Физические основы электроники. Лабораторная работа №1,2,3. Вариант №1

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 34A1946C-DFF2-4DF2-AB9D-C27AFB9F6C4C.rar [1 MB]
material.view.file_icon Новая папка
material.view.file_icon Лабораторная работа №1.doc [Office 2010, 6 стр., 501 KB]
material.view.file_icon Лабораторная работа №3.doc [Office 2010, 571 KB]
material.view.file_icon Лабораторная работа №2.doc [Office 2010, 751 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа № 2

Исследование статических характеристик биполярного транзистора

Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).


Лабораторная работа № 3

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Схема исследования и график передаточных характеристик полевого транзистора:

Дополнительная информация

Все работы сданы в 2014 году.

Похожие материалы

Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Вариант №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Gila : 17 января 2019
190 руб.
Лабораторная работа №1. Вариант №1. Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Отчет по работе: 1. Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. 2. Исследовать вольтамперную характеристику диода при обратном включении. 3. Провести исследование стабилитрона Д814А. 4. Исследовать однополупериодный выпр
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Teuserer : 24 декабря 2015
50 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User donkirik : 19 июня 2014
150 руб.

Другие работы

Реферат: Архитектурный ансамбль Кремля
Введение 2 Кремль 4 Стены и башни Кремля 5 Водовзводная башня (Свиблова) 6 Боровицкая башня (Предтеченская) 7 Комендантская башня (Колымажная) 7 Оружейная башня (Конюшенная) 7 Троицкая башня 7 Кутафья башня (Предмостная) 8 Никольская башня 8 Средняя Арсенальная башня (Гранёная) 9 Угловая Арсенальная башня (Собакина) 9 Сенатская башня 9 Спасская башня (Фроловская) 10 Царская башня 12 Набатная башня 12 Константино–Еленинская башня (Тимофеевская) 12 Беклемишевская башня (Москворецкая) 12 Петровская
История Работа
User evelin : 26 августа 2013
10 руб.
Решение по термеху из Яблонского
Вар. К12 K2
Теоретическая механика ВТУЗ (СПБГПУ) Практические занятия и отчеты
User Администратор : 18 октября 2007
ТК-16. Задание.
Задание 2 Продолжите заполнение таблицы правил управленческих решений с учетом рисков: Таблица 1 Правила управленческих решений № Правило 1. Постарайтесь получить представление о проблеме в целом перед тем, как вникать в детали.
Теория риска и моделирование рисковых ситуаций Практические занятия и отчеты
User studypro3 : 2 августа 2018
100 руб.
Лабораторная работа №5 "Работа со строками. Использование функций DOS" по дисциплине "Основы системного программирования". Вариант №1
Цель работы: Научиться использовать функции DOS для ввода и вывода строковой информации Задание 1 1.Изучите приведенную ниже программу на языке ассемблера. Программа позволяет ввести строку с клавиатуры и определить сколько заданных символов содержится в ней. Программа подсчитывает количество единиц в заданном байте и результат заносит в регистр DX. 2.Выполните отладку программу. Чему равно значение DX перед выходом из программы? Задание 2 Используя предложенную выше программу, разработайте пр
СибГУТИ Программирование Работа Лабораторная
User ev-kazanceva : 3 января 2014
150 руб.
up Наверх