Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (ВСЕ варианты)

Состав работы

C6361462-1936-44B4-BE21-953C9620B8F9.docx [ 157 KB ]

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:

Microsoft Word

Описание

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Выполнение лабораторной работы.
1. Прямое включение.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=5мА
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д7Ж при обратном включении.
2.2. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при обратном включении для напряжения Uобр=3В.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы

Дополнительная информация

Работа успешно зачтена (без замечаний). Выполнялась на заказ, очень качественно. Подходит ко ВСЕМ вариантам.

Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход работы 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе мА. 2. Обратное вк

СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая

Amor : 19 октября 2013

300 руб.

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник

ДО СИБГУТИ Физика Практические занятия и отчеты

s0nnk : 10 мая 2024

100 руб.

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых

ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная

blur : 31 августа 2023

50 руб.

«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»

1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых

Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная

Илья272 : 21 мая 2021

350 руб.

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5

******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники

beke : 7 ноября 2015

185 руб.

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов

СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая

ramzes14 : 6 ноября 2012

70 руб.

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Отчет по лабораторной работе №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом напра

СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая

RomIN : 1 июля 2010

50 руб.

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая

DaemonMag : 4 февраля 2010

30 руб.

Лабораторная №6 вариант №13 по информатике, выполненная с использованием подпрограмм-процедур и подпрограмм-функций

Цель работы. Целью работы является написание программы на языке программирования «Pascal» для DOS с использованием подпрограмм и функций, задания для которых обозначены вариантом лабораторной работы. 2. Постановка задачи. Главной задачей программиста является создание наиболее простого, и, следовательно, быстрого алгоритма программы, выполняющего оба задания – А и Б, причём задание А необходимо оформить в виде процедуры, а задание Б в виде функции. При этом сделать программу как можно проще в

Информатика Работа

alfFRED : 29 сентября 2013

10 руб.

Кронштейн, колесо зубчатое

Стандартные виды кронштейна и зубчатого колеса

3D моделирование и проектирование Работа Самостоятельная КазНТУ

zhankisheva17 : 15 ноября 2016