Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (ВСЕ варианты)

Цена:
300 руб.

Состав работы

material.view.file_icon C6361462-1936-44B4-BE21-953C9620B8F9.docx [Office 2007, 7 стр., 157 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы

Дополнительная информация

Работа успешно зачтена (без замечаний). Выполнялась на заказ, очень качественно. Подходит ко ВСЕМ вариантам.

Похожие материалы

Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход работы 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА. 2. Обратное вк
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User Amor : 19 октября 2013
300 руб.
promo
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
ДО СИБГУТИ Физика Практические занятия и отчеты
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по лабораторной работе №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом напра
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User RomIN : 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.

Другие работы

Общая физика - Конспект лекций - Мальханов - 2001 - 438
Общая физика - Конспект лекций - Мальханов - 2001 - 438 Предлагаемый читателям конспект лекций по общей физике многие годы и по настоящее время читается автором студентам 1 и 2 курсов технических факультетов Санкт-Петербургского государственного технического университета. В основу данного курса заложена идея о том, что физика суть наука экспериментальная, а хорошая теория предполагает обобщение экспериментальных закономерностей до физических законов. Автор, воспитанный на экспериментальном виде
Физика. Физика математическая Лекции
User 1112 : 22 октября 2008
6 руб.
Астрофизика против «новой хронологии»
Последнее время группа математиков (А.Т.Фоменко, В.В.Калашников, Г.В.Носовский и др.) все активнее выступает в новой для себя роли – глобальных реформаторов исторической хронологии. Используя, как заявляют эти авторы, новые методы анализа, они приходят к радикальному пересмотру всей мировой истории. К сожалению, не обошли они вниманием и наше отечество. Их выводы, если в них поверить, чудовищны. «Новая хронология» Фоменко выбрасывает как несуществующий весь период средневековья, длительностью 10
Астрономия Работа
User Lokard : 10 августа 2013
10 руб.
Протектолайзер электроцентробежного насоса ЭЦН-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Протектолайзер ЭЦН-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Нефтяная промышленность ИНиГ Чертежи
User nakonechnyy.1992@list.ru : 28 июля 2016
470 руб.
Протектолайзер электроцентробежного насоса ЭЦН-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Архитектура вычислительных систем, Контрольная работа №1. Вариант №9
9. Какова область применения СуперЭВМ? 1.9. Система трехмерной визуализации для так называемой "дополненной" реальности, позволяющей показывать проекции трехмерных объектов с визуализацией их параметров (с помощью цветового выделения, мерцания, дописывания текстовой и численной информации) и возможностью интерактивной навигации - перемещения точки обзора, угла обзора и смены масштаба.
СибГУТИ Работа Контрольная Вычислительные машины, системы и сети
User tefant : 4 июля 2013
99 руб.
up Наверх