Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (ВСЕ варианты)

Цена:
300 руб.

Состав работы

material.view.file_icon C6361462-1936-44B4-BE21-953C9620B8F9.docx [ 157 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы

Дополнительная информация

Работа успешно зачтена (без замечаний). Выполнялась на заказ, очень качественно. Подходит ко ВСЕМ вариантам.

Похожие материалы

Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход работы 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА. 2. Обратное вк
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User Amor : 19 октября 2013
300 руб.
promo
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
ДО СИБГУТИ Физика Практические занятия и отчеты
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по лабораторной работе №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом напра
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User RomIN : 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.

Другие работы

Теплотехника Часть 1 Теплопередача Задача 19 Вариант 7
Трубопровод диаметром d1=150 мм, имеющий температуру поверхности t1 и степень черноты ε=0,75, окружен цилиндрическим экраном диаметром d2, обе поверхности которого имеют степень черноты εэ. Определить потери тепла излучением на 1 пог. м трубопровода при температуре окружающей среды t2=27 ºC, приняв ее поглощательную способность равной единице. На сколько процентов будут больше указанные потери при тех же условиях для трубопровода без экрана?
Задачи Теплотехника
User Z24 : 14 октября 2025
180 руб.
Теплотехника Часть 1 Теплопередача Задача 19 Вариант 7
Чертежи-Графическая часть-Курсовая работа-АГЗУ Спутник Б-40-10-400, Принципиальная схема, Блок технологический, Вид слева, Сепорационная емкость
«Спутник А» (рис.1.1) - базовая конструкция серии блочных автоматизированных замерных установок. Существует три модификации этих установок: «Спутник А-16-14-400», «Спутник А-25-10-1500» и «Спутник А-40-14-400». В указанных шифрах первое число обозначает рабочее давление, на которое рассчитана установка, второе – число подключенных к ней скважин и третье – наибольший дебет измеряемое скважины в (м3/сут). Установки типа «Спутник А» рекомендуется применять в системах внутрипромыслового сбора проду
Нефтяная промышленность ИНиГ Чертежи
User https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27 : 7 мая 2016
696 руб.
Чертежи-Графическая часть-Курсовая работа-АГЗУ Спутник Б-40-10-400, Принципиальная схема, Блок технологический, Вид слева, Сепорационная емкость
Задачи 6. Тема 8.Управление риском
ТЕМА No8. Управление риском Задача 1 Определить рентабельность инвестиции с помощью САРМ- модели. Безрисковая ставка рентабельности 12%. Рыночная рентабельность инвестиции (с учетом факторов риска) 18% Бэта-коэффициент рассчитать на основе субъективных вероятностей в таблице. Расчет ожидаеморй рентабельности долгосрочных инвестиций основывается на одном из важнейших принципов корпоративных финансов: увеличение степени риска требует соответствующего роста в уровне ожидаемой рентабельности. В свя
Задачи Финансовый менеджмент
User studypro3 : 5 января 2018
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 2). Вариант №8 (18, 28 и т.д.)
Задание на контрольную работу Выполнить расчет сопротивлений схемы предварительного каскада усиления на биполярном транзисторе с эмиттерной стабилизацией с исходными данными, указанными в таблице 1. Текст пояснительной записки должен включать: 1. Схему рассчитываемого усилителя. 2. Выбор режима работы транзистора. 3. Расчет цепей питания по постоянному току (сопротивлений схемы). 4. Построение нагрузочной прямой по постоянному току (с обоснованием процесса построения). 5. Определение входного с
ДО СИБГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Контрольная
User Учеба "Под ключ" : 2 января 2017
500 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 2). Вариант №8 (18, 28 и т.д.)
up Наверх