Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (ВСЕ варианты)

Цена:
300 руб.

Состав работы

material.view.file_icon C6361462-1936-44B4-BE21-953C9620B8F9.docx [ 157 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы

Дополнительная информация

Работа успешно зачтена (без замечаний). Выполнялась на заказ, очень качественно. Подходит ко ВСЕМ вариантам.

Похожие материалы

Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход работы 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА. 2. Обратное вк
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User Amor : 19 октября 2013
300 руб.
promo
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
ДО СИБГУТИ Физика Практические занятия и отчеты
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по лабораторной работе №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом напра
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User RomIN : 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.

Другие работы

Графическая информация. Лабораторные работы №1 - 5
Пpеобpазовать цветной BMP файл в чеpно-белый (найти в файле палитpу, пpеобpазовать ее, усpеднив по тpойкам RGB цветов и записать получившийся файл под новым именем). Вывести основные характеристики BMP изображения. Пpеобpазовать BMP файл, создав вокpуг него pамку из пикселей случайного цвета. Шиpина рамки - 15 пикселей (Работа с pастpовыми данными). Вывести на экpан 16-цветный, 256-цветный и True Color BMP файл с помощью библиотеки wingraph.h. Написать программу для вписывания логотипа в BMP
СибГУТИ Работа Лабораторная Представление графической информации
User danila1271 : 8 января 2018
50 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 10 Вариант 22
Определить необходимую поверхность нагрева парогенератора производительностью G тонн пара в час при абсолютном давлении p. Какой температурный напор необходимо обеспечить, чтобы увеличить производительность парогенератора в n раз при той же поверхности нагрева? Определить критическое значение температурного напора и тепловой нагрузки для заданного давления p.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 23 февраля 2026
200 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 10 Вариант 22
Создание автоматизированной информационной системы предприятия "Мебельный цех"
Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 1. Первый этап проектирования АИС. Предпроектное обследование . . . 5 1.1 Предметная область . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 1.2 Кратко о предпроектном исследовании . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 1.3 Построение структуры предприятия . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 1.4 Определение миссии, выделе
Информатика Работа
User Slolka : 7 октября 2013
10 руб.
Устройство оповещения в салоне городского транспортного средства
Техническое задание 1.1 Введение Целью курсового проекта является закрепление теоретических знаний и формирование практических навыков при выполнении самостоятельной разработки микропроцессорного устройства, а также приобретение навыков работы с отечественным и зарубежным информационно-справочным материалом. 1.2 Наименование разрабатываемого устройства Устройство оповещения в салоне городского транспортного средства. 1.3 Назначение разрабатываемого устройства – область применения Устройство
Информатика Работа
User alfFRED : 6 октября 2013
10 руб.
up Наверх