача 2.4
Найти верхний предел (т.е. наибольший диаметр частиц) применимости формулы Стокса к частицам свинцового блеска плотностью 7560 кг/м³, осаждающимся в воде при 20ºС.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 20 октября 2025
120 руб.
Процессы и аппараты пищевых производств УрГЭУ Задача 2.4
Философия бизнеса. Зачет
Задание 1: Обобщенная модель механизма управления Необходимо выбрать управляющего субъекта и управляемый объект и составить обобщённую модель механизма управления, определив все её элементы: • содержание элемента «память», • возможных посредников, • объекты и процессы внешней среды, • цели управления (конкретизация целей для модели обязательна), • содержание программы. Особенно обратите внимание на формулировку целей. Цели (их три!) ставятся для контура в целом, они объединяют управляющ
Философия бизнеса СибГУТИ Работа Зачетная
User @ulana55_ : 30 декабря 2015
200 руб.
Комплекс для предварительной подготовки газа с модернизацией регулятора РСТ-1255-00 Сепаратора газового ГС 2-1,6-1600 Установки комплексной подготовки газа УКПГ-Дипломная работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
Комплекс для предварительной подготовки газа с модернизацией регулятора РСТ-1255-00 Сепаратора газового ГС 2-1,6-1600 Установки комплексной подготовки газа УКПГ-Текст пояснительной записки выполнен на Украинском языке вы можете легко его перевести на русский язык через Яндекс Переводчик ссылка на него https://translate.yandex.ru/?lang=uk-ru или с помощью любой другой программы для перевода-Дипломная работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа 3 ОПИСАНИЕ ТЕХНИЧЕСКОГО ПРЕДЛОЖЕНИЯ В н
Нефтяная промышленность Диплом и связанное с ним
User leha.se92@mail.ru : 20 июня 2018
2584 руб.
Комплекс для предварительной подготовки газа с модернизацией регулятора РСТ-1255-00 Сепаратора газового ГС 2-1,6-1600 Установки комплексной подготовки газа УКПГ-Дипломная работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
up Наверх