Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (ВСЕ варианты)
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
07.10.2015
-
Размер:
157 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
Елена22
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
C6361462-1936-44B4-BE21-953C9620B8F9.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы
Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы
Дополнительная информация
Работа успешно зачтена (без замечаний). Выполнялась на заказ, очень качественно. Подходит ко ВСЕМ вариантам.
Похожие материалы
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Amor
: 19 октября 2013
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход работы
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА.
2. Обратное вк
Amor
: 19 октября 2013
300 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
RomIN
: 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Другие работы
Теплотехника 21.03.01 КубГТУ Задача 4 Вариант 95
Z24
: 24 января 2026
Метан в количестве V м³/с и с температурой tм1 охлаждается в рекуперативном противоточном теплообменнике воздухом до tм2=20ºС. Температура воздуха на входе в теплообменник tв1=10ºС, а на выходе tв2. Коэффициент теплоотдачи от метана к поверхности нагрева – α1, а от поверхности нагрева к воздуху – α2. Поверхность нагрева изготовлена из стальных труб (λ = 40 Вт/(м·К)) толщиной – δ = 0,002 м. Определить: необходимую поверхность теплообмена и расход воздуха.
Z24
: 24 января 2026
200 руб.
Пневматический сбрасыватель 6-00 СБ
HelpStud
: 6 июня 2018
Задание №6 из альбома заданий для выполнения сборочных чертежей Л.В. Борковская, Е.А. Гулянская, К.И. Зыкунова под ред. В.В. Рассохина.
Устройство и работа сбрасывателя. Пневматический сбрасыватель предназначен для съема (сдува) мелких деталей при штамповке на механических прессах. Сбрасыватель собирают в следующем порядке.В корпус 6 запрессовывают втулку 10 заподлицо с торцом корпуса. Затем отдельно собирают клапанное устройство. На резьбу клапана 9 надевают резиновую прокладку 8, после чего н
HelpStud
: 6 июня 2018
220 руб.
Термодинамика и теплопередача МИИТ 2013 Задача 13 Вариант 9
Z24
: 29 декабря 2026
В закрытом сосуде объемом 10 м³ находится влажный насыщенный водяной пар с абсолютным давлением р. В объеме пара содержится 30 кг жидкости. Определить массу парообразной фазы в сосуде и степень сухости пара.
Z24
: 29 декабря 2026
150 руб.
Основы теплотехники СГУГиТ Вариант 3 Задача 4
Z24
: 30 ноября 2025
По стальному трубопроводу внутренним диаметром d1 = 12 мм и толщиной стенки 2 мм течет хладагент с температурой t1 = -35 ºС. Определить теплопритоки из окружающей среды на 1 погонный метр трубопровода, если на него положена теплоизоляция толщиной 5 мм из стекловаты, t2 = 15 ºC ; α1 = 60 Вт/(м²·гр), α2 = 20 Вт/(м²·гр), λст = 65 Вт/(м·гр), λиз = 0,05 Вт/(м·гр).
Z24
: 30 ноября 2025
120 руб.
