Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (ВСЕ варианты)
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
07.10.2015
-
Размер:
157 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
Елена22
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
C6361462-1936-44B4-BE21-953C9620B8F9.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы
Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы
Дополнительная информация
Работа успешно зачтена (без замечаний). Выполнялась на заказ, очень качественно. Подходит ко ВСЕМ вариантам.
Похожие материалы
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Amor
: 19 октября 2013
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход работы
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА.
2. Обратное вк
Amor
: 19 октября 2013
300 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
RomIN
: 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Другие работы
Диагностика отказов системы регулирования уровня в баке
Qiwir
: 6 октября 2013
Введение
1. Обзор литературы и постановка задачи
2. Описание метода диагностики отказов
2.1. Основные понятия метода
2.2. Диагностика отказов, основанная на принципе аналитической избыточности
2.3. Основные принципы диагностики отказов, основанной на использовании моделей
2.3.1. Метод диагностики отказов, основанный на использовании моделей
2.3.2. Диагностика отказов при работе системы
2.3.3. Моделирование систем с отказами
2.3.4. Общая структура формирования рассогласования в диагности
Qiwir
: 6 октября 2013
10 руб.
Телевидение Контрольная работа №2. 10вариант
троц
: 23 ноября 2010
Задание 1
Дайте общую характеристику системы цветного телевидения СЕКАМ, пояснив ее уравнениями сигналов. Раскройте понятие совместимости системы цветного телевидения, Поясните сущность уплотнения спектра сигнала. Начертите и поясните структурную схему видеоканала передающей части и структурную схему канала цветности телевизора. Приведите и поясните характеристики высокочастотного и низкочастотного предыскажений сигналов. Приведите краткие сведения о цветовой синхронизации.
Задание 2
Рассчитайте
троц
: 23 ноября 2010
150 руб.
Инженерная графика. Задание №9. Вариант №11. Заглушка
Чертежи
: 17 марта 2020
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения.
Задание 9. Вариант 11. Заглушка.
Тема: Конусность.
По заданным размерам и величине конусности выполнить изображение детали. Обозначить конусность. Подсчитать размер, отмеченный звёздочкой.
В состав работы входят три файла:
– 3D модель детали;
- ассоциативный чертеж с изометрической проекцией детали, выполненный по этой 3D модели, конусность определена по формуле, формула указана на чертеже;
– ана
Чертежи
: 17 марта 2020
50 руб.
Экзамен по предмету: "Основы визуального программирования". Билет № 1
xtrail
: 8 апреля 2013
Билет 1
по дисциплине “Основы визуального программирования”
Вопрос 1. Разработать приложение, выполняющее следующие действия:
по нажатию на кнопку Start формируется двумерный массив A размером N x M с помощью генератора случайных чисел; для отображения массива на экране используется компонент TStringGrid;
размер массива А[N, M] задается c помощью компонентов TEdit или TSpinEdit;
по нажатию на кнопку Max: осуществляется поиск наибольшего элемента каждой строки матрицы А; из этих максимальных э
xtrail
: 8 апреля 2013
350 руб.
